Юридический портал "Сборник-Законов": законодательство РФ, законы, постановления
Кодексы
Действующая редакция налогового кодекса РФ 2017 http://nalogovyykodeks.ru/
Федеральные законы РФПостановленияПриказыРаспоряженияУказы
Найти документ

Постановление Правительства Российской Федерации от 08.09.2011 № 763

                ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

                     П О С Т А Н О В Л Е Н И Е

                   от 8 сентября 2011 г. N 763

                              МОСКВА

       О внесении изменений в федеральную целевую программу
    "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники"
                         на 2008-2015 годы

     Правительство Российской Федерации  п о с т а н о в л я е т:
     Утвердить   прилагаемые   изменения,   которые   вносятся    в
федеральную целевую программу  "Развитие  электронной  компонентной
базы  и   радиоэлектроники"   на   2008-2015   годы,   утвержденную
постановлением Правительства  Российской  Федерации  от  26  ноября
2007 г. N  809  (Собрание  законодательства  Российской  Федерации,
2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130).

     Председатель Правительства
     Российской Федерации                                   В.Путин
     __________________________

     УТВЕРЖДЕНЫ
     постановлением Правительства
     Российской Федерации
     от 8 сентября 2011 г.
     N 763

                        И З М Е Н Е Н И Я,
    которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие
         электронной компонентной базы и радиоэлектроники"
                         на 2008-2015 годы

     1. В паспорте Программы:
     а) позицию,  касающуюся  государственных заказчиков Программы,
изложить в следующей редакции:

"Государственные   - Министерство промышленности     и     торговли
заказчики            Российской Федерации,  Федеральное космическое
Программы            агентство,  Министерство образования  и  науки
                     Российской  Федерации,  Федеральная  служба по
                     техническому    и    экспортному     контролю,
                     Государственная  корпорация по атомной энергии
                     "Росатом";

     б) в   позиции,  касающейся  важнейших  целевых  индикатора  и
показателей:
     в   абзаце   втором   слова  "Ожидается,  что  в  2008 году  в
организациях  микроэлектроники будет освоен технологический уровень
0,18 мкм,   что   обеспечит"   заменить   словами  "В  организациях
микроэлектроники  в  2008  году освоен технологический уровень 0,18
мкм, что позволило обеспечить";
     в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13";
     в  абзаце  пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117"
заменить цифрами "114";
     в) в  позиции,  касающейся объемов и источников финансирования
Программы:
     в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
     в  абзаце  втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71",
цифры  "66000"  заменить  цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить
цифрами "42936,41";
     в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656;
     г) в   позиции,   касающейся  ожидаемых  конечных  результатов
реализации    Программы   и   показателей   социально-экономической
эффективности:
     в   абзаце  тринадцатом  цифры  "198577,2"   заменить  цифрами
"203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
     в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
     2. Предложения    третье   и   четвертое   абзаца   четвертого
подраздела,    касающегося   целевых   индикатора   и   показателей
реализации   Программы,  раздела  II  заменить  текстом  следующего
содержания:  "В  результате  реализации  Программы в 41 организации
электронной  промышленности  Министерства промышленности и торговли
Российской  Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 -
осуществлены  реконструкция  и  техническое  перевооружение.  Кроме
того,   техническое   перевооружение  будет  осуществлено  в  одной
организации,  подведомственной Федеральной службе по техническому и
экспортному  контролю.  Также  к  2015  году  центры проектирования
будут   созданы  в  21 организации  Государственной  корпорации  по
атомной  энергии  "Росатом",  Федерального космического агентства и
Министерства    образования    и    науки   Российской   Федерации,
производящих  продукцию  в интересах радиоэлектронного комплекса, а
в 17 - осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".
     3. В разделе IV:
     а) в   абзаце   первом   цифры   "187000"   заменить   цифрами
"179224,366";
     б) в   абзаце   втором   цифры   "110000"   заменить   цифрами
"106844,71";
     в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3";
     г) в   абзаце   четвертом   цифры   "44000"  заменить  цифрами
"42936,41";
     д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656";
     е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500".
     4. В  абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по
науке  и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить
словами  "Министерство  образования  и  науки Российской Федерации,
Федеральная служба по техническому и экспортному контролю".
     5. В разделе VI:
     а) в   абзаце   пятом   цифры   "198577,2"   заменить  цифрами
"203443,4";
     б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9";
     в) в   абзаце   седьмом   цифры  "125045,9"  заменить  цифрами
"131640";
     г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54";
     д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
     6. Приложения N 1-4 к указанной Программе изложить в следующей
редакции:

     "ПРИЛОЖЕНИЕ N 1
     к федеральной целевой программе
     "Развитие электронной компонентной базы
     и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
     (в редакции постановления
     Правительства Российской Федерации
     от 8 сентября 2011 г.
     N 763)

                                    ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
          реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной
                   компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

-------------------------|-------|-----|------|------|------|------|------|------|------|-----
                         |Единица|2007 | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 |2015
                         |измере-|год  | год  | год  | год  | год  | год  | год  | год  |год
                         |  ния  |     |      |      |      |      |      |      |      |
-------------------------|-------|-----|------|------|------|------|------|------|------|-----

                                          Индикатор

Достигаемый               мкм     0,18  0,18   0,13   0,13   0,09   0,09   0,09   0,09   0,045
технологический уровень
электроники

                                          Показатели

Увеличение объемов        млрд.   19    58     70     95     130    170    210    250    300
продаж изделий            рублей
электронной и
радиоэлектронной техники

Количество разработанных  -       3-5   16-20  80-90  125-   179-   210    230    250    260-
базовых технологий в                                  135    185                         270
области электронной
компонентной базы и
радиоэлектроники
(нарастающим итогом)

Количество объектов       -       1     8      10     14     30     30     31     31     42
реконструкции и
технического
перевооружения
производств для создания
базовых центров
системного
проектирования в
организациях
Минпромторга России
(нарастающим итогом)

Количество объектов       -       -     -      -      -      1      1      1      4      4
реконструкции и
технического
перевооружения
производств для создания
базовых центров
системного
проектирования в
организациях Росатома,
производящих продукцию в
интересах
радиоэлектронного
комплекса (нарастающим
итогом)

Количество объектов       -       -     -      -      -      -      1      3      3      10
реконструкции и
технического
перевооружения
производств для создания
базовых центров
системного
проектирования в
организациях Роскосмоса,
производящих продукцию в
интересах
радиоэлектронного
комплекса (нарастающим
итогом)

Количество объектов       -       -     1      1      2      2      3      5      5      7
реконструкции и
технического
перевооружения
производств для создания
базовых центров
системного
проектирования в
организациях Минобрнауки
России, производящих
продукцию в интересах
радиоэлектронного
комплекса (нарастающим
итогом)

Количество объектов       -       -     1      5      8      18     21     25     25     96
реконструкции и
технического
перевооружения
радиоэлектронных
производств в
организациях
Минпромторга России
(нарастающим итогом)

Количество объектов       -       -     -      -      -      -      1      1      1      1
реконструкции и
технического
перевооружения
радиоэлектронных
производств в
организациях ФСТЭК
России (нарастающим
итогом)

Количество объектов       -       -     -      -      -      -      -      1      1      9
реконструкции и
технического
перевооружения
радиоэлектронных
производств в
организациях Росатома,
производящих продукцию в
интересах
радиоэлектронного
комплекса (нарастающим
итогом)

Количество объектов       -       -     -      -      -      -      -      1      1      8
реконструкции и
технического
перевооружения
радиоэлектронных
производств в
организациях Роскосмоса,
производящих продукцию в
интересах
радиоэлектронного
комплекса (нарастающим
итогом)

Количество завершенных    -       1     3      9      9-10   10-12  12-14  14-16  16-18  20-22
поисковых
технологических
научно-исследовательских
работ (нарастающим
итогом)

Количество реализованных  -       4     11-12  16-20  22-25  36-40  41-45  45-50  50-55  55-60
мероприятий по созданию
электронной компонентной
базы, соответствующей
мировому уровню (типов,
классов новой
электронной компонентной
базы) (нарастающим
итогом)

Количество создаваемых    -       450   1020-  1800-  3000-  3800-  4100-  4400-  4700-  5000-
рабочих мест                            1050   2200   3800   4100   4400   4700   5000   6000
(нарастающим итогом)

                                       _______________

     ПРИЛОЖЕНИЕ N 2
     к федеральной целевой программе
     "Развитие электронной компонентной базы
     и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
     (в редакции постановления
     Правительства Российской Федерации
     от 8 сентября 2011 г.
     N 763)

                                                             П Е Р Е Ч Е Н Ь
                              мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной
                                               базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

                                                                                                (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
-----------------------|----------|-------------------------------------------------------------------------|------------------------------
      Мероприятия      |2008-2015 |                            В том числе                                  |   Ожидаемые результаты
                       | годы -   |---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|------|
                       |  всего   |  2008   |  2009   |  2010   | 2011  |  2012   |  2013  |  2014   | 2015 |
                       |          |  год    |  год    |  год    | год   |  год    |  год   |  год    | год  |
                       |          |         |         |         |       |         |        |         |      |
-----------------------|----------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|------|------------------------------

                                       I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

                                             Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1.   Разработка         128,624    66        62,624                                                          создание базовой технологии
     технологии         _______    __        ______                                                          производства мощных
     производства       84         44        40                                                              сверхвысокочастотных
     мощных                                                                                                  транзисторов на основе
     сверхвысоко-                                                                                            гетероструктур материалов
     частотных                                                                                               группы А В  для бортовой и
     транзисторов                                                                                                    3 5
     на основе                                                                                               наземной аппаратуры
     гетероструктур                                                                                          (2009 год), разработка
     материалов                                                                                              комплектов документации в
     группы А В                                                                                              стандартах единой системы
             3 5                                                                                             конструкторской,
                                                                                                             технологической и
                                                                                                             производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

2.   Разработка         208,25               30,5      39,5      53,25   31,8      53,2                      создание базовой технологии
     базовой            ______               ____      ____      _____   ____      ____                      производства монолитных
     технологии         137,7                20        26        35,5    21,2      35                        сверхвысокочастотных
     производства                                                                                            микросхем и объемных
     монолитных                                                                                              приемо-передающих
     сверхвысоко-                                                                                            сверхвысокочастотных
     частотных                                                                                               субмодулей X-диапазона на
     микросхем и                                                                                             основе гетероструктур
     объемных                                                                                                материалов группы А В  для
     приемо-                                                                                                                    3 5
     передающих                                                                                              бортовой и наземной
     сверхвысоко-                                                                                            аппаратуры радиолокации,
     частотных                                                                                               средств связи (2013 год),
     субмодулей                                                                                              разработка комплектов
     X-диапазона                                                                                             документации в стандартах
                                                                                                             единой системы
                                                                                                             конструкторской,
                                                                                                             производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

3.   Разработка         212,75     141,75    71                                                              создание технологии
     базовой            ______     ______    __                                                              производства мощных
     технологии         134,75     87,75     47                                                              транзисторов
     производства                                                                                            сверхвысокочастотного
     мощных                                                                                                  диапазона на основе
     сверхвысоко-                                                                                            нитридных
     частотных                                                                                               гетероэпитаксиальных
     полупровод-                                                                                             структур для техники связи,
     никовых                                                                                                 радиолокации (2009 год)
     приборов
     на основе
     нитридных
     гетеро-
     эпитаксиальных
     структур

4.   Разработка         531                  20        77,5      163,5   118       152                       создание технологии
     базовой            ___                  __        ____      _____   ___       ___                       производства на основе
     технологии и       375                  17        65        109     80        104                       нитридных
     библиотеки                                                                                              гетероэпитаксиальных
     элементов для                                                                                           структур мощных
     проектирования                                                                                          сверхвысокочастотных
     и производства                                                                                          монолитных интегральных
     монолитных                                                                                              схем с рабочими частотами
     интегральных                                                                                            до 20 ГГц для техники
     схем                                                                                                    связи, радиолокации
     сверхвысоко-                                                                                            (2013 год), разработка
     частотного                                                                                              комплектов документации в
     диапазона на                                                                                            стандартах единой системы
     основе                                                                                                  конструкторской,
     нитридных                                                                                               технологической и
     гетероэпитак-                                                                                           производственной
     сиальных                                                                                                документации, ввод в
     структур                                                                                                эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

5.   Разработка         149,257    85,757    63,5                                                            создание базовой технологии
     базовой            _______    ______    ____                                                            производства компонентов
     технологии         101,7      59,7      42                                                              для сверхвысокочастотных
     производства                                                                                            интегральных схем диапазона
     сверхвысоко-                                                                                            2-12 ГГц с высокой степенью
     частотных                                                                                               интеграции для аппаратуры
     компонентов и                                                                                           радиолокации и связи
     сложнофункци-                                                                                           бортового и наземного
     ональных                                                                                                применения, а также бытовой
     блоков для                                                                                              и автомобильной электроники
     сверхвысоко-                                                                                            (2009 год), разработка
     частотных                                                                                               комплектов документации в
     интегральных                                                                                            стандартах единой системы
     схем высокой                                                                                            конструкторской,
     степени                                                                                                 технологической и
     интеграции на                                                                                           производственной
     основе                                                                                                  документации, ввод в
     гетероструктур                                                                                          эксплуатацию
     "кремний -                                                                                              производственной линии
     германий"

6.   Разработка         248,55               5,6       65,8      177,15                                      создание базовой технологии
     базовой            ______               ___       ____      ______                                      производства
     технологии         158,1                5         35        118,1                                       сверхвысокочастотных
     производства                                                                                            интегральных схем диапазона
     сверхвысоко-                                                                                            2-12 ГГц с высокой степенью
     частотных                                                                                               интеграции для аппаратуры
     интегральных                                                                                            радиолокации и связи
     схем высокой                                                                                            бортового и наземного
     степени                                                                                                 применения, а также бытовой
     интеграции на                                                                                           и автомобильной электроники
     основе                                                                                                  (2011 год), разработка
     гетероструктур                                                                                          комплектов документации в
     "кремний -                                                                                              стандартах единой системы
     германий"                                                                                               конструкторской,
                                                                                                             технологической и
                                                                                                             производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

7.   Разработка         448,408    253       195,408                                                         разработка аттестованных
     аттестованных      _______    ___       _______                                                         библиотек
     библиотек          308,75     169       139,75                                                          сложнофункциональных блоков
     сложнофункцио-                                                                                          для проектирования широкого
     нальных блоков                                                                                          спектра сверхвысокочастотных
     для                                                                                                     интегральных схем на SiGe с
     проектирования                                                                                          рабочими частотами до
     сверхвысоко-                                                                                            150 ГГц, разработка
     частотных и                                                                                             комплектов документации в
     радиочастотных                                                                                          стандартах единой системы
     интегральных                                                                                            конструкторской,
     схем на основе                                                                                          технологической и
     гетероструктур                                                                                          производственной
     "кремний -                                                                                              документации,
     германий"                                                                                               ввод в эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

8.   Разработка         217,44               47        80,09     58,95   17        14,4                      создание базовых технологий
     базовых            ______               __        _____     _____   ____      ____                      проектирования на основе
     технологий         142                  30        52        39,3    11,3      9,4                       библиотеки
     проектирования                                                                                          сложнофункциональных блоков
     кремний-                                                                                                широкого спектра
     германиевых                                                                                             сверхвысокочастотных
     сверхвысоко-                                                                                            интегральных схем на SiGe с
     частотных и                                                                                             рабочими частотами до
     радиочастотных                                                                                          150 ГГц (2013 год),
     интегральных                                                                                            разработка комплектов
     схем на основе                                                                                          документации в стандартах
     аттестованной                                                                                           единой системы
     библиотеки                                                                                              конструкторской,
     сложнофункцио-                                                                                          технологической и
     нальных блоков                                                                                          производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

9.   Разработка         114,9      60        54,9                                                            создание базовых технологий
     базовых            _____      __        ____                                                            производства элементной
     технологий         74         40        34                                                              базы для высокоплотных
     производства                                                                                            источников вторичного
     элементной                                                                                              электропитания
     базы для ряда                                                                                           сверхвысокочастотных
     силовых                                                                                                 приборов и узлов аппаратуры
     герметичных                                                                                             (2009 год), разработка
     модулей                                                                                                 комплектов документации в
     высокоплотных                                                                                           стандартах единой системы
     источников                                                                                              конструкторской,
     вторичного                                                                                              технологической и
     электропитания                                                                                          производственной
     вакуумных и                                                                                             документации, ввод в
     твердотельных                                                                                           эксплуатацию
     сверхвысоко-                                                                                            производственной линии
     частотных
     приборов и узлов
     аппаратуры

10.  Разработка         126,913                        79,513    47,4                                        создание базовых конструкций
     базовых            _______                        ______    ____                                        и технологии производства
     технологий         73,1                           41,5      31,6                                        высокоэффективных,
     производства                                                                                            высокоплотных источников
     ряда силовых                                                                                            вторичного электропитания
     герметичных                                                                                             сверхвысокочастотных
     модулей                                                                                                 приборов и узлов аппаратуры
     высокоплотных                                                                                           на основе гибридно-
     источников                                                                                              пленочной технологии с
     вторичного                                                                                              применением бескорпусной
     электропитания                                                                                          элементной базы (2011 год),
     вакуумных и                                                                                             разработка комплектов
     твердотельных                                                                                           документации в стандартах
     сверхвысоко-                                                                                            единой системы
     частотных                                                                                               конструкторской,
     приборов и узлов                                                                                        технологической и
     аппаратуры                                                                                              производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

11.  Разработка         226        151,2     74,8                                                            создание технологии
     базовых            ___        _____     ____                                                            массового производства ряда
     конструкций        152        102       50                                                              корпусов мощных
     и технологии                                                                                            сверхвысокочастотных
     производства                                                                                            приборов для "бессвинцовой"
     корпусов                                                                                                сборки (2009 год),
     мощных                                                                                                  разработка комплектов
     сверхвысоко-                                                                                            документации в стандартах
     частотных                                                                                               единой системы
     транзисторов                                                                                            конструкторской,
     X-, C-, S-, L-                                                                                          технологической и
     и P-диапазонов                                                                                          производственной
     из малотоксичных                                                                                        документации, ввод в
     материалов с                                                                                            эксплуатацию
     высокой                                                                                                 производственной линии
     теплопро-
     водностью

12.  Разработка         83,5                 13        40,5      30                                          создание базовых
     базовых            ____                 __        ____      __                                          конструктивных рядов
     конструкций        55                   8         27        20                                          элементов систем охлаждения
     теплоотводящих                                                                                          аппаратуры Х- и С-
     элементов                                                                                               диапазонов наземных,
     систем                                                                                                  корабельных и воздушно-
     охлаждения                                                                                              космических комплексов
     сверхвысоко-
     частотных
     приборов Х- и
     С-диапазонов
     на основе
     новых
     материалов

13.  Разработка         109                            64        45                                          создание технологии
     базовой            ___                            __        __                                          массового производства
     технологии         62                             32        30                                          конструктивного ряда
     производства                                                                                            элементов систем охлаждения
     теплоотводящих                                                                                          аппаратуры Х- и С-
     элементов                                                                                               диапазонов наземных,
     систем                                                                                                  корабельных и воздушно-
     охлаждения                                                                                              космических комплексов
     сверхвысоко-                                                                                            (2011 год), разработка
     частотных                                                                                               комплектов документации в
     приборов Х- и                                                                                           стандартах единой системы
     С-диапазонов                                                                                            конструкторской,
     на основе новых                                                                                         технологической и
     материалов                                                                                              производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

14.  Разработка         13                   13                                                              создание технологии
     базовых            __                   __                                                              массового производства
     технологий         8                    8                                                               конструктивного ряда
     производства                                                                                            сверхвысокочастотных
     суперлинейных                                                                                           транзисторов S- и L-
     кремниевых                                                                                              диапазонов для техники
     сверхвысоко-                                                                                            связи, локации и контрольной
     частотных                                                                                               аппаратуры (2009 год),
     транзисторов                                                                                            разработка комплектов
     S- и L-                                                                                                 документации в стандартах
     диапазонов                                                                                              единой системы
                                                                                                             конструкторской,
                                                                                                             технологической и
                                                                                                             производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

15.  Разработка         208,9                          139,9     69                                          создание конструктивно-
     конструктивно-     _____                          _____     __                                          параметрического ряда
     параметричес-      115,9                          69,9      46                                          сверхвысокочастотных
     кого ряда                                                                                               транзисторов S- и L-
     суперлинейных                                                                                           диапазонов для техники
     кремниевых                                                                                              связи, локации и контрольной
     сверхвысоко-                                                                                            аппаратуры, разработка
     частотных                                                                                               комплектов документации в
     транзисторов S-                                                                                         стандартах единой системы
     и L-диапазонов                                                                                          конструкторской,
                                                                                                             технологической и
                                                                                                             производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

16.  Разработка         32         18        14                                                              разработка метрологической
     технологии         __         __        __                                                              аппаратуры нового поколения
     измерений и        22         12        10                                                              для исследования и контроля
     базовых                                                                                                 параметров полупроводниковых
     конструкций                                                                                             структур, активных элементов
     установок                                                                                               и сверхвысокочастотных
     автоматизи-                                                                                             монолитных интегральных
     рованного                                                                                               схем в производстве и при
     измерения                                                                                               их использовании
     параметров
     нелинейных
     моделей
     сверхвысоко-
     частотных
     полупровод-
     никовых
     структур,
     мощных
     транзисторов и
     сверхвысоко-
     частотных
     монолитных
     интегральных
     схем X-, C-,
     S-, L- и
     P-диапазонов
     для их массового
     производства

17.  Исследование       149,416    84,916    64,5                                                            создание технологии
     и разработка       _______    ______    ____                                                            унифицированных
     базовых            102        59        43                                                              сверхширокополосных приборов
     технологий для                                                                                          среднего и большого уровня
     создания нового                                                                                         мощности сантиметрового
     поколения                                                                                               диапазона длин волн и
     мощных вакуумно-                                                                                        сверхвысокочастотных
     твердотельных                                                                                           магнитоэлектрических
     сверхвысоко-                                                                                            приборов для перспективных
     частотных                                                                                               радиоэлектронных систем и
     приборов и                                                                                              аппаратуры связи
     гибридных                                                                                               космического базирования
     малогабаритных                                                                                          (2009 год), разработка
     сверхвысоко-                                                                                            комплектов документации в
     частотных                                                                                               стандартах единой системы
     модулей с                                                                                               конструкторской,
     улучшенными                                                                                             технологической и
     массогабаритными                                                                                        производственной
     характеристиками,                                                                                       документации, ввод в
     магнитоэлектри-                                                                                         эксплуатацию
     ческих приборов                                                                                         производственной линии
     сверхвысоко-
     частотного
     диапазона, в
     том числе
     циркуляторов и
     фазовращателей,
     вентилей,
     высокодобротных
     резонаторов,
     перестраиваемых
     фильтров,
     микроволновых
     приборов со
     спиновым
     управлением для
     перспективных
     радиоэлектронных
     систем двойного
     назначения

18.  Разработка         118,45                         77,5      40,95                                       разработка конструктивных
     базовых            ______                         ____      _____                                       рядов и базовых технологий
     конструкций и      85,3                           58        27,3                                        производства
     технологии                                                                                              сверхширокополосных
     производства                                                                                            приборов среднего и
     нового                                                                                                  большого уровня мощности
     поколения мощных                                                                                        сантиметрового диапазона
     вакуумно-                                                                                               длин волн и
     твердотельных                                                                                           сверхвысокочастотных
     сверхвысоко-                                                                                            магнитоэлектрических
     частотных                                                                                               приборов для перспективных
     приборов и                                                                                              радиоэлектронных систем и
     гибридных                                                                                               аппаратуры связи
     малогабаритных                                                                                          космического базирования
     сверхвысоко-                                                                                            (2011 год), разработка
     частотных                                                                                               комплектов документации в
     модулей с                                                                                               стандартах единой системы
     улучшенными                                                                                             конструкторской,
     массогабаритными                                                                                        технологической и
     характеристиками,                                                                                       производственной
     магнитоэлектри-                                                                                         документации, ввод в
     ческих приборов                                                                                         эксплуатацию
     сверхвысоко-                                                                                            производственной линии
     частотного
     диапазона, в том
     числе
     циркуляторов и
     фазовращателей,
     вентилей,
     высокодобротных
     резонаторов,
     перестраиваемых
     фильтров,
     микроволновых
     приборов со
     спиновым
     управлением для
     перспективных
     радиоэлектронных
     систем двойного
     назначения

19.  Исследование и     110,5      65,5      45                                                              создание технологических
     разработка         _____      ____      __                                                              процессов производства
     процессов и        75,5       45,5      30                                                              нанопленочных малогабаритных
     базовых                                                                                                 сверхвысокочастотных
     технологий                                                                                              резисторно-индуктивно-
     нанопленочных                                                                                           емкостных матриц
     малогабаритных                                                                                          многофункционального
     сверхвысоко-                                                                                            назначения для печатного
     частотных                                                                                               монтажа (2008 год),
     резисторно-                                                                                             создание базовой технологии
     индуктивно-                                                                                             получения
     емкостных матриц                                                                                        сверхбыстродействующих (до
     многофункцио-                                                                                           150 ГГц) приборов на
     нального                                                                                                наногетероструктурах с
     назначения для                                                                                          квантовыми эффектами
     печатного                                                                                               (2009 год), разработка
     монтажа и                                                                                               комплектов документации в
     сверхбыстро-                                                                                            стандартах единой системы
     действующих                                                                                             конструкторской,
     (до 150 ГГц)                                                                                            технологической и
     приборов на                                                                                             производственной
     наногетеро-                                                                                             документации,
     структурах с                                                                                            ввод в эксплуатацию
     квантовыми                                                                                              производственной линии
     дефектами

20.  Разработка         84,5                           50        34,5                                        создание конструктивных
     базовых            ____                           __        ____                                        рядов и базовых технологий
     конструкций и      53                             30        23                                          производства нанопленочных
     технологии                                                                                              малогабаритных
     производства                                                                                            сверхвысокочастотных
     нанопленочных                                                                                           резисторно-индуктивно-
     малогабаритных                                                                                          емкостных матриц
     сверхвысоко-                                                                                            многофункционального
     частотных                                                                                               назначения для печатного
     резисторно-                                                                                             монтажа (2011 год),
     индуктивно-                                                                                             разработка комплектов
     емкостных матриц                                                                                        документации в стандартах
     многофункцио-                                                                                           единой системы
     нального                                                                                                конструкторской,
     назначения для                                                                                          технологической и
     печатного монтажа                                                                                       производственной
                                                                                                             документации, ввод в
                                                                                                             эксплуатацию
                                                                                                             производственной линии

21.  Разработка         133,314    63,447    69,867                                                          создание базовой технологии
     базовой            _______    ______    ______                                                          производства элементов и
     технологии         88         42        46                                                              специальных элементов и
     сверхвысоко-                                                                                            блоков портативной
     частотных                                                                                               аппаратуры миллиметрового
     p-i-n диодов,                                                                                           диапазона длин волн для
     матриц, узлов                                                                                           нового поколения средств
     управления и                                                                                            связи, радиолокационных
     портативных                                                                                             станций, радионавигации,
     фазированных                                                                                            измерительной техники,
     блоков                                                                                                  автомобильных радаров,
     аппаратуры                                                                                              охранных и сигнальных
     миллиметрового                                                                                          устройств (2009 год),
     диапазона длин                                                                                          разработка комплектов
     волн на основе                                                                                          документации в стандартах
     магнито-                                                                                                единой системы
     электронных                                                                                             конструкторской,
     твердотельных и                                                                                         технологической и
     высокоскоростных                                                                                        производственной
     цифровых приборов                                                                                       документации, ввод в
     и устройств с                                                                                           эксплуатацию
     функциями                                                                                               производственной линии
     адаптации и
     цифрового
     диаграммо-
     образования

22.  Разработка         2342,933   338       295,11    364,823   380,85  320       189,8    218,35    236    создание конструктивных
     базовых            ________   ___       ______    _______   ______  ___       _____    ______    ___    рядов и базовых технологий
     технологий         1540,66    230       193,1     226,98    253,9   210       124,8    145,88    156    проектирования и
     создания мощных                                                                                         производства мощных и
     вакуумных                                                                                               сверхмощных вакуумных
     сверхвысоко-                                                                                            сверхвысокочастотных
     частотных                                                                                               приборов для аппаратуры
     устройств                                                                                               широкого назначения нового
                                                                                                             поколения (2009 год, 2011
                                                                                                             год), включая разработку:
                                                                                                             конструкций многолучевых
                                                                                                             электронно-оптических
                                                                                                             систем, включая
                                                                                                             автоэмиссионные катоды
                                                                                                             повышенной мощности и
                                                                                                             долговечности (2012 год);
                                                                                                             мощных широкополосных ламп
                                                                                                             бегущей волны импульсного и
                                                                                                             непрерывного действия,
                                                                                                             магнетронов, тетродов
                                                                                                             миллиметрового диапазона
                                                                                                             (2013 год);
                                                                                                             малогабаритных ускорителей
                                                                                                             электронов с энергией до 10
                                                                                                             МЭВ для терапевтических и
                                                                                                             технических приложений
                                                                                                             (2014 год)

23.  Разработка         1661,182   158,001   253,012   296,269   293,55  287,35    118      112       143    создание базовых
     базовых            ________   _______   _______   _______   ______  ______    ____     ___       ___    конструкций и технологий
     технологий         1096,4     103       166,5     192,4     195,7   189,9     78,9     75        95     изготовления
     создания мощных                                                                                         сверхвысокочастотных мощных
     твердотельных                                                                                           приборов на структурах с
     сверхвысоко-                                                                                            использованием нитрида
     частотных                                                                                               галлия (2008 год, 2010
     устройств на                                                                                            год), включая:
     базе нитрида                                                                                            создание гетеропереходных
     галлия                                                                                                  полевых транзисторов с
                                                                                                             диодом Шоттки с удельной
                                                                                                             мощностью до 30-40 Вт/мм
                                                                                                             и рабочими напряжениями до
                                                                                                             100 В;
                                                                                                             исследования и разработку
                                                                                                             технологий получения
                                                                                                             гетероструктур на основе
                                                                                                             слоев нитрида галлия на
                                                                                                             изоляторе и высокоомных
                                                                                                             подложках (2013 год);
                                                                                                             разработка технологии
                                                                                                             получения интегральных
                                                                                                             схем, работающих в
                                                                                                             экстремальных условиях
                                                                                                             (2015 год)

24.  Исследование       1085,2                                   160,2   99,5      300      308       217,5  исследование технологических
     перспективных      ______                                   _____   _____     _____    ___       _____  принципов формирования
     типов              699,1                                    32,8    224,7     147,6    170       124    перспективных
     сверхвысоко-                                                                                            сверхвысокочастотных
     частотных                                                                                               приборов и структур, включая
     приборов и                                                                                              создание наногетероструктур,
     структур,                                                                                               использование
     разработка                                                                                              комбинированных (электронных
     технологических                                                                                         и оптических методов
     принципов их                                                                                            передачи и преобразования
     изготовления                                                                                            сигналов), определение
                                                                                                             перспективных методов
                                                                                                             формирования приборных
                                                                                                             структур, работающих в
                                                                                                             частотных диапазонах до
                                                                                                             200 ГГц

25.  Разработка         1043,3                                   49,2    331,7     221,4    255       186    создание полного состава
     перспективных      ______                                   ____    _____     _____    ___       ___    прикладных программ
     методов            699,1                                    32,8    224,7     147,6    170       124    проектирования и оптимизации
     проектирования и                                                                                        сверхвысокочастотной
     моделирования                                                                                           электронной компонентной
     сложно-                                                                                                 базы, включая проектирование
     функциональной                                                                                          активных приборов,
     сверхвысоко-                                                                                            полосковых линий передачи,
     частотной                                                                                               согласующих компонентов,
     электронной                                                                                             формируемых в едином
     компонентной базы                                                                                       технологическом процессе

     Всего по           9787,287   1485,57   1392,821  1375,395  1603,5  1205,35   1048,8   893,35    782,5
     направлению 1      ________   _______   ________  ________  ______  _______   ______   ______    _____
                        6468,08    993,95    929,35    855,78    1069    804,12    700      595,88    520

                                    Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26.  Разработка         106,65     60        46,65                                                           создание технологии
     базовой            ______     __        _____                                                           изготовления микросхем с
     технологии         79,65      38        41,65                                                           размерами элементов 0,5 мкм
     радиационно                                                                                             на структурах "кремний на
     стойких                                                                                                 сапфире" диаметром 150 мм
     сверхбольших                                                                                            (2009 год), разработка
     интегральных                                                                                            правил проектирования
     схем уровня                                                                                             базовых библиотек элементов
     0,5 мкм на                                                                                              и блоков цифровых и
     структурах                                                                                              аналоговых сверхбольших
     "кремний на                                                                                             интегральных схем
     сапфире"                                                                                                расширенной номенклатуры
     диаметром                                                                                               для организации
     150 мм                                                                                                  производства радиационно
                                                                                                             стойкой элементной базы,
                                                                                                             обеспечивающей выпуск
                                                                                                             специальной аппаратуры и
                                                                                                             систем, работающих в
                                                                                                             экстремальных условиях
                                                                                                             (атомная энергетика,
                                                                                                             космос, военная техника)

27.  Разработка         286,65                         39,2      170,25  53,2      24                        создание технологии
     базовой            ______                         ____      ______  ____      ____                      изготовления микросхем с
     технологии         188,1                          19,6      113,5   37,2      17,8                      размерами элементов 0,35 мкм
     радиационно                                                                                             на структурах "кремний на
     стойких                                                                                                 сапфире" диаметром 150 мм
     сверхбольших                                                                                            (2013 год), разработка
     интегральных                                                                                            правил проектирования
     схем уровня                                                                                             базовых библиотек элементов
     0,35 мкм на                                                                                             и блоков цифровых и
     структурах                                                                                              аналоговых сверхбольших
     "кремний на                                                                                             интегральных схем,
     сапфире"                                                                                                обеспечивающих создание
     диаметром                                                                                               расширенной номенклатуры
     150 мм                                                                                                  быстродействующей и
                                                                                                             высокоинтегрированной
                                                                                                             радиационно стойкой
                                                                                                             элементной базы

28.  Разработка         245,904    130       115,904                                                         создание технологического
     технологии         _______    ___       _______                                                         базиса (технология
     проектирования и   164        87        77                                                              проектирования, базовые
     конструктивно-                                                                                          технологии), позволяющего
     технологических                                                                                         разрабатывать радиационно
     решений                                                                                                 стойкие сверхбольшие
     библиотеки                                                                                              интегральные схемы на
     логических и                                                                                            структурах "кремний на
     аналоговых                                                                                              изоляторе" с проектной
     элементов,                                                                                              нормой до 0,25 мкм
     оперативных                                                                                             (2009 год)
     запоминающих
     устройств,
     постоянных
     запоминающих
     устройств,
     сложно-
     функциональных
     радиационно
     стойких блоков
     контроллеров
     по технологии
     "кремний на
     изоляторе" с
     проектными
     нормами до
     0,25 мкм

29.  Разработка         365,35                         108,6     166,05  67,7      23                        создание технологического
     технологии         ______                         _____     ______  ____      ____                      базиса (технология
     проектирования и   235                            54,3      110,7   52,6      17,4                      проектирования, базовые
     конструктивно-                                                                                          технологии), позволяющего
     технологических                                                                                         разрабатывать радиационно
     решений                                                                                                 стойкие сверхбольшие
     библиотеки                                                                                              интегральные схемы на
     логических и                                                                                            структурах "кремний на
     аналоговых                                                                                              изоляторе" с проектной
     элементов,                                                                                              нормой до 0,18 мкм
     оперативных
     запоминающих
     устройств,
     постоянных
     запоминающих
     устройств,
     сложно-
     функциональных
     радиационно
     стойких блоков
     контроллеров
     по технологии
     "кремний на
     изоляторе" с
     проектными
     нормами до
     0,18 мкм

30.  Разработка         141,75     92        49,75                                                           создание технологического
     базовых            ______     __        _____                                                           процесса изготовления
     технологических    97,65      63        34,65                                                           сверхбольших интегральных
     процессов                                                                                               схем энергонезависимой,
     изготовления                                                                                            радиационно стойкой
     радиационно                                                                                             сегнетоэлектрической памяти
     стойкой                                                                                                 уровня 0,35 мкм и базовой
     элементной базы                                                                                         технологии создания,
     для сверхбольших                                                                                        изготовления и аттестации
     интегральных схем                                                                                       радиационно стойкой
     энергозависимой                                                                                         пассивной электронной
     пьезоэлектричес-                                                                                        компонентной базы (2009
     кой и магнито-                                                                                          год)
     резистивной
     памяти с
     проектными
     нормами 0,35 мкм
     и пассивной
     радиационно
     стойкой
     элементной базы

31.  Разработка         257,45                         74,6      130,35  42,3      10,2                      создание технологического
     базовых            ______                         ____      ______  ____      ____                      процесса изготовления
     технологических    159,2                          37,3      86,9    28,2      6,8                       сверхбольших интегральных
     процессов                                                                                               схем энергонезависимой
     изготовления                                                                                            радиационно стойкой
     радиационно                                                                                             сегнетоэлектрической памяти
     стойкой                                                                                                 уровня 0,18 мкм (2010 год)
     элементной базы                                                                                         и создания, изготовления и
     для сверхбольших                                                                                        аттестации радиационно
     интегральных схем                                                                                       стойкой пассивной
     энергозависимой                                                                                         электронной компонентной
     пьезоэлектричес-                                                                                        базы (2013 год)
     кой и магнито-
     резистивной
     памяти с
     проектными
     нормами 0,18 мкм
     и пассивной
     радиационно
     стойкой
     элементной базы

32.  Разработка         110,736    58,609    52,127                                                          разработка расширенного
     технологии         _______    ______    ______                                                          ряда цифровых процессоров,
     "кремний на        73         38        35                                                              микроконтроллеров,
     сапфире"                                                                                                оперативных запоминающих
     изготовления                                                                                            программируемых и
     ряда                                                                                                    перепрограммируемых
     лицензионно-                                                                                            устройств, аналого-цифровых
     независимых                                                                                             преобразователей в
     радиационно                                                                                             радиационно стойком
     стойких                                                                                                 исполнении для создания
     комплементарных                                                                                         специальной аппаратуры
     полевых                                                                                                 нового поколения
     полупроводниковых
     сверхбольших
     интегральных
     схем цифровых
     процессоров
     обработки
     сигналов,
     микроконтроллеров
     и схем интерфейса

33.  Разработка         370,802                        82,952    190,35  72,6      24,9                      создание технологии
     технологии         _______                        ______    ______  ____      ____                      проектирования и
     структур с         231,7                          39,8      126,9   48,4      16,6                      изготовления микросхем и
     ультратонким                                                                                            сложнофункциональных блоков
     слоем кремния                                                                                           на основе ультратонких
     на сапфире                                                                                              слоев на структуре "кремний
                                                                                                             на сапфире", позволяющей
                                                                                                             разрабатывать радиационно
                                                                                                             стойкие сверхбольшие
                                                                                                             интегральные схемы с высоким
                                                                                                             уровнем радиационной
                                                                                                             стойкости (2013 год)

34.  Разработка         92,669     51        41,669                                                          разработка конструкции и
     базовой            ______     __        ______                                                          модели интегральных
     технологии и       73,15      40        33,15                                                           элементов и технологического
     приборно-техно-                                                                                         маршрута изготовления
     логического                                                                                             радиационно стойких
     базиса                                                                                                  сверхбольших интегральных
     производства                                                                                            схем типа "система на
     радиационно                                                                                             кристалле" с расширенным
     стойких                                                                                                 температурным диапазоном,
     сверхбольших                                                                                            силовых транзисторов и
     интегральных                                                                                            модулей для бортовых и
     схем "система                                                                                           промышленных систем
     на кристалле",                                                                                          управления с пробивными
     радиационно                                                                                             напряжениями до 75 В и
     стойкой силовой                                                                                         рабочими токами коммутации
     электроники                                                                                             до 10 А (2009 год)
     для аппаратуры
     питания и
     управления

35.  Разработка         74,471     36,2      38,271                                                          создание ряда
     элементной базы    ______     ____      ______                                                          микронанотриодов и
     радиационно        50,6       26,1      24,5                                                            микронанодиодов с наивысшей
     стойких                                                                                                 радиационной стойкостью для
     интегральных                                                                                            долговечной аппаратуры
     схем на основе                                                                                          космического базирования
     полевых
     эмиссионных
     микронанотриодов

36.  Создание           256,6                          21,4      25      92,4      117,8                     разработка комплекса
     информационной     _____                          ____      ____    ____      _____                     моделей расчета
     базы радиационно   167,3                          10,7      16,6    61,6      78,4                      радиационной стойкости
     стойкой                                                                                                 электронной компонентной
     электронной                                                                                             базы для определения
     компонентной                                                                                            технически обоснованных
     базы, содержащей                                                                                        норм испытаний
     модели
     интегральных
     компонентов,
     функционирующих
     в условиях
     радиационных
     воздействий,
     создание
     математических
     моделей стойкости
     электронной
     компонентной
     базы, создание
     методик испытаний
     и аттестации
     электронной
     компонентной базы

37.  Разработка         975,5                                    105     184,5     281,5    209,5     195    создание технологии
     библиотек          _____                                    ___     _____     _____    _____     ___    проектирования и
     стандартных        650                                      70      123       187,5    139,5     130    изготовления микросхем и
     элементов и                                                                                             сложнофункциональных блоков
     сложнофункцио-                                                                                          на основе ультратонких
     нальных блоков                                                                                          слоев на структуре "кремний
     для создания                                                                                            на сапфире", позволяющей
     радиационно                                                                                             разрабатывать радиационно
     стойких                                                                                                 стойкие сверхбольшие
     сверхбольших                                                                                            интегральные схемы с высоким
     интегральных схем                                                                                       уровнем радиационной
                                                                                                             стойкости (2012 год,
                                                                                                             2015 год)

38.  Разработка         978,75                                   187,5   185       163      242,75    200,5  разработка расширенного
     расширенного       ______                                   _____   ___       _____    ______    _____  ряда цифровых процессоров,
     ряда радиационно   650                                      125     123       108,5    160       133,5  микроконтроллеров,
     стойких                                                                                                 оперативных запоминающих
     сверхбольших                                                                                            программируемых и
     интегральных                                                                                            перепрограммируемых
     схем для                                                                                                устройств, аналого-цифровых
     специальной                                                                                             преобразователей в
     аппаратуры связи,                                                                                       радиационно стойком
     обработки                                                                                               исполнении для создания
     и передачи                                                                                              специальной аппаратуры
     информации,                                                                                             нового поколения,
     систем управления                                                                                       разработка конструкции и
                                                                                                             модели интегральных
                                                                                                             элементов и
                                                                                                             технологического маршрута
                                                                                                             изготовления радиационно
                                                                                                             стойких сверхбольших
                                                                                                             интегральных схем типа
                                                                                                             "система на кристалле" с
                                                                                                             расширенным температурным
                                                                                                             диапазоном, силовых
                                                                                                             транзисторов и модулей для
                                                                                                             бортовых и промышленных
                                                                                                             систем управления с
                                                                                                             пробивными напряжениями до
                                                                                                             75 В и рабочими токами
                                                                                                             коммутации до 10 А, создание
                                                                                                             ряда микронанотриодов и
                                                                                                             микронанотриодов с
                                                                                                             наивысшей радиационной
                                                                                                             стойкостью для долговечной
                                                                                                             аппаратуры космического
                                                                                                             базирования

39.  Разработка и       953                                      75      275       230      196       177    разработка комплекса
     совершенствование  ___                                      __      ___       _____    _____     ___    моделей расчета
     методов            634                                      50      183       153,5    130,5     117    радиационной стойкости
     моделирования и                                                                                         электронной компонентной
     проектирования                                                                                          базы для определения
     радиационно                                                                                             технически обоснованных
     стойкой                                                                                                 норм испытаний
     элементной базы

40.  Разработка и       988,15                                   180     191       177,5    233,65    206    создание технологического
     совершенствование  ______                                   ___     ___       _____    ______    _____  базиса (технология
     базовых            650                                      120     123       113,5    160       133,5  проектирования, базовые
     технологий и                                                                                            технологии), позволяющего
     конструкций                                                                                             разрабатывать радиационно
     радиационно                                                                                             стойкие сверхбольшие
     стойких                                                                                                 интегральные схемы на
     сверхбольших                                                                                            структурах "кремний на
     интегральных схем                                                                                       изоляторе" с проектной
     на структурах                                                                                           нормой не менее 0,18 мкм
     "кремний на                                                                                             (2014 год), создание
     сапфире" и                                                                                              технологического базиса
     "кремний на                                                                                             (технология проектирования,
     изоляторе" с                                                                                            базовые технологии),
     топологическими                                                                                         позволяющего разрабатывать
     нормами не менее                                                                                        радиационно стойкие
     0,18 мкм                                                                                                сверхбольшие интегральные
                                                                                                             схемы на структурах
                                                                                                             "кремний на изоляторе" с
                                                                                                             проектной нормой не менее
                                                                                                             0,18 мкм (2015 год)

     Всего по           6204,432   427,809   344,371   326,752   1229,5  1163,7    1051,9   881,9     778,5
     направлению 2      ________   _______   _______   _______    _____  ______    ______   _____     _____
                        4103,35    292,1     245,95    161,7     819,6   780       700      590       514

                                                  Направление 3. Микросистемная техника

41.  Разработка         184,215    165,053   19,162                                                          создание базовых технологий
     базовых            _______    _______   ______                                                          (2009 год) и комплектов
     технологий микро-  117,9      105,9     12                                                              технологической документации
     электромеханичес-                                                                                       на изготовление
     ких систем                                                                                              микроэлектромеханических
                                                                                                             систем контроля давления,
                                                                                                             микроакселерометров с
                                                                                                             чувствительностью по двум и
                                                                                                             трем осям, микромеханических
                                                                                                             датчиков угловых
                                                                                                             скоростей, микроактюаторов

42.  Разработка         433,712              87,239    73,473    108     82,5      82,5                      разработка базовых
     базовых            _______              ______    ______    ___     ____      ____                      конструкций и комплектов
     конструкций        273,8                42,1      49,7      72      55        55                        необходимой конструкторской
     микроэлектро-                                                                                           документации на
     механических                                                                                            изготовление чувствительных
     систем                                                                                                  элементов и микросистем
                                                                                                             контроля давления,
                                                                                                             микроакселерометров,
                                                                                                             микромеханических датчиков
                                                                                                             угловых скоростей,
                                                                                                             микроактюаторов с
                                                                                                             напряжением управления,
                                                                                                             предназначенных для
                                                                                                             использования в
                                                                                                             транспортных средствах,
                                                                                                             оборудовании топливно-
                                                                                                             энергетического комплекса,
                                                                                                             машиностроении, медицинской
                                                                                                             технике, робототехнике,
                                                                                                             бытовой технике

43.  Разработка         166,784    122,356   44,428                                                          создание базовых технологий
     базовых            _______    _______   ______                                                          (2009 год) и комплектов
     технологий         108,15     78,55     29,6                                                            необходимой технологической
     микроакусто-                                                                                            документации на изготовление
     электромехани-                                                                                          микроакустоэлектромеханичес-
     ческих систем                                                                                           ких систем, основанных на
                                                                                                             использовании поверхностных
                                                                                                             акустических волн (диапазон
                                                                                                             частот до 2 ГГц) и объемно-
                                                                                                             акустических волн (диапазон
                                                                                                             частот до 8 ГГц),
                                                                                                             пьезокерамических элементов,
                                                                                                             совместимых с интегральной
                                                                                                             технологией микроэлектроники

44.  Разработка         244,325              52        103,825   88,5                                        разработка базовых
     базовых            _______              __        _______   ____                                        конструкций и комплектов
     конструкций        147,3                28        60,3      59                                          необходимой конструкторской
     микро-                                                                                                  документации на
     акустоэлектро-                                                                                          изготовление пассивных
     механических                                                                                            датчиков физических величин
     систем                                                                                                  микроакселерометров,
                                                                                                             микрогироскопов на
                                                                                                             поверхностных акустических
                                                                                                             волнах, датчиков давления и
                                                                                                             температуры, датчиков
                                                                                                             деформации, крутящего
                                                                                                             момента и микроперемещений,
                                                                                                             резонаторов

45.  Разработка         37         37                                                                        создание базовых технологий
     базовых            __         __                                                                        изготовления элементов
     технологий         25         25                                                                        микроаналитических систем,
     микроаналитичес-                                                                                        чувствительных к газовым,
     ких систем                                                                                              химическим и биологическим
                                                                                                             компонентам внешней среды,
                                                                                                             предназначенных для
                                                                                                             использования в аппаратуре
                                                                                                             жилищно-коммунального
                                                                                                             хозяйства, в медицинской и
                                                                                                             биомедицинской технике для
                                                                                                             обнаружения токсичных,
                                                                                                             горючих и взрывчатых
                                                                                                             материалов

46.  Разработка         134                  47        60        27                                          создание базовых конструкций
     базовых            ___                  __        __        __                                          микроаналитических систем,
     конструкций        78                   20        40        18                                          предназначенных для
     микроаналитичес-                                                                                        аппаратуры жилищно-
     ких систем                                                                                              коммунального хозяйства,
                                                                                                             медицинской и
                                                                                                             биомедицинской техники;
                                                                                                             разработка датчиков и
                                                                                                             аналитических систем
                                                                                                             миниатюрных размеров с
                                                                                                             высокой чувствительностью к
                                                                                                             сверхмалым концентрациям
                                                                                                             химических веществ для
                                                                                                             осуществления мониторинга
                                                                                                             окружающей среды, контроля
                                                                                                             качества пищевых продуктов
                                                                                                             и контроля утечек опасных и
                                                                                                             вредных веществ в
                                                                                                             технологических процессах

47.  Разработка         42,444     15,358    27,086                                                          создание базовых технологий
     базовых            ______     ______    ______                                                          выпуска трехмерных
     технологий         27         10,2      16,8                                                            оптических и
     микро-                                                                                                  акустооптических
     оптоэлектромеха-                                                                                        функциональных элементов,
     нических систем                                                                                         микрооптоэлектро-
                                                                                                             механических систем для
                                                                                                             коммутации и модуляции
                                                                                                             оптического излучения,
                                                                                                             акустооптических
                                                                                                             перестраиваемых фильтров,
                                                                                                             двухмерных управляемых
                                                                                                             матриц микрозеркал,
                                                                                                             микропереключателей и
                                                                                                             фазовращателей (2009 год)

48.  Разработка         109,278              33,95     48,328    27                                          разработка базовых
     базовых            _______              _____     ______    __                                          конструкций и комплектов
     конструкций        70                   21        31        18                                          конструкторской документации
     микро-                                                                                                  на изготовление
     оптоэлектро-                                                                                            микрооптоэлектро-
     механических                                                                                            механических систем
     систем                                                                                                  коммутации и модуляции
                                                                                                             оптического излучения

49.  Разработка         55,008     55,008                                                                    создание базовых технологий
     базовых            ______     ______                                                                    изготовления микросистем
     технологий         36         36                                                                        анализа магнитных полей на
     микросистем                                                                                             основе анизотропного и
     анализа                                                                                                 гигантского
     магнитных полей                                                                                         магниторезистивного
                                                                                                             эффектов, квазимонолитных и
                                                                                                             монолитных гетеромагнитных
                                                                                                             пленочных структур (2008
                                                                                                             год)

50.  Разработка         153,518              39,518    93        21                                          разработка базовых
     базовых            _______              ______    __        __                                          конструкций и комплектов
     конструкций        98,018               22,018    62        14                                          конструкторской
     микросистем                                                                                             документации на
     анализа                                                                                                 магниточувствительные
     магнитных полей                                                                                         микросистемы для применения
                                                                                                             в электронных системах
                                                                                                             управления приводами, в
                                                                                                             датчиках положения и
                                                                                                             потребления, бесконтактных
                                                                                                             переключателях

51.  Разработка         123,525    43,274    80,251                                                          разработка и освоение в
     базовых            _______    ______    ______                                                          производстве базовых
     технологий         80,662     28,45     52,212                                                          технологий изготовления
     радиочастотных                                                                                          радиочастотных микроэлектро-
     микроэлектро-                                                                                           механических систем и
     механических                                                                                            компонентов, включающих
     систем                                                                                                  микрореле, коммутаторы,
                                                                                                             микропереключатели (2009
                                                                                                             год)

52.  Разработка         142,577              35,6      63,477    43,5                                        разработка базовых
     базовых            _______              ____      ______    ____                                        конструкций и комплектов
     конструкций        96                   25        42        29                                          конструкторской
     радиочастотных                                                                                          документации на
     микроэлектро-                                                                                           изготовление радиочастотных
     механических                                                                                            микроэлектромеханических
     систем                                                                                                  систем - компонентов,
                                                                                                             позволяющих получить резкое
                                                                                                             улучшение массогабаритных
                                                                                                             характеристик, повышение
                                                                                                             технологичности и снижение
                                                                                                             стоимости изделий

53.  Разработка         38,915     38,915                                                                    создание методов и средств
     методов и          ______     ______                                                                    контроля и измерения
     средств            22,8       22,8                                                                      параметров и характеристик
     обеспечения                                                                                             изделий микросистемотехники,
     создания и                                                                                              разработка комплектов
     производства                                                                                            стандартов и нормативных
     изделий                                                                                                 документов по безопасности
     микросистемной                                                                                          и экологии
     техники

54.  Разработка         1155                                             345       315      270       225    создание базовых технологий
     перспективных      ____                                             ___       ___      ___       ___    выпуска трехмерных
     технологий и       770                                              230       210      180       150    оптических и
     конструкций                                                                                             акустооптических
     микро-                                                                                                  функциональных элементов,
     оптоэлектро-                                                                                            микрооптоэлектро-
     механических                                                                                            механических систем для
     систем для                                                                                              коммутации и модуляции
     оптической                                                                                              оптического излучения
     аппаратуры,                                                                                             (2012 год), акустооптических
     систем                                                                                                  перестраиваемых фильтров
     отображения                                                                                             (2012 год), двухмерных
     изображений,                                                                                            управляемых матриц
     научных                                                                                                 микрозеркал
     исследований и                                                                                          микропереключателей и
     специальной                                                                                             фазовращателей (2013 год),
     техники                                                                                                 разработка базовых
                                                                                                             технологий, конструкций и
                                                                                                             комплектов, конструкторской
                                                                                                             документации на изготовление
                                                                                                             микрооптоэлектро-
                                                                                                             механических систем
                                                                                                             коммутации и модуляции
                                                                                                             оптического излучения (2015
                                                                                                             год)

55.  Разработка и       1140                                     150     262,5     232,5    270       225    создание методов и средств
     совершенствование  ____                                     ___     _____     _____    ___       ___    контроля и измерения
     методов и средств  760                                      100     175       155      180       150    параметров и характеристик
     контроля,                                                                                               изделий
     испытаний и                                                                                             микросистемотехники,
     аттестации                                                                                              разработка комплектов
     изделий                                                                                                 стандартов и нормативных
     микросистемо-                                                                                           документов по безопасности
     техники                                                                                                 и экологии

56.  Разработка         1170                                             360       315      255       240    создание перспективных
     перспективных      ____                                             ___       ___      ___       ___    технологий изготовления
     технологий и       780                                              240       210      170       160    элементов
     конструкций                                                                                             микроаналитических систем,
     микро-                                                                                                  чувствительных к газовым,
     аналитических                                                                                           химическим и биологическим
     систем для                                                                                              компонентам внешней среды,
     аппаратуры                                                                                              предназначенных для
     контроля и                                                                                              использования в аппаратуре
     обнаружения                                                                                             жилищно-коммунального
     токсичных,                                                                                              хозяйства (2012 год,
     горючих,                                                                                                2013 год, 2014 год)
     взрывчатых и
     наркотических
     веществ

     Всего по           5330,301   476,964   466,233   442,103   465     1050      945      795       690
     направлению 3      ________   _______   _______   _______   ___     ____      ___      ___       ___
                        3490,63    306,9     268,73    285       310     700       630      530       460

                                                     Направление 4. Микроэлектроника

57.  Разработка         308,667    219,3     89,367                                                          разработка комплекта
     технологии и       _______    _____     ______                                                          нормативно-технической
     развитие           178,4      129,5     48,9                                                            документации по
     методологии                                                                                             проектированию изделий
     проектирования                                                                                          микроэлектроники, создание
     изделий                                                                                                 отраслевой базы данных с
     микроэлектроники:                                                                                       каталогами библиотечных
     разработка и                                                                                            элементов и сложно-
     освоение                                                                                                функциональных блоков с
     современной                                                                                             каталогизированными
     технологии                                                                                              результатами аттестации на
     проектирования                                                                                          физическом уровне,
     универсальных                                                                                           разработка комплекта
     микропроцессоров,                                                                                       нормативно-технической и
     процессоров                                                                                             технологической
     обработки                                                                                               документации по
     сигналов, микро-                                                                                        взаимодействию центров
     контроллеров и                                                                                          проектирования в сетевом
     "системы на                                                                                             режиме
     кристалле" на
     основе катало-
     гизированных
     сложнофункцио-
     нальных блоков
     и библиотечных
     элементов, в том
     числе создание
     отраслевой базы
     данных и
     технологических
     файлов для
     автоматизирован-
     ных систем
     проектирования;
     освоение и
     развитие
     технологии
     проектирования
     для обеспечения
     технологичности
     производства
     и стабильного
     выхода годных
     изделий с целью
     размещения
     заказов на
     современной базе
     контрактного
     производства с
     технологическим
     уровнем до
     0,13 мкм

58.  Разработка и       34,569     22,7      11,869                                                          разработка комплекта
     освоение базовой   ______     ____      ______                                                          технологической
     технологии         22,7       14,7      8                                                               документации и
     производства                                                                                            организационно-
     фотошаблонов с                                                                                          распорядительной
     технологическим                                                                                         документации по
     уровнем до                                                                                              взаимодействию центров
     0,13 мкм с целью                                                                                        проектирования и центра
     обеспечения                                                                                             изготовления фотошаблонов
     информационной
     защиты проектов
     изделий
     микроэлектроники
     при использовании
     контрактного
     производства
     (отечественного и
     зарубежного)

59.  Разработка         852,723    350,836   501,887                                                         разработка комплектов
     семейств и серий   _______    _______   _______                                                         документации в стандартах
     изделий            490,2      190,1     300,1                                                           единой системы
     микроэлектроники:                                                                                       конструкторской,
     универсальных                                                                                           технологической и
     микропроцессоров                                                                                        производственной
     для встроенных                                                                                          документации, изготовление
     применений;                                                                                             опытных образцов изделий и
     универсальных                                                                                           организация серийного
     микропроцессоров                                                                                        производства
     для серверов и
     рабочих станций;
     цифровых
     процессоров
     обработки
     сигналов;
     сверхбольших
     интегральных
     схем,
     программируемых
     логических
     интегральных
     схем;
     сверхбольших
     интегральных схем
     быстродействующей
     динамической и
     статической
     памяти;
     микроконтроллеров
     со встроенной
     энергонезависимой
     электрически
     программируемой
     памятью;
     схем интерфейса
     дискретного
     ввода/вывода;
     схем
     аналогового
     интерфейса;
     цифроаналоговых
     и аналого-
     цифровых
     преобразователей
     на частотах выше
     100 МГц с
     разрядностью
     более 8-12
     бит;
     схем приемопере-
     датчиков шинных
     интерфейсов;
     изделий
     интеллектуальной
     силовой микро-
     электроники для
     применения в
     аппаратуре
     промышленного и
     бытового
     назначения;
     встроенных
     интегральных
     источников
     питания

60.  Разработка         2236,828                       1129,878  971,95  135                                 разработка комплектов
     базовых серийных   ________                       ________  ______  ___                                 документации в стандартах
     технологий         1299                           592,3     616,7   90                                  единой системы
     изделий микро-                                                                                          конструкторской,
     электроники:                                                                                            технологической и
     цифроаналоговых                                                                                         производственной
     и аналого-                                                                                              документации, изготовление
     цифровых                                                                                                опытных образцов изделий и
     преобразователей                                                                                        организация серийного
     на частотах выше                                                                                        производства
     100 МГц с
     разрядностью
     более 14-16 бит;
     микроэлектронных
     устройств
     различных типов,
     включая сенсоры
     с применением
     наноструктур и
     биосенсоров;
     сенсоров на
     основе магнито-
     электрических и
     пьезоматериалов;
     встроенных
     интегральных
     антенных
     элементов для
     диапазонов частот
     5 ГГц, 10-12 ГГц;
     систем на
     кристалле, в том
     числе в
     гетероинтеграции
     сенсорных и
     исполнительных
     элементов методом
     беспроводной
     сборки с
     применением
     технологии
     матричных
     жестких выводов

61.  Разработка         545,397    304,9     240,497                                                         разработка комплектов
     технологии и       _______    _____     _______                                                         документации в стандартах
     освоение           308,8      168,3     140,5                                                           единой системы
     производства                                                                                            конструкторской,
     изделий                                                                                                 технологической
     микроэлектроники                                                                                        документации и ввод в
     с технологическим                                                                                       эксплуатацию
     уровнем 0,13 мкм                                                                                        производственной линии

62.  Разработка         939,45                         196       360     154       229,45                    разработка комплектов
     базовой            ______                         ___       ___     ___       ______                    документации в стандартах
     технологии         587,3                          102       240     99        146,3                     единой системы
     формирования                                                                                            конструкторской,
     многослойной                                                                                            технологической и
     разводки                                                                                                производственной
     (7-8 уровней)                                                                                           документации,
     сверхбольших                                                                                            ввод в эксплуатацию
     интегральных                                                                                            производственной линии
     схем на основе
     Al и Cu

63.  Разработка         519,525              235,513   168,512   115,5                                       разработка комплектов
     технологии и       _______              _______   _______   _____                                       документации в стандартах
     организация        288,9                101       110,9     77                                          единой системы
     производства                                                                                            конструкторской,
     многокристальных                                                                                        технологической и
     микроэлектронных                                                                                        производственной
     модулей для                                                                                             документации,
     мобильных                                                                                               ввод в эксплуатацию
     применений с                                                                                            производственной линии
     использованием
     полимерных и
     металлополимерных
     микроплат и
     носителей

64.  Разработка новых   133,8      67        66,8                                                            разработка технологической
     методов            _____      __        ____                                                            и производственной
     технологических    133,8      67        66,8                                                            документации, ввод в
     испытаний изделий                                                                                       эксплуатацию
     микроэлектроники,                                                                                       специализированных участков
     гарантирующих их
     повышенную
     надежность в
     процессе
     долговременной
     (более 100 000
     часов)
     эксплуатации, на
     основе
     использования
     типовых оценочных
     схем и тестовых
     кристаллов

65.  Разработка         243,77     131,9     111,87                                                          разработка комплектов
     современных        ______     _____     ______                                                          документации, включая
     методов анализа    243,77     131,9     111,87                                                          утвержденные отраслевые
     отказов изделий                                                                                         методики, ввод в
     микроэлектроники                                                                                        эксплуатацию
     с применением                                                                                           модернизированных участков
     ультраразрешающих                                                                                       и лабораторий анализа
     методов                                                                                                 отказов
     (ультразвуковая
     гигагерцовая
     микроскопия,
     сканирование
     синхротронным
     излучением,
     атомная и
     туннельная
     силовая
     микроскопия,
     электронно- и
     ионно-лучевое
     зондирование
     и другие)

66.  Разработка         1240,5                                           310       380      310       240,5  создание технологии
     базовых            ______                                           ___       ___      ___       _____  сверхбольших интегральных
     субмикронных       800                                              200       245      200       155    схем;
     технологий                                                                                              создание базовой технологии
     уровней                                                                                                 формирования многослойной
     0,065 - 0,045 мкм                                                                                       разводки сверхбольших
                                                                                                             интегральных схем
                                                                                                             топологического уровня
                                                                                                             0,065 - 0,045 мкм (2015
                                                                                                             год), освоение и развитие
                                                                                                             технологии проектирования и
                                                                                                             изготовления для
                                                                                                             обеспечения технологичности
                                                                                                             производства и стабильного
                                                                                                             выхода годных изделий, а
                                                                                                             также с целью размещения
                                                                                                             заказов на современной базе
                                                                                                             контрактного производства с
                                                                                                             технологическим уровнем до
                                                                                                             0,045 мкм, разработка
                                                                                                             комплекта технологической
                                                                                                             документации и
                                                                                                             организационно-
                                                                                                             распорядительной
                                                                                                             документации по
                                                                                                             взаимодействию центров

67.  Исследование       1424,45                                          383       383,45   368       290    создание технологии
     технологических    _______                                          ___       ______   ___       ___    сверхбольших интегральных
     процессов и        915,7                                            245       245,7    235       190    схем технологических
     структур для                                                                                            уровней 65-45 нм,
     субмикронных                                                                                            организация опытного
     технологий                                                                                              производства и исследование
     уровней 0,032 мкм                                                                                       технологических уровней
                                                                                                             0,032 мкм (2015 год)

68.  Разработка         1479,55                                  166,05  402,7     355      317,5     238,3  создание технологий и
     перспективных      _______                                  ______  _____     ___      _____     _____  конструкций перспективных
     технологий и       959,7                                    110,7   261,8     230      205       152,2  изделий интеллектуальной
     конструкций                                                                                             силовой микроэлектроники
     изделий                                                                                                 для применения в аппаратуре
     интеллектуальной                                                                                        промышленного и бытового
     силовой                                                                                                 назначения;
     электроники для                                                                                         создание встроенных
     применения в                                                                                            интегральных источников
     аппаратуре                                                                                              питания (2013-2015 годы)
     бытового и
     промышленного
     применения, на
     транспорте, в
     топливно-
     энергетическом
     комплексе и в
     специальных
     системах

69.  Разработка         1730,6                                   300     356,4     205      455       414,2  разработка перспективной
     перспективных      ______                                   ___     _____     ___      ___       _____  технологии многокристальных
     технологий сборки  1100                                     200     224,2     123      290       262,8  микроэлектронных модулей
     сверхбольших                                                                                            для мобильных применений с
     интегральных схем                                                                                       использованием полимерных и
     в многовыводные                                                                                         металлополимерных микроплат
     корпуса, в том                                                                                          и носителей (2015 год)
     числе корпуса с
     матричным
     расположением
     выводов и
     технологий
     многокристальной
     сборки, включая
     создание "систем
     в корпусе"

     Всего по           11689,829  1096,636  1257,803  1494,39   1913,5  1741,1    1552,9   1450,5    1183
     направлению 4      _________  ________  ________  _______   ______  ______    ______   ______    ____
                        7328,27    701,5     777,17    805,2     1244,4  1120      990      930       760

                                            Направление 5. Электронные материалы и структуры

70.  Разработка         78         51        27                                                              внедрение новых
     технологии         __         __        __                                                              диэлектрических материалов
     производства       49         32        17                                                              на основе ромбоэдрической
     новых                                                                                                   модификации нитрида бора и
     диэлектрических                                                                                         подложек из
     материалов                                                                                              поликристаллического алмаза
     на основе                                                                                               с повышенной
     ромбоэдрической                                                                                         теплопроводностью и
     модификации                                                                                             электропроводностью для
     нитрида бора и                                                                                          создания нового поколения
     подложек из                                                                                             высокоэффективных и надежных
     поликристал-                                                                                            сверхвысокочастотных
     лического алмаза                                                                                        приборов

71.  Разработка         93,663                         46,233    47,43                                       создание технологии
     технологии         ______                         ______    _____                                       производства
     производства       54,24                          22,62     31,62                                       гетероэпитаксиальных
     гетероэпитакси-                                                                                         структур и структур
     альных структур и                                                                                       гетеробиполярных
     структур                                                                                                транзисторов на основе
     гетеробиполярных                                                                                        нитридных соединений А В
     транзисторов на                                                                                                               3 5
     основе нитридных                                                                                        для обеспечения разработок
     соединений А В                                                                                          и изготовления
                 3 5                                                                                         сверхвысокочастотных
     для мощных                                                                                              монолитных интегральных
     полупроводниковых                                                                                       схем и мощных транзисторов
     приборов и                                                                                              (2011 год)
     сверхвысоко-
     частотных
     монолитных
     интегральных схем

72.  Разработка         78,047     50,147    27,9                                                            создание базовой технологии
     базовой            ______     ______    ____                                                            производства гетероструктур
     технологии         49,8       32        17,8                                                            и псевдоморфных структур на
     производства                                                                                            подложках InP для
     метаморфных                                                                                             перспективных
     структур на                                                                                             полупроводниковых приборов
     основе GaAs и                                                                                           и сверхвысокочастотных
     псевдоморфных                                                                                           монолитных интегральных схем
     структур на                                                                                             диапазона 60-90 ГГц
     подложках InP                                                                                           (2009 год)
     для приборов
     сверхвысоко-
     частотной
     электроники
     диапазона
     60-90 ГГц

73.  Разработка         132,304                        33,304    45      54                                  создание спинэлектронных
     технологии         _______                        ______    __      __                                  магнитных материалов и
     производства       82                             16        30      36                                  микроволновых структур со
     спинэлектронных                                                                                         спиновым управлением для
     магнитных                                                                                               создания перспективных
     материалов,                                                                                             микроволновых
     радиопоглощающих                                                                                        сверхвысокочастотных
     и мелкодисперсных                                                                                       приборов повышенного
     ферритовых                                                                                              быстродействия и низкого
     материалов для                                                                                          энергопотребления
     сверхвысоко-
     частотных
     приборов

74.  Разработка         76,4       50,1      26,3                                                            создание технологии
     технологии         ____       ____      ____                                                            массового производства
     производства       47,3       31        16,3                                                            высокочистых химических
     высокочистых                                                                                            материалов (аммиака,
     химических                                                                                              арсина, фосфина,
     материалов                                                                                              тетрахлорида кремния) для
     (аммиака, арсина,                                                                                       выпуска полупроводниковых
     фосфина,                                                                                                подложек нитрида галлия,
     тетрахлорида                                                                                            арсенида галлия, фосфида
     кремния) для                                                                                            индия, кремния и
     обеспечения                                                                                             гетероэпитаксиальных
     производства                                                                                            структур на их основе
     полупроводниковых                                                                                       (2009 год)
     подложек нитрида
     галлия, арсенида
     галлия, фосфида
     индия, кремния и
     гетероэпитак-
     сиальных структур
     на их основе

75.  Разработка         62,07                          12        35,07   15                                  создание технологии
     технологии         _____                          __        _____   __                                  производства
     производства       45,38                          12        23,38   10                                  поликристаллических алмазов
     поликристалличес-                                                                                       и его пленок для мощных
     ких алмазов                                                                                             сверхвысокочастотных
     и их пленок для                                                                                         приборов (2012 год)
     теплопроводных
     конструкций
     мощных выходных
     транзисторов и
     сверхвысоко-
     частотных
     приборов

76.  Исследование       57         36        21                                                              создание технологии
     путей и            __         __        __                                                              изготовления новых
     разработка         38         24        14                                                              микроволокон на основе
     технологии                                                                                              двухмерных диэлектрических
     изготовления                                                                                            и металлодиэлектрических
     новых                                                                                                   микро- и наноструктур для
     микроволокон на                                                                                         новых классов
     основе двухмерных                                                                                       микроструктурных приборов,
     диэлектрических                                                                                         магниторезисторов,
     и металлоди-                                                                                            осцилляторов, устройств
     электрических                                                                                           оптоэлектроники (2009 год)
     микро- и
     наноструктур, а
     также полу-
     проводниковых
     нитей с
     наноразмерами при
     вытяжке
     стеклянного
     капилляра,
     заполненного
     жидкой фазой
     полупроводника

77.  Разработка         64,048               4,5       32,548    27                                          создание базовой пленочной
     технологии         ______               ___       ______    __                                          технологии пьезокерамических
     выращивания слоев  39                   3         18        18                                          элементов, совместимой с
     пьезокерамики на                                                                                        комплементарной металло-
     кремниевых                                                                                              оксидной полупроводниковой
     подложках для                                                                                           технологией для разработки
     формирования                                                                                            нового класса активных
     комплексированных                                                                                       пьезокерамических
     устройств                                                                                               устройств, интегрированных
     микросистемной                                                                                          с микросистемами (2011 год)
     техники

78.  Разработка         63,657     42,657    21                                                              создание технологии
     методологии и      ______     ______    __                                                              травления и изготовления
     базовых            38         24        14                                                              кремниевых трехмерных
     технологий                                                                                              базовых элементов
     создания                                                                                                микроэлектромеханических
     многослойных                                                                                            систем с использованием
     кремниевых                                                                                              "жертвенных" и "стопорных"
     структур с                                                                                              слоев для серийного
     использованием                                                                                          производства элементов
     "жертвенных" и                                                                                          микроэлектромеханических
     "стопорных"                                                                                             систем (2009 год)
     диффузионных и                                                                                          кремниевых структур с
     диэлектрических                                                                                         использованием силикатных
     слоев для                                                                                               стекол, моно-,
     производства                                                                                            поликристаллического и
     силовых приборов                                                                                        пористого кремния и
     и элементов                                                                                             диоксида кремния
     микроэлектро-
     механических
     систем

79.  Разработка         45,85                          29,35     16,5                                        создание технологии
     базовых            _____                          _____     ____                                        получения алмазных
     технологий         22                             11        11                                          полупроводниковых
     получения                                                                                               наноструктур и
     алмазных                                                                                                наноразмерных органических
     полупроводниковых                                                                                       покрытий, алмазных
     наноструктур и                                                                                          полупроводящих пленок для
     наноразмерных                                                                                           конкурентоспособных
     органических                                                                                            высокотемпературных и
     покрытий с                                                                                              радиационно стойких
     широким                                                                                                 устройств и приборов
     диапазоном                                                                                              двойного назначения
     функциональных                                                                                          (2011 год)
     свойств

80.  Исследование и     136,716    57,132    79,584                                                          создание технологии
     разработка         _______    ______    ______                                                          изготовления гетероструктур
     технологии роста   88,55      38        50,55                                                           и эпитаксиальных структур
     эпитаксиальных                                                                                          на основе нитридов для
     слоев карбида                                                                                           создания радиационно
     кремния, структур                                                                                       стойких
     на основе                                                                                               сверхвысокочастотных и
     нитридов, а также                                                                                       силовых приборов нового
     формирования                                                                                            поколения (2009 год)
     изолирующих и
     коммутирующих
     слоев в приборах
     экстремальной
     электроники

81.  Разработка         159,831    52        107,831                                                         создание технологии
     технологии         _______    __        _______                                                         производства структур
     производства       90         35        55                                                              "кремний на сапфире"
     радиационно                                                                                             диаметром до 150 мм с
     стойких                                                                                                 толщиной приборного слоя до
     сверхбольших                                                                                            0,1 мкм и топологическими
     интегральных                                                                                            нормами до 0,18 мкм для
     схем на                                                                                                 производства электронной
     ультратонких                                                                                            компонентной базы
     гетероэпитакси-                                                                                         специального и двойного
     альных структурах                                                                                       назначения (2009 год)
     кремния на
     сапфировой
     подложке для
     производства
     электронной
     компонентной базы
     специального и
     двойного
     назначения

82.  Разработка         138,549    54        84,549                                                          создание технологии
     технологии         _______    __        ______                                                          производства радиационно
     производства       89,7       36        53,7                                                            облученного кремния и
     высокоомного                                                                                            пластин кремния до 150 мм
     радиационно                                                                                             для выпуска мощных
     облученного                                                                                             транзисторов и сильноточных
     кремния, слитков                                                                                        тиристоров нового поколения
     и пластин кремния                                                                                       (2009 год)
     диаметром до
     150 мм для
     производства
     силовых
     полупроводниковых
     приборов

83.  Разработка         90,4       38,5      51,9                                                            разработка и промышленное
     технологии         ____       ____      ____                                                            освоение получения
     производства       58,9       24        34,9                                                            высококачественных подложек
     кремниевых                                                                                              и структур для
     подложек и                                                                                              использования в
     структур для                                                                                            производстве силовых
     силовых                                                                                                 полупроводниковых приборов,
     полупроводниковых                                                                                       с глубокими
     приборов с                                                                                              высоколегированными слоями
     глубокими                                                                                               и скрытыми слоями носителей
     высоколегирован-                                                                                        с повышенной рекомбинацией
     ными слоями р- и                                                                                        (2009 год)
     n-типов
     проводимости и
     скрытыми слоями
     носителей с
     повышенной
     рекомбинацией

84.  Разработка         220,764    73,964    146,8                                                           создание технологии
     технологии         _______    ______    _____                                                           производства пластин
     производства       162        48        114                                                             кремния диаметром до 200 мм
     электронного                                                                                            и эпитаксиальных структур
     кремния,                                                                                                уровня 0,25 - 0,18 мкм
     кремниевых                                                                                              (2009 год)
     пластин диаметром
     до 200 мм и
     кремниевых
     эпитаксиальных
     структур уровня
     технологии
     0,25 - 0,18 мкм

85.  Разработка         266,35                         81,85     124,5   30        30                        разработка технологии
     методологии,       ______                         _____     _____   __        __                        корпусирования интегральных
     конструктивно-     161                            38        83      20        20                        схем и полупроводниковых
     технических                                                                                             приборов на основе
     решений и                                                                                               использования многослойных
     перспективной                                                                                           кремниевых структур со
     базовой                                                                                                 сквозными токопроводящими
     технологии                                                                                              каналами, обеспечивающей
     корпусирования                                                                                          сокращение состава
     интегральных схем                                                                                       сборочных операций и
     и полупроводнико-                                                                                       формирование трехмерных
     вых приборов на                                                                                         структур (2013 год)
     основе
     использования
     многослойных
     кремниевых
     структур со
     сквозными
     токопроводящими
     каналами

86.  Разработка         230,141                        35,141    135     30        30                        создание базовой технологии
     технологии         _______                        ______    ___     __        __                        производства гетероструктур
     производства       143                            13        90      20        20                        SiGe для выпуска
     гетероструктур                                                                                          быстродействующих
     SiGe для                                                                                                сверхбольших интегральных
     разработки                                                                                              схем с топологическими
     сверхбольших                                                                                            нормами 0,25 - 0,18 мкм
     интегральных схем                                                                                       (2011 год, 2013 год)
     с топологическими
     нормами
     0,25 - 0,18 мкм

87.  Разработка         46,745     28,745    18                                                              создание технологии
     технологии         ______     ______    __                                                              выращивания и обработки
     выращивания и      34         22        12                                                              пьезоэлектрических
     обработки, в                                                                                            материалов
     том числе                                                                                               акустоэлектроники и
     плазмохимической,                                                                                       акустооптики для
     новых пьезо-                                                                                            обеспечения производства
     электрических                                                                                           широкой номенклатуры
     материалов для                                                                                          акустоэлектронных устройств
     акустоэлектроники                                                                                       нового поколения (2009 год)
     и акустооптики

88.  Разработка         93,501                         24,001    33      23        13,5                      создание технологии
     технологий         ______                         ______    __      __        ____                      массового производства
     производства       58                             12        22      15        9                         исходных материалов и
     соединений                                                                                              структур для перспективных
     А В  и тройных                                                                                          приборов лазерной и
      3 5                                                                                                    оптоэлектронной техники, в
     структур для:                                                                                           том числе:
     производства                                                                                            производства сверхмощных
     сверхмощных                                                                                             лазерных диодов (2010 год);
     лазерных диодов;                                                                                        высокоэффективных
     высокоэффективных                                                                                       светодиодов белого,
     светодиодов                                                                                             зеленого, синего и
     белого, зеленого,                                                                                       ультрафиолетового
     синего и                                                                                                диапазонов (2011 год);
     ультрафиолетового                                                                                       фотоприемников среднего
     диапазонов;                                                                                             инфракрасного диапазона
     фотоприемников                                                                                          (2013 год)
     среднего
     инфракрасного
     диапазона

89.  Исследование и     45,21      30,31     14,9                                                            создание технологии
     разработка         _____      _____     ____                                                            производства принципиально
     технологии         30         22        8                                                               новых материалов
     получения                                                                                               полупроводниковой
     гетероструктур с                                                                                        электроники на основе
     вертикальными                                                                                           сложных композиций для
     оптическими                                                                                             перспективных приборов
     резонаторами на                                                                                         лазерной и оптоэлектронной
     основе квантовых                                                                                        техники (2009 год)
     ям и квантовых
     точек для
     производства
     вертикально
     излучающих
     лазеров для
     устройств
     передачи
     информации и
     матриц для
     оптоэлектронных
     переключателей
     нового поколения

90.  Разработка         32,305                         24,805    7,5                                         создание технологии
     технологии         ______                         ______    ___                                         производства компонентов
     производства       17                             12        5                                           для специализированных
     современных                                                                                             электронно-лучевых
     компонентов для                                                                                         (2010 год),
     специализирован-                                                                                        электронно-оптических и
     ных фото-                                                                                               отклоняющих систем
     электронных                                                                                             (2010 год),
     приборов, в том                                                                                         стеклооболочек и деталей из
     числе:                                                                                                  электровакуумного стекла
     катодов и                                                                                               различных марок (2011 год)
     газопоглотителей;
     электронно-
     оптических и
     отклоняющих
     систем;
     стеклооболочек и
     деталей из
     электровакуумного
     стекла различных
     марок

91.  Разработка         39,505     27,505    12                                                              создание технологии
     технологии         ______     ______    __                                                              производства особо тонких
     производства       32         20        12                                                              гетерированных
     особо тонких                                                                                            нанопримесями
     гетерированных                                                                                          полупроводниковых структур
     нанопримесями                                                                                           для изготовления
     полупроводниковых                                                                                       высокоэффективных
     структур для                                                                                            фотокатодов электронно-
     высокоэффективных                                                                                       оптических преобразователей
     фотокатодов,                                                                                            и фотоэлектронных
     электронно-                                                                                             умножителей, приемников
     оптических                                                                                              инфракрасного диапазона,
     преобразователей                                                                                        солнечных элементов и
     и фотоэлектронных                                                                                       других приложений (2009 год)
     умножителей,
     приемников
     инфракрасного
     диапазона и
     солнечных
     элементов с
     высокими
     значениями
     коэффициента
     полезного
     действия

92.  Разработка         42,013                         24,013    18                                          создание технологии
     базовой            ______                         ______    __                                          монокристаллов AlN для
     технологии         24                             12        12                                          изготовления изолирующих и
     производства                                                                                            проводящих подложек для
     монокристаллов                                                                                          создания полупроводниковых
     AlN для                                                                                                 высокотемпературных и
     изготовления                                                                                            мощных сверхвысокочастотных
     изолирующих и                                                                                           приборов нового поколения
     проводящих                                                                                              (2011 год)
     подложек для
     гетероструктур

93.  Разработка         44,559     29,694    14,905                                                          создание базовой технологии
     базовой            ______     ______    ______                                                          вакуумно-плотной
     технологии         29,2       19,85     9,35                                                            спецстойкой керамики из
     производства                                                                                            нанокристаллических порошков
     наноструктури-                                                                                          и нитридов металлов для
     рованных оксидов                                                                                        промышленного освоения
     металлов (корунда                                                                                       спецстойких приборов нового
     и т. п.) для                                                                                            поколения (2009 год), в
     производства                                                                                            том числе микрочипов,
     вакуумно-плотной                                                                                        сверхвысокочастотных
     нанокерамики, в                                                                                         аттенюаторов, RLC-матриц, а
     том числе с                                                                                             также особо прочной
     заданными                                                                                               электронной компонентной
     оптическими                                                                                             базы оптоэлектроники и
     свойствами                                                                                              фотоники

94.  Разработка         25,006                         22,006    3                                           создание технологии
     базовой            ______                         ______    _                                           производства полимерных и
     технологии         13                             11        2                                           композиционных материалов с
     производства                                                                                            использованием
     полимерных и                                                                                            поверхностной и объемной
     гибридных органо-                                                                                       модификации полимеров
     неорганических                                                                                          наноструктурированными
     наноструктуриро-                                                                                        наполнителями для создания
     ванных защитных                                                                                         изделий с высокой
     материалов для                                                                                          механической, термической и
     электронных                                                                                             радиационной стойкостью при
     компонентов                                                                                             работе в условиях длительной
     нового поколения                                                                                        эксплуатации и воздействии
     прецизионных и                                                                                          комплекса специальных
     сверхвысоко-                                                                                            внешних факторов (2011 год)
     частотных
     резисторов,
     терминаторов,
     аттенюаторов и
     резисторно-
     индукционно-
     емкостных матриц,
     стойких к
     воздействию
     комплекса
     специальных
     внешних факторов

95.  Исследование и     1395,5                                   225     269       309      322,5     270    создание базовой технологии
     разработка         ______                                   ___     ___       ___      _____     ___    производства гетероструктур,
     перспективных      930                                      150     179       206      215       180    структур и псевдоморфных
     гетероструктурных                                                                                       структур на подложках InP
     и наноструктури-                                                                                        для перспективных
     рованных                                                                                                полупроводниковых приборов
     материалов                                                                                              и сверхвысокочастотных
     с экстремальными                                                                                        монолитных интегральных
     характеристиками                                                                                        схем диапазона 60-90 ГГц
     для перспективных                                                                                       (2012 год), создание
     электронных                                                                                             технологии получения
     приборов и                                                                                              алмазных полупроводниковых
     радиоэлектронной                                                                                        наноструктур и наноразмерных
     аппаратуры                                                                                              органических покрытий
     специального                                                                                            (2013 год), алмазных
     назначения                                                                                              полупроводящих пленок для
                                                                                                             конкурентоспособных
                                                                                                             высокотемпературных и
                                                                                                             радиационно стойких
                                                                                                             устройств и приборов
                                                                                                             двойного назначения,
                                                                                                             создание технологии
                                                                                                             изготовления гетероструктур
                                                                                                             и эпитаксиальных структур
                                                                                                             на основе нитридов
                                                                                                             (2015 год)

96.  Исследование и     1395                                             435       382,5    277,5     300    создание нового класса
     разработка         ____                                             ___       _____    _____     ___    конструкционных и
     экологически       930                                              290       255      185       200    технологических материалов
     чистых материалов                                                                                       для уровней технологии
     и методов их                                                                                            0,065 - 0,032 мкм и
     использования в                                                                                         обеспечения высокого
     производстве                                                                                            процента выхода годных
     электронной                                                                                             изделий, экологических
     компонентной                                                                                            требований по международным
     базы и                                                                                                  стандартам (2012 год,
     радиоаппаратуры,                                                                                        2015 год)
     включая
     бессвинцовые
     композиции для
     сборки

97.  Разработка         1379                                             404       367,5    307,5     300    создание перспективных
     перспективных      ____                                             ___       _____    _____     ___    технологий производства
     технологий         920                                              270       245      205       200    компонентов для
     получения                                                                                               специализированных
     ленточных                                                                                               электронно-лучевых,
     материалов                                                                                              электронно-оптических и
     (полимерные,                                                                                            отклоняющих систем,
     металлические,                                                                                          стеклооболочек и деталей из
     плакированные и                                                                                         электровакуумного стекла
     другие) для                                                                                             различных марок (2013 год),
     радиоэлектронной                                                                                        создание технологии
     аппаратуры и                                                                                            производства полимерных и
     сборочных                                                                                               композиционных материалов с
     операций                                                                                                использованием
     электронной                                                                                             поверхностной и объемной
     компонентной базы                                                                                       модификации полимеров
                                                                                                             наноструктурированными
                                                                                                             наполнителями (2015 год)

     Всего по           6532,174   621,754   658,169   365,251   717     1260      1132,5   907,5     870
     направлению 5      ________   _______   _______   _______   ___     ____      ______   _____     ___
                        4275,07    407,85    431,6     177,62    478     840       755      605       580

                                      Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

98.  Разработка         30,928     18        12,928                                                          разработка расширенного
     технологии         ______     __        ______                                                          ряда резонаторов с
     выпуска            20         12        8                                                               повышенной кратковременной
     прецизионных                                                                                            и долговременной
     температуро-                                                                                            стабильностью для создания
     стабильных                                                                                              контрольной аппаратуры и
     высокочастотных                                                                                         техники связи двойного
     до 1,5 - 2 ГГц                                                                                          назначения
     резонаторов
     на поверхностно
     акустических
     волнах до 1,5 ГГц
     с полосой до 70
     процентов и
     длительностью
     сжатого сигнала
     до 2-5 нс

99.  Разработка в       78,5                 32        33        13,5                                        создание технологии и
     лицензируемых      ____                 __        __        ____                                        конструкции
     и нелицензируемых  45                   14        22        9                                           акустоэлектронных пассивных
     международных                                                                                           и активных меток-
     частотных                                                                                               транспондеров для
     диапазонах                                                                                              применения в логистических
     860 МГц и                                                                                               приложениях на транспорте,
     2,45 ГГц ряда                                                                                           в торговле и промышленности
     радиочастотных                                                                                          (2010 год, 2011 год)
     пассивных и
     активных
     акустоэлектронных
     меток-
     транспондеров, в
     том числе
     работающих в
     реальной
     помеховой
     обстановке, для
     систем
     радиочастотной
     идентификации и
     систем управления
     доступом

100. Разработка         30,5       17        13,5                                                            создание технологии
     базовой            ____       __        ____                                                            проектирования и базовых
     конструкции и      19,5       11        8,5                                                             конструкций
     промышленной                                                                                            пьезоэлектрических фильтров
     технологии                                                                                              в малогабаритных корпусах
     производства                                                                                            для поверхностного монтажа
     пьезокерамических                                                                                       при изготовлении техники
     фильтров в                                                                                              связи массового применения
     корпусах для                                                                                            (2009 год)
     поверхностного
     монтажа

101. Разработка         37,73      37,73                                                                     создание базовой технологии
     технологии         _____      _____                                                                     акустоэлектронных приборов
     проектирования,    23         23                                                                        для перспективных систем
     базовой                                                                                                 связи, измерительной и
     технологии                                                                                              навигационной аппаратуры
     производства и                                                                                          нового поколения:
     конструирования                                                                                         подвижных, спутниковых,
     акустоэлектронных                                                                                       тропосферных и
     устройств нового                                                                                        радиорелейных линий связи,
     поколения и                                                                                             цифрового интерактивного
     фильтров                                                                                                телевидения,
     промежуточной                                                                                           радиоизмерительной
     частоты с                                                                                               аппаратуры,
     высокими                                                                                                радиолокационных станций,
     характеристиками                                                                                        спутниковых навигационных
     для современных                                                                                         систем (2008 год)
     систем связи,
     включая
     высокоизбира-
     тельные
     высокочастотные
     устройства
     частотной
     селекции на
     поверхностных и
     приповерхностных
     волнах и волнах
     Гуляева-Блюштейна
     с предельно
     низким уровнем
     вносимого
     затухания для
     частотного
     диапазона до
     5 ГГц

102. Разработка         97,416               35,001    62,415                                                создание технологии
     технологии         ______               ______    ______                                                производства
     проектирования и   60,9                 22        38,9                                                  высокоинтегрированной
     базовой                                                                                                 электронной компонентной
     технологии                                                                                              базы типа "система в
     производства                                                                                            корпусе" для вновь
     функциональных                                                                                          разрабатываемых и
     законченных                                                                                             модернизируемых сложных
     устройств                                                                                               радиоэлектронных систем и
     стабилизации,                                                                                           комплексов (2010 год)
     селекции частоты
     и обработки
     сигналов типа
     "система в
     корпусе"

103. Разработка         63                                       21      21        21                        создание базовой технологии
     базовой            __                                       __      __        __                        и базовой конструкции
     конструкции и      42                                       14      14        14                        микроминиатюрных
     технологии                                                                                              высокодобротных фильтров
     изготовления                                                                                            для малогабаритной и
     высокочастотных                                                                                         носимой аппаратуры
     резонаторов и                                                                                           навигации и связи (2013 год)
     фильтров на
     объемных
     акустических
     волнах для
     телекоммуника-
     ционных и
     навигационных
     систем

104. Разработка         35         35                                                                        создание нового поколения
     технологии и       __         __                                                                        оптоэлектронных приборов
     базовой            23         23                                                                        для обеспечения задач
     конструкции                                                                                             предотвращения аварий и
     фоточувствитель-                                                                                        контроля
     ных приборов
     с матричными
     приемниками
     высокого
     разрешения для
     видимого и
     ближнего
     инфракрасного
     диапазона для
     аппаратуры
     контроля
     изображений

105. Разработка         35,309     16,009    19,3                                                            создание базовой технологии
     базовой            ______     ______    ____                                                            нового поколения приборов
     технологии         21,9       10        11,9                                                            контроля тепловых полей для
     унифицированных                                                                                         задач теплоэнергетики,
     электронно-                                                                                             медицины, поисковой и
     оптических                                                                                              контрольной аппаратуры на
     преобразователей,                                                                                       транспорте,
     микроканальных                                                                                          продуктопроводах и в
     пластин,                                                                                                охранных системах (2009 год)
     пироэлектрических
     матриц и камер на
     их основе с
     чувствительностью
     до 0,1 К и
     широкого
     инфракрасного
     диапазона

106. Разработка         82         45        37                                                              создание базовой технологии
     базовой            __         __        __                                                              (2008 год) и конструкции
     технологии         53         30        23                                                              новых типов приборов,
     создания                                                                                                сочетающих фотоэлектронные
     интегрированных                                                                                         и твердотельные технологии,
     гибридных                                                                                               с целью получения
     фотоэлектронных                                                                                         экстремально достижимых
     высокочувстви-                                                                                          характеристик для задач
     тельных и                                                                                               контроля и наблюдения в
     высокоразрешающих                                                                                       системах двойного
     приборов и                                                                                              назначения
     усилителей для
     задач
     космического
     мониторинга и
     специальных
     систем
     наблюдения,
     научной и
     метрологической
     аппаратуры

107. Разработка         96,537     48,136    48,401                                                          создание базовой технологии
     базовых            ______     ______    ______                                                          (2008 год) и конструкций
     технологий мощных  64         30        34                                                              принципиально новых мощных
     полупроводниковых                                                                                       диодных лазеров,
     лазерных диодов                                                                                         предназначенных для
     (непрерывного и                                                                                         широкого применения в
     импульсного                                                                                             изделиях двойного
     излучения),                                                                                             назначения, медицины,
     специализирован-                                                                                        полиграфического
     ных лазерных                                                                                            оборудования и системах
     полупроводниковых                                                                                       открытой оптической связи
     диодов,
     фотодиодов и
     лазерных
     волоконно-
     оптических
     модулей для
     создания
     аппаратуры и
     систем нового
     поколения

108. Разработка и       56,5                 16        30        10,5                                        разработка базового
     освоение базовых   ____                 __        __        ____                                        комплекта основных
     технологий для     37                   10        20        7                                           оптоэлектронных компонентов
     лазерных                                                                                                для лазерных гироскопов
     навигационных                                                                                           широкого применения
     приборов, включая                                                                                       (2010 год), создание
     интегральный                                                                                            комплекса технологий
     оптический модуль                                                                                       обработки и формирования
     лазерного                                                                                               структурных и приборных
     гироскопа на базе                                                                                       элементов, оборудования
     сверхмалогабарит-                                                                                       контроля и аттестации,
     ных кольцевых                                                                                           обеспечивающих новый
     полупроводниковых                                                                                       уровень технико-
     лазеров                                                                                                 экономических показателей
     инфракрасного                                                                                           производства
     диапазона,
     оптоэлектронные
     компоненты для
     широкого класса
     инерциальных
     лазерных систем
     управления
     движением
     гражданских и
     специальных
     средств
     транспорта

109. Разработка         22         22                                                                        создание базовой технологии
     базовых            __         __                                                                        твердотельных чип-лазеров
     конструкций и      15         15                                                                        для лазерных дальномеров,
     технологий                                                                                              твердотельных лазеров с
     создания                                                                                                пикосекундными
     квантово-                                                                                               длительностями импульсов
     электронных                                                                                             для установок по
     приемопередающих                                                                                        прецизионной обработке
     модулей для                                                                                             композитных материалов, для
     малогабаритных                                                                                          создания элементов и
     лазерных                                                                                                изделий микромашиностроения
     дальномеров                                                                                             и в производстве электронной
     нового поколения                                                                                        компонентной базы нового
     на основе                                                                                               поколения, мощных лазеров
     твердотельных                                                                                           для применения в
     чип-лазеров с                                                                                           машиностроении,
     полупроводниковой                                                                                       авиастроении,
     накачкой,                                                                                               автомобилестроении,
     технологических                                                                                         судостроении, в составе
     лазерных                                                                                                промышленных технологических
     установок                                                                                               установок обработки и
     широкого                                                                                                сборки, систем
     спектрального                                                                                           экологического мониторинга
     диапазона                                                                                               окружающей среды, контроля
                                                                                                             выбросов патогенных веществ,
                                                                                                             контроля утечек в
                                                                                                             продуктопроводах (2008 год,
                                                                                                             2009 год)

110. Разработка         66,305     56,27     10,035                                                          создание технологии
     базовых            ______     _____     ______                                                          получения широкоапертурных
     технологий         43         37        6                                                               элементов на основе
     формирования                                                                                            алюмоиттриевой легированной
     конструктивных                                                                                          керамики композитных
     узлов и блоков                                                                                          составов для лазеров с
     для лазеров                                                                                             диодной накачкой (2008 год),
     нового поколения                                                                                        высокоэффективных
     и технологии                                                                                            преобразователей частоты
     создания полного                                                                                        лазерного излучения,
     комплекта                                                                                               организация промышленного
     электронной                                                                                             выпуска оптических изделий
     компонентной базы                                                                                       и лазерных элементов
     для производства                                                                                        широкой номенклатуры
     лазерного
     устройства
     определения
     наличия опасных,
     взрывчатых,
     отравляющих и
     наркотических
     веществ в
     контролируемом
     пространстве

111. Разработка         35         17        18                                                              разработка расширенной
     базовых            __         __        __                                                              серии низковольтных
     технологий,        35         17        18                                                              катодолюминесцентных и
     базовой                                                                                                 других дисплеев с широким
     конструкции и                                                                                           диапазоном эргономических
     организация                                                                                             характеристик и свойств по
     производства                                                                                            условиям применения для
     интегрированных                                                                                         информационных и
     катодолюмине-                                                                                           контрольных систем
     сцентных и других
     дисплеев двойного
     назначения со
     встроенным
     микроэлектронным
     управлением

112. Разработка         38,354     23,73     14,624                                                          создание ряда принципиально
     технологии и       ______     _____     ______                                                          новых светоизлучающих
     базовых            29         16        13                                                              приборов с минимальными
     конструкций                                                                                             геометрическими размерами,
     высокояркостных                                                                                         высокой надежностью и
     светодиодов                                                                                             устойчивостью к механическим
     и индикаторов                                                                                           и климатическим
     основных цветов                                                                                         воздействиям, обеспечивающих
     свечения для                                                                                            энергосбережение за счет
     систем подсветки                                                                                        замены ламп накаливания в
     в приборах нового                                                                                       системах подсветки
     поколения                                                                                               аппаратуры и освещения

113. Разработка         100,604              21,554    61,05     18                                          создание базовой технологии
     базовой            _______              ______    _____     __                                          производства нового
     технологии и       59                   10        37        12                                          поколения оптоэлектронной
     конструкции                                                                                             высокоэффективной и
     оптоэлектронных                                                                                         надежной электронной
     приборов                                                                                                компонентной базы для
     (оптроны,                                                                                               промышленного оборудования
     оптореле,                                                                                               и систем связи (2010 год,
     светодиоды) в                                                                                           2011 год)
     миниатюрных
     корпусах для
     поверхностного
     монтажа

114. Разработка         51,527     24        27,527                                                          создание технологии новых
     схемотехнических   ______     __        ______                                                          классов носимой и
     решений и          33,5       16        17,5                                                            стационарной аппаратуры,
     унифицированных                                                                                         экранов отображения
     базовых                                                                                                 информации коллективного
     конструкций и                                                                                           пользования повышенных
     технологий                                                                                              емкости и формата (2009 год)
     формирования
     твердотельных
     видеомодулей на
     полупроводниковых
     светоизлучающих
     структурах для
     носимой
     аппаратуры,
     экранов
     индивидуального и
     коллективного
     пользования с
     бесшовной
     стыковкой

115. Разработка         57,304     31,723    25,581                                                          создание технологии
     базовой            ______     ______    ______                                                          массового производства
     технологии         37         20        17                                                              солнечных элементов для
     изготовления                                                                                            индивидуального и
     высокоэффективных                                                                                       коллективного использования
     солнечных                                                                                               в труднодоступных районах,
     элементов на базе                                                                                       развития солнечной
     использования                                                                                           энергетики в жилищно-
     кремния,                                                                                                коммунальном хозяйстве для
     полученного по                                                                                          обеспечения задач
     "бесхлоридной"                                                                                          энергосбережения (2009 год)
     технологии и
     технологии
     "литого" кремния
     прямоугольного
     сечения

116. Разработка         32         18        14                                                              создание технологии
     базовой            __         __        __                                                              массового производства
     технологии и       19         12        7                                                               нового класса
     освоение                                                                                                оптоэлектронных приборов
     производства                                                                                            для широкого применения в
     оптоэлектронных                                                                                         радиоэлектронной аппаратуре
     реле с                                                                                                  (2009 год)
     повышенными
     техническими
     характеристиками
     для
     поверхностного
     монтажа

117. Комплексное        136,7                50        63        23,7                                        создание базовой технологии
     исследование и     _____                __        __        ____                                        массового производства
     разработка         71,8                 22        34        15,8                                        экранов с предельно низкой
     технологий                                                                                              удельной стоимостью для
     получения новых                                                                                         информационных и обучающих
     классов                                                                                                 систем (2010 год, 2011 год)
     органических
     (полимерных)
     люминофоров,
     пленочных
     транзисторов на
     основе
     "прозрачных"
     материалов,
     полимерной
     пленочной основы
     и технологий
     изготовления
     крупноформатных
     гибких и особо
     плоских экранов,
     в том числе на
     базе
     высокоразрешающих
     процессов
     струйной печати и
     непрерывного
     процесса
     изготовления типа
     "с катушки на
     катушку"

118. Разработка         145,651    45        13,526    87,125                                                создание технологии и
     базовых            _______              ______    ______                                                конструкции активно-
     конструкций и      100,5      30        8,5       62                                                    матричных органических
     технологии                                                                                              электролюминесцентных,
     активных матриц и                                                                                       жидкокристаллических и
     драйверов плоских                                                                                       катодолюминесцентных
     экранов на основе                                                                                       дисплеев, стойких к внешним
     аморфных, поли-                                                                                         специальным и климатическим
     кристаллических и                                                                                       воздействиям (2010 год)
     кристаллических
     кремниевых
     интегральных
     структур на
     различных
     подложках и
     создание на их
     основе
     перспективных
     видеомодулей,
     включая
     органические
     электролюминес-
     центные, жидко-
     кристаллические и
     катодолюминес-
     центные, создание
     базовой
     технологии
     серийного
     производства
     монолитных
     модулей двойного
     назначения

119. Разработка         85,004               41,004    20        24                                          создание технологии и
     базовой            ______               ______    __        __                                          базовых конструкций
     конструкции и      46                   10        20        16                                          полноцветных газоразрядных
     технологии                                                                                              видеомодулей специального и
     крупноформатных                                                                                         двойного назначения для
     полноцветных                                                                                            наборных экранов
     газоразрядных                                                                                           коллективного пользования
     видеомодулей                                                                                            (2010 год)

120. Разработка         63,249     24,013    18,027    21,209                                                разработка расширенного
     технологии         ______     ______    ______    ______                                                ряда сверхпрецизионных
     сверхпрецизионных  42         16        12        14                                                    резисторов, гибридных
     резисторов и                                                                                            интегральных схем
     гибридных                                                                                               цифроаналоговых и аналого-
     интегральных схем                                                                                       цифровых преобразователей с
     цифроаналоговых                                                                                         параметрами, превышающими
     и аналого-цифровых                                                                                      уровень существующих
     преобразователей                                                                                        отечественных и зарубежных
     на их основе в                                                                                          изделий, для аппаратуры
     металлокерамичес-                                                                                       связи, диагностического
     ких корпусах для                                                                                        контроля, медицинского
     аппаратуры                                                                                              оборудования, авиастроения,
     двойного                                                                                                станкостроения,
     назначения                                                                                              измерительной техники
                                                                                                             (2010 год)

121. Разработка         75                                       30      30        15                        разработка расширенного ряда
     базовой            __                                       __      __        __                        сверхпрецизионных резисторов
     технологии особо   50                                       20      20        10                        с повышенной удельной
     стабильных и                                                                                            мощностью рассеяния,
     особо точных                                                                                            высоковольтных высокоомных
     резисторов                                                                                              резисторов для измерительной
     широкого                                                                                                техники, приборов ночного
     диапазона                                                                                               видения и аппаратуры
     номиналов,                                                                                              контроля (2013 год)
     прецизионных
     датчиков тока для
     измерительной и
     контрольной
     аппаратуры и
     освоение их
     производства

122. Разработка         149,319              10,5      18,519    24,75   45        50,55                     создание базовой технологии
     технологии и       _______              ____      ______    _____   __        _____                     и конструкции резисторов с
     базовых            100,2                7         13        16,5    30        33,7                      повышенными значениями
     конструкций                                                                                             стабильности, удельной
     резисторов и                                                                                            мощности в чип-исполнении
     резистивных                                                                                             на основе многослойных
     структур нового                                                                                         монолитных структур
     поколения для                                                                                           (2010 год, 2013 год)
     поверхностного
     монтажа, в том
     числе резисторов
     с повышенными
     характеристиками,
     ультранизкоомных
     резисторов,
     малогабаритных
     подстроечных
     резисторов,
     интегральных
     сборок серии
     нелинейных
     полупроводниковых
     резисторов в
     многослойном
     исполнении
     чип-конструкции

123. Разработка         46,93      36,001    10,929                                                          создание базовой технологии
     технологий         _____      ______    ______                                                          производства датчиков на
     формирования       30,95      24        6,95                                                            резистивной основе с
     интегрированных                                                                                         высокими техническими
     резистивных                                                                                             характеристиками и
     структур с                                                                                              надежностью (2009 год)
     повышенными
     технико-
     эксплуатационными
     характеристиками
     на основе
     микроструктури-
     рованных
     материалов и
     методов
     групповой сборки

124. Создание           59,011     30,006    29,005                                                          создание технологии
     групповой          ______     ______    ______                                                          автоматизированного
     технологии         39         20        19                                                              производства чип- и
     автоматизирован-                                                                                        микрочип-резисторов
     ного производства                                                                                       (в габаритах 0402, 0201 и
     толстопленочных                                                                                         менее) для применения в
     чип- и микрочип-                                                                                        массовой аппаратуре
     резисторов                                                                                              (2009 год)

125. Разработка новых   126        24        27        75                                                    создание базовой технологии
     базовых            ___        __        __        __                                                    производства конденсаторов
     технологий и       83         16        17        50                                                    с качественно улучшенными
     конструктивных                                                                                          характеристиками с
     решений                                                                                                 электродами из
     изготовления                                                                                            неблагородных металлов при
     танталовых                                                                                              сохранении высокого уровня
     оксидно-полу-                                                                                           надежности (2010 год)
     проводниковых и
     оксидно-
     электролитических
     конденсаторов и
     чип-конденсаторов
     и организация
     производства
     конденсаторов
     с повышенным
     удельным зарядом,
     сверхнизким
     значением
     внутреннего
     сопротивления и
     улучшенными
     потребительскими
     характеристиками

126. Разработка         29,801     22,277    7,524                                                           создание базовых технологий
     комплексной        ______     ______    _____                                                           конденсаторов и ионисторов
     базовой            18         13        5                                                               на основе полимерных
     технологии и                                                                                            материалов с повышенным
     организация                                                                                             удельным зарядом и
     производства                                                                                            энергоемких накопительных
     конденсаторов с                                                                                         конденсаторов с повышенной
     органическим                                                                                            удельной энергией (2009 год)
     диэлектриком и
     повышенными
     удельными
     характеристиками
     и ионисторов с
     повышенным током
     разряда

127. Разработка         94,006               23,5      39,006    31,5                                        создание технологии и
     технологии,        ______               ____      ______    ____                                        базовых конструкций нового
     базовых            62                   15        26        21                                          поколения выключателей для
     конструкций                                                                                             радиоэлектронной аппаратуры
     высоковольтных                                                                                          с повышенными тактико-
     (быстродействую-                                                                                        техническими
     щих, мощных)                                                                                            характеристиками и
     вакуумных                                                                                               надежностью (2011 год)
     выключателей
     нового поколения
     с предельными
     характеристиками
     для радио-
     технической
     аппаратуры с
     высокими сроками
     службы

128. Разработка         50,599     24,803    25,796                                                          создание технологии
     технологий         ______     ______    ______                                                          изготовления коммутирующих
     создания           33,5       16,5      17                                                              устройств для токовой
     газонаполненных                                                                                         коммутации цепей в широком
     высоковольтных                                                                                          диапазоне напряжений и
     высокочастотных                                                                                         токов для радиоэлектронных
     коммутирующих                                                                                           и электротехнических систем
     устройств для                                                                                           (2009 год)
     токовой
     коммутации цепей
     с повышенными
     техническими
     характеристиками

129. Разработка         26,5       26,5                                                                      создание технологии выпуска
     полного комплекта  ____       ____                                                                      устройств грозозащиты в
     электронной        17,5       17,5                                                                      индивидуальном,
     компонентной базы                                                                                       промышленном и гражданском
     для создания                                                                                            строительстве,
     модульного                                                                                              строительстве пожароопасных
     устройства                                                                                              объектов (2008 год)
     грозозащиты
     зданий и
     сооружений с
     обеспечением
     требований по
     международным
     стандартам

130. Разработка         55         46        9                                                               создание базовой технологии
     базовых            __         __        _                                                               формирования
     конструкций и      37         31        6                                                               высококачественных
     технологий                                                                                              гальванических покрытий,
     изготовления                                                                                            технологии прецизионного
     малогабаритных                                                                                          формирования изделий для
     переключателей с                                                                                        автоматизированных систем
     повышенными                                                                                             изготовления коммутационных
     сроками службы                                                                                          устройств широкого
     для печатного                                                                                           назначения (2009 год)
     монтажа

131. Комплексное        825                                      80,55   181       224,95   195       143,5  комплексное исследование и
     исследование и     ___                                      _____   ___       ______   ___       _____  разработка технологий
     разработка         550                                      53,7    121       150,3    130       95     получения новых классов
     пленочных                                                                                               органических светоизлучающих
     технологий                                                                                              диодов (ОСИД), полимерной
     изготовления                                                                                            пленочной основы и
     высокоэкономичных                                                                                       технологий изготовления
     крупноформатных                                                                                         гибких ОСИД-экранов, в том
     гибких и особо                                                                                          числе на базе
     плоских экранов                                                                                         высокоразрешающих процессов
                                                                                                             струйной печати, процессов
                                                                                                             наноимпринта и рулонной
                                                                                                             технологии изготовления
                                                                                                             (2013 год);
                                                                                                             создание базовой технологии
                                                                                                             производства ОСИД-экранов
                                                                                                             для применения в различных
                                                                                                             системах (2015 год)

132. Исследование       798                                      75      217,5     168      195       142,5  создание технологии
     перспективных      ___                                      __      _____     ___      ___       _____  формирования нового
     конструкций и      532                                      50      145       112      130       95     поколения оптоэлектронных
     технологических                                                                                         комплексированных приборов,
     принципов                                                                                               обеспечивающих создание
     формирования                                                                                            "системы на кристалле" с
     оптоэлектронных и                                                                                       оптическими входами-
     квантовых                                                                                               выходами (2014 год,
     структур и                                                                                              2015 год)
     приборов нового
     поколения

133. Разработка         811,5                                            255       247,5    180       129    создание перспективной
     перспективных      _____                                            ___       _____    ___       ___    технологии массового
     технологий         541                                              170       165      120       86     производства солнечных
     промышленного                                                                                           элементов для
     изготовления                                                                                            индивидуального и
     солнечных                                                                                               коллективного использования
     высокоэффективных                                                                                       (2015 год)
     элементов

     Всего по           4623,784   688,198   611,262   510,324   352,5   749,5     727      570       415
     направлению 6      ________   _______   _______   _______   _____   _____     ___      ___       ___
                        3034,25    456       365,35    336,9     235     500       485      380       276

                             Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134. Разработка         4355,463   130,715   167,733   127,015   630     1058      814      726       702    создание на основе
     базовых            ________   _______   _______   _______   ___     ____      ___      ___       ___    современной и перспективной
     технологий         2911,4     90,1      113,6     87,7      420     691       553      486       470    отечественной электронной
     создания рядов                                                                                          компонентной элементной
     приемо-передающих                                                                                       базы и последних достижений
     унифицированных                                                                                         в разработке алгоритмов
     электронных                                                                                             сжатия видеоизображений
     модулей для                                                                                             приемо-передающих
     аппаратуры связи,                                                                                       унифицированных электронных
     радиолокации,                                                                                           модулей аппаратуры связи,
     телекоммуникаций,                                                                                       телекоммуникаций, цифрового
     бортовых                                                                                                телевидения, бортовых
     радиотехнических                                                                                        радиотехнических средств,
     средств                                                                                                 активных фазированных
                                                                                                             антенных решеток с
                                                                                                             параметрами:
                                                                                                             диапазон частот до 100 ГГц;
                                                                                                             скорость передачи информации
                                                                                                             до 100 Гбит/с;
                                                                                                             создание базовых технологий
                                                                                                             и конструкции для создания
                                                                                                             унифицированных рядов
                                                                                                             приемо-передающих
                                                                                                             унифицированных электронных
                                                                                                             модулей аппаратуры
                                                                                                             волоконно-оптических линий
                                                                                                             связи когерентных,
                                                                                                             высокоскоростных каналов со
                                                                                                             спектральным уплотнением,
                                                                                                             телекоммуникаций, цифрового
                                                                                                             телевидения, обеспечивающих
                                                                                                             импортозамещение в этой
                                                                                                             области;
                                                                                                             разработка новых технологий

135. Разработка         2916,849   91,404    159,155   101,29    465     797       555      353       395    создание на основе базовых
     базовых            ________   ______    _______   ______    ___     ___       ___      ___       ___    технологий и современной
     технологий         1932,4     61,1      104,9     56,4      310     540       365      233       262    отечественной твердотельной
     создания нового                                                                                         компонентной электронной
     класса                                                                                                  базы унифицированных
     унифицированных                                                                                         электронных модулей нового
     электронных                                                                                             поколения для обработки
     модулей для                                                                                             аналоговых и цифровых
     обработки                                                                                               сигналов РЛС и других радио-
     аналоговых и                                                                                            технических систем в
     цифровых сигналов                                                                                       высокочастотных, ПЧ и
     на основе                                                                                               сверхвысокочастотных
     устройств                                                                                               диапазонах, освоение
     функциональной                                                                                          производства нового класса
     электроники,                                                                                            многофункциональных
     приборов                                                                                                радиоэлектронных устройств,
     обработки                                                                                               разработка унифицированных
     сигналов аналого-                                                                                       электронных модулей
     цифровых и                                                                                              преобразователей физических
     цифроаналоговых                                                                                         и химических величин для
     преобразователей,                                                                                       измерения и контроля
     сенсоров и                                                                                              широкой номенклатуры
     преобразователей                                                                                        параметров
                                                                                                             микромеханических систем

136. Разработка         1748,445   47,185    77,477    63,783    285     453       300      257       265    создание рядов
     базовых            ________   ______    ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    унифицированных электронных
     технологий         1160,25    32,5      42,2      45,55     190     313       197      167       173    модулей для систем
     создания рядов                                                                                          телеметрии, управления,
     унифицированных                                                                                         радиолокационных,
     электронных                                                                                             робототехнических,
     модулей для                                                                                             телекоммуникационных систем
     систем                                                                                                  и навигации (ориентации,
     телеметрии,                                                                                             стабилизации,
     управления,                                                                                             позиционирования, наведения,
     навигации                                                                                               радиопеленгации, единого
     (угловых и                                                                                              времени), позволяющих резко
     линейных                                                                                                снизить стоимость и
     перемещений,                                                                                            организовать крупносерийное
     ориентации,                                                                                             производство
     стабилизации,                                                                                           радиоэлектронных средств
     позиционирования,                                                                                       широкого применения
     наведения,
     радиопеленгации,
     единого времени)

137. Разработка         3227,159   60,024    89,053    63,082    540     977       525      495       478    создание на основе
     базовых            ________   ______    ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    современной и перспективной
     технологий         2145,54    40        53,5      42,04     360     658       348      328       316    отечественной электронной
     создания рядов                                                                                          компонентной базы
     унифицированных                                                                                         унифицированных электронных
     электронных                                                                                             модулей широкой
     модулей                                                                                                 номенклатуры для применения
     процессоров,                                                                                            в различных информационных
     скоростного и                                                                                           системах, в том числе
     сверхскоростного                                                                                        унифицированных электронных
     ввода-вывода                                                                                            модулей шифрования и
     данных,                                                                                                 дешифрования данных;
     шифрования и                                                                                            разработка базовых
     дешифрования                                                                                            технологий и конструкций
     данных,                                                                                                 унифицированных электронных
     интерфейсов                                                                                             модулей на поверхностных
     обмена, систем                                                                                          акустических волнах систем
     сбора и хранения                                                                                        радиочастотной и
     информации,                                                                                             биометрической
     периферийных                                                                                            идентификации, систем
     устройств, систем                                                                                       идентификации личности,
     идентификации и                                                                                         транспортных средств,
     управления                                                                                              электронных паспортов,
     доступом,                                                                                               логистики, контроля доступа
     конверторов,                                                                                            на объекты повышенной
     информационно-                                                                                          безопасности, объектов
     вычислительных                                                                                          атомной энергетики.
     систем                                                                                                  В создаваемых
                                                                                                             унифицированных электронных
                                                                                                             модулях будет обеспечена
                                                                                                             скорость обмена и передачи
                                                                                                             информации до 30 Гб/с

138. Разработка         1710,136   49,076    64,824    81,236    270     437       302      256       250    разработка на основе
     базовых            ________   ______    ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    перспективных отечественных
     технологий         1132,4     32,7      43,2      46,5      180     303       197      167       163    сверхбольших интегральных
     создания рядов                                                                                          схем типа "система на
     унифицированных                                                                                         кристалле" базового ряда
     электронных                                                                                             электронных модулей для
     цифровых модулей                                                                                        создания перспективных
     для перспективных                                                                                       магистрально-модульных
     магистрально-                                                                                           архитектур, обеспечивающих
     модульных                                                                                               создание защищенных средств
     архитектур                                                                                              вычислительной техники
                                                                                                             нового поколения
                                                                                                             (автоматизированные рабочие
                                                                                                             места, серверы, средства
                                                                                                             высокоскоростных линий
                                                                                                             волоконной связи),
                                                                                                             функционирующих с
                                                                                                             использованием современных
                                                                                                             высокоскоростных
                                                                                                             последовательных и
                                                                                                             параллельных системных
                                                                                                             интерфейсов

139. Разработка         2026,225   72,091    92,753    61,381    330     536       336      303       295    создание на основе
     базовых            ________   ______    ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    современной и перспективной
     технологий         1338,2     35,5      61,9      40,8      220     364       224      198       194    отечественной электронной
     создания ряда                                                                                           компонентной базы рядов
     унифицированных                                                                                         унифицированных электронных
     электронных                                                                                             модулей, обеспечивающих
     модулей для                                                                                             возможность создания по
     контрольно-                                                                                             модульному принципу
     измерительной,                                                                                          контрольно-измерительной,
     метрологической                                                                                         метрологической и
     и поверочной                                                                                            поверочной аппаратуры,
     аппаратуры,                                                                                             аппаратуры тестового
     аппаратуры                                                                                              контроля и диагностики на
     тестового                                                                                               основе базовых несущих
     контроля,                                                                                               конструкций;
     диагностики                                                                                             создание комплекта
     блоков                                                                                                  сложнофункциональных
     радиоэлектронной                                                                                        блоков, определяющих ядро
     аппаратуры,                                                                                             измерительных приборов,
     для стандартных                                                                                         систем и комплексов,
     и встроенных                                                                                            разработка законченных
     систем контроля и                                                                                       функциональных модулей,
     измерений                                                                                               предназначенных для
                                                                                                             выполнения процессорных и
                                                                                                             интерфейсных функций поверки
                                                                                                             и диагностики сверхбольших
                                                                                                             интегральных схем типа
                                                                                                             "система на кристалле" для
                                                                                                             систем управления, а также
                                                                                                             систем проектирования и
                                                                                                             изготовления модулей систем
                                                                                                             управления и бортовых
                                                                                                             электронно-вычислительных
                                                                                                             машин, систем обработки
                                                                                                             информации и вычислений

140. Разработка         2869,94    58,5      95,178    91,262    480     860       417      477       391    разработка базовых
     базовых            _______    ____      ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    технологий создания
     технологий         1908       41        62        55        320     574       278      318       260    системообразующих
     создания нового                                                                                         унифицированных рядов
     поколения                                                                                               средств (систем,
     унифицированных                                                                                         источников, сервисных
     рядов средств                                                                                           устройств) и
     электропитания и                                                                                        преобразователей
     преобразователей                                                                                        электроэнергии нового
     электроэнергии                                                                                          поколения межвидового и
     для радио-                                                                                              межведомственного
     электронных                                                                                             применения, в том числе
     систем и                                                                                                средств электропитания с
     аппаратуры                                                                                              высокой плотностью упаковки
     гражданского и                                                                                          элементов с применением
     двойного                                                                                                бескорпусных изделий,
     назначения                                                                                              плоских моточных изделий
                                                                                                             пленочной технологии, новых
                                                                                                             методов экранирования,
                                                                                                             отвода и рассеяния тепла,
                                                                                                             основанных на применении
                                                                                                             наноразмерных материалов с
                                                                                                             высокой анизотропной
                                                                                                             теплопроводностью.
                                                                                                             Будут разработаны базовые
                                                                                                             технологии создания:
                                                                                                             унифицированных рядов
                                                                                                             источников электропитания;
                                                                                                             преобразователей
                                                                                                             электрической энергии;
                                                                                                             источников и систем
                                                                                                             бесперебойного
                                                                                                             электропитания;
                                                                                                             фильтров сетевых модулей
                                                                                                             автоматического
                                                                                                             переключения каналов;
                                                                                                             модулей защиты от сетевых
                                                                                                             помех;
                                                                                                             адаптеров

141. Разработка         3142,225   43        84,225    90        525     920       514      498       468    разработка системы базовых
     оптимизированной   ________   __        ______    __        ___     ___       ___      ___       ___    несущих конструкций,
     системы базовых    2089,5     28        54,5      57        350     612       343      333       312    изготавливаемых на основе
     несущих                                                                                                 прогрессивных технологий и
     конструкций                                                                                             обеспечивающих техническую
     первого, второго                                                                                        совместимость со всеми
     и третьего                                                                                              видами современных объектов
     уровней для                                                                                             с использованием новых
     наземной,                                                                                               полимерных материалов.
     морской,                                                                                                Применение оптимизированных
     авиационной и                                                                                           базовых несущих конструкций
     космической                                                                                             позволит сократить сроки
     радиоэлектронной                                                                                        разработки радиоэлектронной
     аппаратуры                                                                                              аппаратуры в 1,2 раза,
     специального и                                                                                          снизить трудоемкость
     двойного                                                                                                изготовления базовых несущих
     назначения,                                                                                             конструкций в 1,5 - 2 раза,
     предназначенной                                                                                         на 25 процентов уменьшить
     для жестких                                                                                             материалоемкость и сократить
     условий                                                                                                 затраты на производство
     эксплуатации, в                                                                                         радиоэлектронной аппаратуры
     том числе                                                                                               в 1,2 - 1,3 раза,
     работающей в                                                                                            обеспечить эффективное
     негерметизирован-                                                                                       импортозамещение
     ном отсеке
     с использованием
     прогрессивных
     технологий

142. Разработка         1732,889   46,16     66,651    60,078    285     482       275      269       249    разработка базовых несущих
     базовых            ________   _____     ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    конструкций с функциями
     технологий         1159,68    33        45,3      41,38     190     320       184      180       166    контроля, в том числе
     комплексно                                                                                              контроля температуры,
     интегрированных                                                                                         влажности, задымления в
     базовых несущих                                                                                         корпусах радиоэлектронной
     конструкций с                                                                                           аппаратуры, уровня
     функциями                                                                                               вибрации, контроля
     контроля,                                                                                               параметров составных частей
     диагностики,                                                                                            радиоэлектронной
     индикации                                                                                               аппаратуры - унифицированных
     функционирования                                                                                        электронных модулей,
                                                                                                             индикации рабочих режимов и
                                                                                                             аварийных сигналов для
                                                                                                             идентификации
                                                                                                             контролируемых параметров,
                                                                                                             разработка герметичных и
                                                                                                             перфорированных базовых
                                                                                                             несущих конструкций,
                                                                                                             обеспечивающих нормальный
                                                                                                             тепловой режим
                                                                                                             радиоэлектронной аппаратуры
                                                                                                             и выполняющих функции
                                                                                                             измерения и регулирования в
                                                                                                             требуемом диапазоне
                                                                                                             температуры и влажности
                                                                                                             воздуха внутри герметичных
                                                                                                             и перфорированных базовых
                                                                                                             несущих конструкций. Это
                                                                                                             позволит в 1,5 - 2 раза
                                                                                                             повысить надежность
                                                                                                             радиоэлектронной аппаратуры

143. Разработка         1287,818   30,618    34,2      38        210     362       206      202       205    обеспечение улучшения
     базовых            ________   ______    ____      __        ___     ___       ___      ___       ___    массогабаритных
     технологий         856,2      20        22,2      24        140     240       138      135       137    характеристик бортовой
     создания                                                                                                аппаратуры на 30 процентов
     облегченных                                                                                             и повышение прочности при
     паяных базовых                                                                                          внешних воздействиях в
     несущих                                                                                                 1,5 - 2 раза
     конструкций для
     радиоэлектронной
     аппаратуры
     авиационного и
     космического
     базирования
     на основе
     существующих и
     перспективных
     алюминиевых
     сплавов
     повышенной
     прочности,
     обеспечивающих
     отвод тепла по
     элементам
     конструкции

144. Разработка         1051,4     21        32,4      38        180     275       181      164       160    повышение уровня системной
     контейнерных       ______     __        ____      __        ___     ___       ___      ___       ___    интеграции и
     базовых несущих    698,4      14        20,4      24        120     180       123      110       107    комплексирования средств и
     конструкций с                                                                                           систем, повышение
     унифицированными                                                                                        конкурентоспособности не
     интерфейсными                                                                                           менее чем в 2 раза,
     средствами для                                                                                          обеспечение функционирования
     комплексирования                                                                                        аппаратуры в условиях
     бортовых и                                                                                              внешних жестких воздействий
     наземных систем
     и комплексов
     различного
     назначения

     Всего по           26068,549  649,773   963,649   815,127   4200    7157      4425     4000      3858
     направлению 7      _________  _______   _______   _______   ____    ____      ____     ____      ____
                        17331,97   427,9     623,7     520,37    2800    4795      2950     2655      2560

                                         Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

145. Разработка         3141,625   45        75,057    66,568    555     848       553      521       478    обеспечение разработки
     технологии         ________   __        ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    технологий:
     изготовления       2094       30        50        44        370     575       365      345       315    производства печатных плат
     высокоплотных                                                                                           5-го и выше классов
     теплонагруженных                                                                                        точности, включая платы со
     и сильноточных                                                                                          встроенными пассивными
     печатных плат                                                                                           элементами;
                                                                                                             создания межслойных
                                                                                                             соединений с переходными
                                                                                                             сопротивлениями до 1 мОм для
                                                                                                             силовых цепей электропитания;
                                                                                                             формирования слоев меди (в
                                                                                                             том числе с толщиной до
                                                                                                             200-400 мкм), серебра,
                                                                                                             никеля с высокими
                                                                                                             показателями проводимости;
                                                                                                             формирования финишных
                                                                                                             покрытий для бессвинцовой
                                                                                                             технологии производства
                                                                                                             изделий;
                                                                                                             производства многослойных
                                                                                                             печатных плат под высокие
                                                                                                             температуры пайки;
                                                                                                             лазерных процессов
                                                                                                             изготовления печатных плат;
                                                                                                             прямой металлизации
                                                                                                             сквозных и глухих отверстий

146. Разработка         2012,052   35,733    52,195    49,124    360     545       348      322       300    обеспечение разработки
     технологии         ________   ______    ______    ______    ___     ___       ___      ___       ___    технологий:
     изготовления       1343,3     25        35        33,3      240     363       232      215       200    изготовления коммутационных
     прецизионных                                                                                            плат для жестких условий
     коммутационных                                                                                          эксплуатации и широкого
     плат на основе                                                                                          диапазона частот;
     керамики (в том                                                                                         получения коммутационных
     числе низко-                                                                                            плат с температурным
     температурной),                                                                                         коэффициентом расширения,
     металла,                                                                                                соответствующим тепловым
     углепластика и                                                                                          характеристикам
     других                                                                                                  многовыводных корпусов (в
     функциональных                                                                                          том числе керамических)
     материалов                                                                                              современных приборов;
                                                                                                             обеспечения предельно
                                                                                                             минимального газовыделения
                                                                                                             в замкнутом пространстве
                                                                                                             герметичных модулей;
                                                                                                             снижения энергоемкости
                                                                                                             технологических процессов
                                                                                                             за счет применения
                                                                                                             прогрессивных материалов и
                                                                                                             методов обработки, в том
                                                                                                             числе низкотемпературной
                                                                                                             керамики;
                                                                                                             интеграции в коммутационную
                                                                                                             плату теплостоков и
                                                                                                             низкоомных проводников,
                                                                                                             пассивных элементов;
                                                                                                             прогрессивных методов
                                                                                                             формообразования элементов
                                                                                                             коммутационных плат;
                                                                                                             обеспечения совмещенного
                                                                                                             монтажа компонентов
                                                                                                             методами пайки и сварки на
                                                                                                             одной плате

147. Разработка         3705,145   65,121    107,805   67,219    615     1033      668      600       549    обеспечение разработки
     технологий         ________   ______    _______   ______    ___     ____      ___      ___       ___    технологий:
     сборки, монтажа    2460,6     43        63        44,6      410     689       445      400       366    новых методов присоединения,
     электронных                                                                                             сварки, пайки, в том числе с
     модулей,                                                                                                применением бессвинцовых
     многокристальных                                                                                        припоев;
     модулей и                                                                                               высокоточного дозирования
     микросборок на                                                                                          материалов, применяемых при
     основе новой                                                                                            сборке (флюсы, припои и
     компонентной                                                                                            припойные пасты, клеи, лаки,
     базы,                                                                                                   компаунды и т. п.);
     перспективных                                                                                           новых методов сборки и пайки
     технологических и                                                                                       корпусов типа BGA, CSP,
     конструкционных                                                                                         Flip-chip и других на
     материалов                                                                                              различные коммутационные
                                                                                                             платы;
                                                                                                             монтажа новой электронной
                                                                                                             компонентной базы, в том
                                                                                                             числе бескорпусных
                                                                                                             кристаллов силовых ключей
                                                                                                             на токовые шины;
                                                                                                             сборки и монтажа
                                                                                                             низкопрофильных магнитных
                                                                                                             компонентов;
                                                                                                             настройки и ремонта сложных
                                                                                                             модулей, в том числе
                                                                                                             демонтажа и повторного
                                                                                                             монтажа многовыводных
                                                                                                             компонентов с
                                                                                                             восстановлением влагозащиты

148. Разработка         1392       29        36,5      36,5      225     382       248      225       210    обеспечение разработки
     технологии         ____       __        ____      ____      ___     ___       ___      ___       ___    технологий:
     создания           927        19        24        24        150     255       165      150       140    изготовления антенно-
     межблочных                                                                                              фидерных устройств, в том
     соединений для                                                                                          числе гибких волноводов,
     коммутации                                                                                              вращающихся сочленений с
     сигналов в                                                                                              различными видами охлаждения;
     широком                                                                                                 оптоволоконной
     диапазоне частот                                                                                        коммутации, устойчивой к
     и мощностей                                                                                             воздействию жестких условий
                                                                                                             эксплуатации для различных
                                                                                                             условий применения, в том
                                                                                                             числе для систем
                                                                                                             дистанционного управления и
                                                                                                             мониторинга;
                                                                                                             изготовления устройств
                                                                                                             коммутации (разъемов,
                                                                                                             переключателей и т. п.)
                                                                                                             различного назначения, в
                                                                                                             том числе многовыводных,
                                                                                                             герметичных, врубных,
                                                                                                             сильноточных и других

149. Разработка         1433,792   35,154    61,38     47,258    225     382       248      225       210    повышение процента выхода
     методов, средств   ________   ______    _____     ______    ___     ___       ___      ___       ___    годных изделий, снижение
     и технологии       955,5      23        41        31,5      150     255       165      150       140    потерь на 15-30 процентов;
     автоматизирован-                                                                                        обеспечение разработки:
     ного контроля                                                                                           неразрушающих методов
     коммутационных                                                                                          контроля качества монтажных
     плат, узлов,                                                                                            соединений и многослойных
     электронных                                                                                             структур за счет
     модулей и                                                                                               использования различного
     приборов                                                                                                излучения и цифровой
     специального и                                                                                          обработки информации;
     общего применения                                                                                       методов выявления
     на этапах                                                                                               напряженных состояний
     разработки и                                                                                            элементов конструкции и
     производства                                                                                            потенциальных неисправностей
                                                                                                             изделий;
                                                                                                             унифицированных методов и
                                                                                                             средств тестового и
                                                                                                             функционального контроля
                                                                                                             изделий различного
                                                                                                             назначения

150. Разработка         3587,206   57,178    81,504    73,524    600     1037      642      592       504    импортозамещение
     технологии         ________   ______    ______    ______    ___     ____      ___      ___       ___    специальных конструкционных
     производства       2388,12    36        53,15     48,97     400     658       428      395       369    и технологических
     специальных                                                                                             материалов, обеспечивающих
     технологических и                                                                                       процессы бессвинцовой и
     конструкционных                                                                                         комбинированной пайки,
     материалов и                                                                                            изготовления коммутационных
     базовой                                                                                                 плат;
     технологии защиты                                                                                       разработка влагозащитных
     электронных                                                                                             электроизоляционных покрытий
     модулей от                                                                                              с минимальным газовыделением
     воздействия в                                                                                           со сроком эксплуатации 25 и
     жестких условиях                                                                                        более лет;
     эксплуатации                                                                                            разработка
                                                                                                             быстроотверждающихся,
                                                                                                             эластичных, с низким
                                                                                                             газовыделением в вакууме
                                                                                                             клеев, компаундов;
                                                                                                             разработка материалов и
                                                                                                             технологии их применения
                                                                                                             для формирования
                                                                                                             теплостоков в высокоплотной
                                                                                                             аппаратуре;
                                                                                                             разработка высокоэффективных
                                                                                                             ферритов для планарных
                                                                                                             трансформаторов повышенной
                                                                                                             мощности;
                                                                                                             обеспечение разработки
                                                                                                             технологий:
                                                                                                             локальной защиты
                                                                                                             чувствительных компонентов,
                                                                                                             общей защиты модулей
                                                                                                             органическими материалами,
                                                                                                             в том числе
                                                                                                             наноструктурированными;
                                                                                                             вакуумно-плотной
                                                                                                             герметизации узлов и блоков
                                                                                                             со свободным внутренним
                                                                                                             объемом до 5-10 л методами
                                                                                                             пайки и сварки;
                                                                                                             изготовления вакуумно-
                                                                                                             плотных корпусов
                                                                                                             многокристальных модулей и
                                                                                                             микросборок под
                                                                                                             поверхностный монтаж на
                                                                                                             платы; формирования
                                                                                                             покрытий, обеспечивающих
                                                                                                             длительную защиту от
                                                                                                             дестабилизирующих факторов
                                                                                                             внешней среды, включая
                                                                                                             ионизирующие излучения;
                                                                                                             нанесения локальных покрытий
                                                                                                             с заданными свойствами на
                                                                                                             элементы конструкции модулей

     Всего по           15271,82   267,186   414,441   340,193   2580    4227      2707     2485      2251
     направлению 8      ________   _______   _______   _______   ____    ____      ____     ____      ____
                        10168,52   176       266,15    226,37    1720    2795      1800     1655      1530

                            Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151. Разработка         2630,515   60,032    89,083    81,4      435     887       367      359       352    создание технологий
     технологий         ________   ______    ______    ____      ___     ___       ___      ___       ___    отечественного программно-
     создания систем и  1751       40        59        52        290     590       245      240       235    аппаратного обеспечения и
     оборудования                                                                                            средств разработки для
     автоматизации                                                                                           автоматизированного
     проектирования                                                                                          проектирования
     радиоэлектронных                                                                                        радиоэлектронного
     систем и                                                                                                оборудования с
     комплексов                                                                                              использованием различных
                                                                                                             технологических процессов;
                                                                                                             повышение качества и
                                                                                                             сокращение сроков
                                                                                                             разработки радиоэлектронной
                                                                                                             продукции;
                                                                                                             создание технологий
                                                                                                             обеспечения информационной
                                                                                                             безопасности функционирования
                                                                                                             информационно-управляющих
                                                                                                             систем;
                                                                                                             существенное повышение
                                                                                                             уровней защиты информации
                                                                                                             в информационно-
                                                                                                             управляющих системах,
                                                                                                             создание базовых
                                                                                                             универсальных
                                                                                                             функциональных модулей
                                                                                                             защиты информации от
                                                                                                             несанкционированного
                                                                                                             доступа, вирусных атак,
                                                                                                             средств разведки и
                                                                                                             считывания информации,
                                                                                                             криптозащиты каналов систем;
                                                                                                             реализация полного
                                                                                                             технологического цикла
                                                                                                             проектирования, испытаний и
                                                                                                             производства унифицированной
                                                                                                             высокоэффективной,
                                                                                                             импортозамещающей,
                                                                                                             конкурентоспособной
                                                                                                             аппаратуры

152. Разработка         3098,994   75,3      138,5     80,194    525     1055      430      406       389    создание новых способов
     технологий         ________   ____      _____     ______    ___     ____      ___      ___       ___    моделирования:
     моделирования      2052,9     49,8      80        53,1      350     705       286      270       259    комбинированного способа
     сложных                                                                                                 моделирования, позволяющего
     информационно-                                                                                          существенным образом
     управляющих                                                                                             повысить быстродействие
     систем, в том                                                                                           вычислений при сохранении
     числе систем                                                                                            точности расчета выходных
     реального                                                                                               показателей эффективности;
     времени                                                                                                 способа операционно-
                                                                                                             динамического моделирования;
                                                                                                             снижение сроков разработки
                                                                                                             и испытаний
                                                                                                             радиоэлектронной продукции;
                                                                                                             повышение достоверности
                                                                                                             математического и
                                                                                                             имитационного моделирования
                                                                                                             радиоэлектронных систем и
                                                                                                             комплексов, обеспечение
                                                                                                             максимальной сходимости
                                                                                                             результатов с результатами
                                                                                                             натурных испытаний и
                                                                                                             экспериментов

153. Разработка         2425,733   45,054    70,65     75,029    405     975       285      285       285    создание метрологически
     технологий         ________   ______    _____     ______    ___     ___       ___      ___       ___    аттестованной
     полунатурных и     1615,65    30        45,65     50        270     650       190      190       190    унифицированной стендовой
     стендовых                                                                                               испытательной базы для
     испытаний сложных                                                                                       проведения научно-
     информационно-                                                                                          исследовательских и опытно-
     управляющих                                                                                             конструкторских работ;
     систем                                                                                                  снижение сроков разработки
                                                                                                             и стоимости испытаний
                                                                                                             радиоэлектронной продукции;
                                                                                                             существенное повышение
                                                                                                             достоверности полунатурного
                                                                                                             моделирования
                                                                                                             радиоэлектронных систем и
                                                                                                             комплексов, обеспечение
                                                                                                             максимальной сходимости
                                                                                                             результатов с результатами
                                                                                                             натурных испытаний

154. Разработка         2257,66    45,05     73,65     68,96     375     907       269      270       249    разработка базовых
     технологии         _______    _____     _____     _____     ___     ___       ___      ___       ___    технологий, элементов и
     конструирования и  1502,61    30        48,65     43,96     250     605       179      180       166    конструкций для создания
     производства, а                                                                                         парка измерительных систем
     также аппаратно-                                                                                        и приборов, необходимых для
     программного                                                                                            разработки и испытаний
     обеспечения                                                                                             радиотехнических
     метрологических                                                                                         информационно-управляющих
     систем различного                                                                                       систем, систем связи и
     назначения для                                                                                          телекоммуникаций
     создания нового
     поколения
     отечественного
     парка
     измерительной
     аппаратуры

     Всего по           10412,902  225,436   371,883   305,583   1740    3824      1351     1320      1275
     направлению 9      _________  _______   _______   _______   ____    ____      ____     ____      ____
                        6922,16    149,8     233,3     199,06    1160    2550      900      880       850

                                                  Направление 10. Обеспечивающие работы

155. Разработка         92         9         6         7         10      18        14       14        14     разработка комплекта
     организационных    __         _         _         _         __      __        __       __        __     методической и научно-
     принципов и        89         6         6         7         10      18        14       14        14     технической документации
     научно-                                                                                                 для обеспечения
     технической базы                                                                                        функционирования систем
     обеспечения                                                                                             проектирования и
     проектирования                                                                                          производства электронной
     и производства                                                                                          компонентной базы в
     электронной                                                                                             соответствии с требованиями
     компонентной базы                                                                                       Всемирной торговой
     в соответствии с                                                                                        организации
     требованиями
     Всемирной
     торговой
     организации

156. Создание и         128,3      16,3      20        13        19      18        14       14        14     разработка новых и
     обеспечение        _____      ____      __        __        __      __        __       __        __     совершенствование
     функционирования   125        13        20        13        19      18        14       14        14     существующих методов
     системы испытаний                                                                                       испытаний электронной
     электронной                                                                                             компонентной базы,
     компонентной                                                                                            разработка методов
     базы,                                                                                                   отбраковочных испытаний
     обеспечивающей                                                                                          перспективной электронной
     поставку изделий                                                                                        компонентной базы,
     с гарантированной                                                                                       обеспечение поставки
     надежностью для                                                                                         изделий с гарантированной
     комплектации                                                                                            надежностью для
     систем                                                                                                  комплектации систем
     специального и                                                                                          специального назначения
     двойного                                                                                                (атомная энергетика,
     назначения                                                                                              космические программы,
                                                                                                             транспорт, системы двойного
                                                                                                             назначения)

157. Разработка и       100,5      8,5       12        9         11      18        15       14        13     разработка и систематизация
     совершенствование  _____      ___       __        _         __      __        __       __        __     методов расчетно-
     методов,           99         7         12        9         11      18        15       14        13     экспериментальной оценки
     обеспечивающих                                                                                          показателей надежности
     качество и                                                                                              электронной компонентной
     надежность сложно-                                                                                      базы, разрешенной для
     функциональной                                                                                          применения в аппаратуре,
     электронной                                                                                             функционирующей в
     компонентной                                                                                            специальных условиях и с
     базы на этапах                                                                                          длительными сроками
     опытно-                                                                                                 активного существования
     конструкторских
     работ, освоения и
     производства

158. Создание и         94,5       10        14,5                10      18        15       14        13     разработка системы
     внедрение          ____       __        ____                __      __        __       __        __     технологий обеспечения
     основополагающих   86         7         9                   10      18        15       14        13     жизненного цикла изделия
     документов                                                                                              при создании широкой
     по обеспечению                                                                                          номенклатуры электронной
     жизненного цикла                                                                                        компонентной базы
     изделия на этапах
     проектирования,
     производства,
     применения и
     утилизации
     электронной
     компонентной базы

159. Научное            138        19        25        15        19      18        15       14        13     оптимизация состава
     сопровождение      ___        __        __        __        __      __        __       __        __     выполняемых комплексов
     Программы, в том   127        13        20        15        19      18        15       14        13     научно-исследовательских и
     числе определение                                                                                       опытно-конструкторских
     технологического                                                                                        работ по развитию
     и технического                                                                                          электронной компонентной
     уровней развития                                                                                        базы в рамках Программы и
     отечественной и                                                                                         определение перспективных
     импортной                                                                                               направлений создания новых
     электронной                                                                                             классов электронной
     компонентной базы                                                                                       компонентной базы с
     на основе их                                                                                            установлением системы
     рубежных технико-                                                                                       технико-экономических и
     экономических                                                                                           рубежных технологических
     показателей,                                                                                            показателей, разработка
     разработка                                                                                              "маршрутных карт"
     "маршрутных карт"                                                                                       развития по направлениям
     развития групп                                                                                          электронной компонентной
     электронной                                                                                             базы
     компонентной базы

160. Создание           104,5      11        14,5      9         10      18        15       14        13     проведение технико-
     интегрированной    _____      __        ____      _         __      __        __       __        __     экономической оптимизации
     информационно-     98         7         12        9         10      18        15       14        13     выполнения
     аналитической                                                                                           комплексных годовых
     автоматизирован-                                                                                        мероприятий подпрограммы,
     ной системы по                                                                                          создание системы
     развитию                                                                                                действенного финансового и
     электронной                                                                                             технического контроля
     компонентной                                                                                            выполнения Программы
     базы,
     охватывающей
     деятельность
     заказчика-
     координатора,
     заказчиков и
     организаций,
     участвующих в
     выполнении
     комплекса
     программных
     мероприятий, с
     целью оптимизации
     состава
     участников,
     финансовых
     средств,
     перечисляемой
     государству
     прибыли и
     достижения
     заданных технико-
     экономических
     показателей
     разрабатываемой
     электронной
     компонентной базы

161. Определение        100        11        13        8         8       18        15       14        13     формирование системно-
     перспектив         ___        __        __        _         _       __        __       __        __     ориентированных материалов
     развития           93         7         10        8         8       18        15       14        13     по экономике, технологиям
     российской                                                                                              проектирования и
     электронной                                                                                             производству электронной
     компонентной базы                                                                                       компонентной базы,
     на основе В ллиза                                                                                       обобщение и анализ мирового
     динамики                                                                                                опыта для выработки
     сегментов                                                                                               технически и экономически
     мирового и                                                                                              обоснованных решений
     отечественного                                                                                          развития электронной
     рынков                                                                                                  компонентной базы
     радиоэлектронной
     продукции
     и действующей
     производственно-
     технологической
     базы

162. Системный анализ   74         11        13        8         7       14        7        7         7      создание отраслевой системы
     результатов        __         __        __        _         _       __        _        _         _      учета и планирования
     выполнения         69         8         11        8         7       14        7        7         7      развития разработки,
     комплекса                                                                                               производства и применения
     мероприятий                                                                                             электронной компонентной
     Программы на                                                                                            базы
     основе создания
     отраслевой
     системы
     планирования и
     учета развития
     разработки,
     производства и
     применения
     электронной
     компонентной базы
     по основным
     технико-
     экономическим
     показателям

     Всего по           831,8      95,8      118       69        94      140       110      105       100
     направлению 10     _____      ____      ___       __        __      ___       ___      ___
                        786        68        100       69        94      140       110      105       100

     Итого по           96752,876  6035,127  6598,632  6044,117  14895   22517,65  15051,1  13408,25  12203
     разделу I          _________  ________  ________  ________  _____   ________  _______  ________  _____
                        63908,3    3980      4241,3    3637      9930    15024,12  10020    8925,88   8150

------|------------------|---------|-----------------------------------------------------------------------|------|---------|-----------------------
      |    Мероприятия   |  2008-  |                             В том числе                               |Сроки | Площадь | Ожидаемые результаты
      |                  |  2015   |--------|--------|-------|--------|---------|------|---------|---------|реали-| объекта |
      |                  |  годы - |2008 год|2009 год| 2010  |2011 год| 2012 год| 2013 |2014 год |2015 год |зации | (кв. м) |
      |                  |  всего  |        |        |  год  |        |         |  год |         |         |      |         |
------|------------------|---------|--------|--------|-------|--------|---------|------|---------|---------|------|---------|-----------------------

                                                                      II. Капитальные вложения

                                          МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНПРОМТОРГ РОССИИ)

                                         Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

163.   Реконструкция и    744,5     357      191,5    196                                                   2008-  5293      создание
       техническое        _____     ___      _____    ___                                                   2010             производственно-
       перевооружение     696,5     315      191,5    190                                                                    технологического
       производства                                                                                                          комплекса по выпуску
       сверхвысоко-                                                                                                          твердотельных
       частотной                                                                                                             сверхвысокочастотных
       техники                                                                                                               субмодулей мощностью
       федерального                                                                                                          100 тыс. шт. в год
       государствен-
       ного
       унитарного
       предприятия
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Исток",
       г. Фрязино,
       Московская
       область

164.   Реконструкция и    815,5     124,5    170,5    100,5   420                                           2008-  3424,4    создание
       техническое        _____     _____    _____    _____   ___                                           2011             производственной
       перевооружение     580,5     110      170,5    90      210                                                            технологической линии
       федерального                                                                                                          по выпуску
       государственного                                                                                                      сверхвысокочастотных
       унитарного                                                                                                            приборов и модулей на
       предприятия                                                                                                           широкозонных
       "Научно-                                                                                                              полупроводниках
       производственное                                                                                                      мощностью
       предприятие                                                                                                           360 тыс. шт. в год
       "Пульсар",
       г. Москва

165.   Реконструкция и    233                         53      180                                           2010-  3380      расширение мощностей
       техническое        ____                        __      ___                                           2011             по производству
       перевооружение     140*                        50      90                                                             активных элементов и
       федерального                                                                                                          сверхвысокочастотных
       государственного                                                                                                      монолитных
       унитарного                                                                                                            интегральных схем с
       предприятия                                                                                                           повышенной
       "Научно-                                                                                                              радиационной
       производственное                                                                                                      стойкостью с 15 до
       предприятие                                                                                                           35 тыс. шт. в год**
       "Салют",
       г. Нижний
       Новгород

166.   Техническое        193,6                       93,6    100                                           2010-  3058,73   ввод новых мощностей
       перевооружение     _____                       ____    ___                                           2011             по производству
       федерального       140*                        90      50                                                             новейших образцов
       государственного                                                                                                      ламп бегущей волны и
       унитарного                                                                                                            других
       предприятия                                                                                                           сверхвысокочастотных
       "Научно-                                                                                                              приборов, в том числе
       производственное                                                                                                      в миллиметровом
       предприятие                                                                                                           диапазоне**
       "Алмаз",
       г. Саратов

167.   Реконструкция и    348,8                       78,8    270                                           2010-  1438      реконструкция
       техническое        _____                       ____    ___                                           2011             производственной
       перевооружение     200*                        65      135                                                            линии по выпуску
       федерального                                                                                                          новых сверхмощных
       государственного                                                                                                      сверхвысокочастотных
       унитарного                                                                                                            приборов с повышенным
       предприятия                                                                                                           уровнем технических
       "Научно-                                                                                                              параметров,
       производственное                                                                                                      надежности и
       предприятие                                                                                                           долговечности
       "Торий",                                                                                                              мощностью 88 шт. в
       г. Москва                                                                                                             год**

168.   Техническое        100                         40      60                                            2010-  1380      реконструкция
       перевооружение     ___                         __      __                                            2011             производственной
       федерального       60*                         30      30                                                             линии для выпуска
       государственного                                                                                                      новых изделий
       унитарного                                                                                                            радиационно стойкой
       предприятия                                                                                                           электронной
       "Новосибирский                                                                                                        компонентной базы,
       завод                                                                                                                 необходимой для
       полупроводниковых                                                                                                     организаций Росатома
       приборов с ОКБ",                                                                                                      и Роскосмоса**
       г. Новосибирск

169.   Техническое        133                         53      80                                            2010-  1973      создание
       перевооружение     ___                         __      __                                            2011             производственных
       федерального       90*                         50      40                                                             мощностей по выпуску
       государственного                                                                                                      радиационно стойкой
       унитарного                                                                                                            электронной
       предприятия                                                                                                           компонентной базы в
       "Научно-                                                                                                              количестве 80-100
       производственное                                                                                                      тыс. шт. в год для
       предприятие                                                                                                           комплектования
       "Восток",                                                                                                             важнейших специальных
       г. Новосибирск                                                                                                        систем**

170.   Техническое        1520                                         500       380    320       320       2012-  5240***   техническое
       перевооружение     ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             перевооружение завода
       открытого          760*                                         250       190    160       160                        для выпуска
       акционерного                                                                                                          сверхбольших
       общества "НИИ                                                                                                         интегральных схем с
       молекулярной                                                                                                          топологическими
       электроники и                                                                                                         нормами 0,18 мкм**
       завод "Микрон",
       г. Москва,
       г. Зеленоград

171.   Техническое        240                         49,2    190,8                                         2010-  1720      организация участка
       перевооружение     ____                        ____    _____                                         2011             прецизионной
       федерального       120*                        24,6    95,4                                                           оптической и
       государственного                                                                                                      механической
       унитарного                                                                                                            обработки деталей для
       предприятия                                                                                                           лазерных излучателей,
       "Научно-                                                                                                              твердотельных лазеров
       исследовательский                                                                                                     и бескарданных
       институт "Полюс"                                                                                                      лазерных гироскопов
       им. М.Ф.Стель-                                                                                                        нового поколения
       маха",                                                                                                                мощностью 442 шт. в
       г. Москва                                                                                                             год**

172.   Техническое        420                                          110       100    105       105       2012-  1555***   создание новых
       перевооружение     ____                                         ___       ___    ____      ____      2015             производственных
       открытого          210*                                         55        50     52,5      52,5                       мощностей для выпуска
       акционерного                                                                                                          микроэлектронных
       общества                                                                                                              датчиков физических
       "Светлана",                                                                                                           величин и электронных
       г. Санкт-                                                                                                             датчиков для экспресс-
       Петербург                                                                                                             контроля параметров
                                                                                                                             крови и жизне-
                                                                                                                             деятельности человека**

173.   Реконструкция и    166,2              166,2                                                          2009   7630,4    обеспечение
       техническое        _____              _____                                                                           потребности в базовых
       перевооружение     150*               150                                                                             несущих конструкциях,
       централизованного                                                                                                     в том числе
       производства                                                                                                          импортозамещающих,
       базовых несущих                                                                                                       предприятий
       конструкций                                                                                                           приборостроения,
       на федеральном                                                                                                        машиностроения,
       государственном                                                                                                       судостроения и других
       унитарном                                                                                                             отраслей
       предприятии                                                                                                           промышленности**
       "Производственное
       объединение
       "Квант",
       г. Великий
       Новгород

174.   Техническое        62                 62                                                             2009   2404,6    техническое
       перевооружение     ___                __                                                                              перевооружение
       федерального       60*                60                                                                              действующего
       государственного                                                                                                      производства
       унитарного                                                                                                            электронной
       предприятия                                                                                                           компонентной базы и
       "Научно-                                                                                                              микросистемотехники
       исследовательский                                                                                                     для создания новых
       институт                                                                                                              рядов
       электронно-                                                                                                           конкурентоспособных
       механических                                                                                                          изделий электронной
       приборов",                                                                                                            техники**
       г. Пенза

175.   Техническое        60,1      60,1                                                                    2008   120       техническое
       перевооружение     ____      ____                                                                                     перевооружение
       федерального       30        30                                                                                       действующих
       государственного                                                                                                      производственных
       унитарного                                                                                                            мощностей по выпуску
       предприятия                                                                                                           сверхбольших
       "Научно-                                                                                                              интегральных схем и
       исследовательский                                                                                                     мощных
       институт                                                                                                              сверхвысокочастотных
       электронной                                                                                                           транзисторов с
       техники",                                                                                                             объемом выпуска
       г. Воронеж                                                                                                            сверхбольших
                                                                                                                             интегральных схем
                                                                                                                             50 тыс. шт. в год,
                                                                                                                             мощных
                                                                                                                             сверхвысокочастотных
                                                                                                                             транзисторов 10 тыс.
                                                                                                                             шт. в год**

176.   Техническое        160                                          160                                  2012   700       организация серийного
       перевооружение     ___                                          ___                                                   производства
       федерального       80*                                          80                                                    параметрических рядов
       государственного                                                                                                      мембранных датчиков
       унитарного                                                                                                            мощностью 10 млн. шт.
       предприятия                                                                                                           в год и
       "Научно-                                                                                                              чувствительных
       исследовательский                                                                                                     элементов для
       институт                                                                                                              сканирующей зондовой
       физических                                                                                                            микроскопии мощностью
       проблем имени                                                                                                         0,3 млн. шт. в год**
       Ф.В.Лукина",
       г. Москва

177.   Реконструкция и    840                         64      110      240       180    123       123       2010-  12900     расширение
       техническое        ____                        __      ___      ___       ___    ____      ____      2015             производства
       перевооружение     420*                        32      55       120       90     61,5      61,5                       перспективных
       производства                                                                                                          тонкостенных антенно-
       перспективных                                                                                                         фидерных устройств и
       тонкостенных                                                                                                          волноводных трактов
       антенно-                                                                                                              сверхвысокочастотного
       фидерных                                                                                                              диапазона, увеличение
       устройств и                                                                                                           выпуска в 1,5 раза
       волноводных                                                                                                           мощностью 44,76 тыс.
       трактов                                                                                                               шт. в год**
       сверхвысокочас-
       тотного диапазона
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Рыбинский завод
       приборостроения",
       г. Рыбинск,
       Ярославская
       область

178.   Техническое        1000                                         300       280    210       210       2012-  3225***   увеличение объемов
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производства модулей
       реконструкция      500*                                         150       140    105       105                        для обработки и
       технологической и                                                                                                     передачи сигналов
       лабораторной базы                                                                                                     радиолокационных,
       производства и                                                                                                        навигационных и
       контроля                                                                                                              посадочных систем до
       перспективных                                                                                                         250 шт. в год**
       радиоэлектронных
       модулей в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Челябинский
       радиозавод
       "Полет",
       г. Челябинск

179.   Техническое        1800                                         560       500    370       370       2012-  5455***   повышение
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             эффективности,
       реконструкция      900*                                         280       250    185       185                        надежности и
       производства и                                                                                                        конкурентоспособности
       лабораторной базы                                                                                                     отечественных
       для разработки и                                                                                                      радиоэлектронных
       производства                                                                                                          модулей, изделий,
       перспективных                                                                                                         комплексов и систем
       радиоэлектронных                                                                                                      открытого
       модулей, изделий                                                                                                      акционерного общества
       в открытом                                                                                                            "Концерн
       акционерном                                                                                                           радиостроения "Вега"**
       обществе "Концерн
       радиостроения
       "Вега", г. Москва

180.   Техническое        1200                                         360       340    250       250       2012-  3870***   повышение надежности
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             и качества конечной
       реконструкция      600*                                         180       170    125       125                        продукции открытого
       производственно-                                                                                                      акционерного общества
       технологической,                                                                                                      "Концерн
       контрольно-                                                                                                           радиостроения "Вега",
       испытательной                                                                                                         создание
       базы нового                                                                                                           конкурентоспособных
       поколения                                                                                                             изделий мирового
       антенных систем                                                                                                       уровня,
       дистанционного                                                                                                        увеличение годового
       зондирования                                                                                                          объема производства
       Земли в открытом                                                                                                      до 6 систем в год**
       акционерном
       обществе "Научно-
       исследовательский
       институт "Кулон",
       г. Москва

181.   Техническое        297,66             47,66    110     140                                           2009-  2456,4    создание комплексного
       перевооружение     _______            _____    ___     ___                                           2011             испытательного стенда
       для создания       148,66*            23,66    55      70                                                             для исследования
       производства                                                                                                          образцов техники
       нового                                                                                                                мощностью 800 шт. в
       поколения                                                                                                             год**
       радиоэлектронных
       модулей в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Рубин",
       г. Пенза

182.   Техническое        379,9                       25,9    70       80        60     72        72        2010-  996,3     производство систем
       перевооружение     _____                       ____    __       __        __     __        __        2015             радиочастотной
       производственно-   200*                        23      35       40        30     36        36                         идентификации**
       технологической,
       контрольно-
       испытательной
       базы в открытом
       акционерном
       обществе
       "Инженерно-
       маркетинговый
       центр
       ОАО "Концерн
       радиостроения
       "Вега",
       г. Москва

183.   Техническое        1000                                         240       300    230       230       2012-  3030***   обеспечение
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производства
       реконструкция      500*                                         120       150    115       115                        микропроцессорных
       мощностей для                                                                                                         систем управления и
       производства                                                                                                          контроля гибридных
       микропроцессорных                                                                                                     двигательных
       систем управления                                                                                                     установок различного
       и контроля                                                                                                            класса в объеме до
       гибридных                                                                                                             1000 шт. в месяц**
       двигательных
       установок
       различного класса
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Конструкторское
       бюро "Луч",
       г. Рыбинск,
       Ярославская
       область

184.   Реконструкция и    1720                                         500       480    370       370       2012-  5200***   изготовление
       техническое        ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             прецизионных лазерных
       перевооружение в   860*                                         250       240    185       185                        и пьезокерамических
       целях создания                                                                                                        гироскопов для
       специализирован-                                                                                                      перспективных
       ного производства                                                                                                     летательных
       прецизионных                                                                                                          аппаратов**
       лазерных и пьезо-
       керамических
       гироскопов в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Ижевский
       электромеханичес-
       кий завод
       "Купол",
       г. Ижевск,
       Удмуртская
       Республика

185.   Техническое        1220                                         380       360    240       240       2012-  3560***   изготовление
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             унифицированных
       реконструкция      610*                                         190       180    120       120                        твердотельных
       специализирован-                                                                                                      низкочастотных
       ного                                                                                                                  типовых элементов
       производства                                                                                                          замены для
       унифицированных                                                                                                       информационных
       низкочастотных                                                                                                        средств и модулей
       типовых элементов                                                                                                     активных фазированных
       замены и модулей                                                                                                      антенных решеток для
       активных                                                                                                              локационных систем
       фазированных                                                                                                          различного
       антенных решеток                                                                                                      применения,
       в открытом                                                                                                            перспективных средств
       акционерном                                                                                                           связи и управления
       обществе                                                                                                              воздушным движением**
       "Марийский маши-
       ностроительный
       завод",
       г. Йошкар-Ола,
       Республика
       Марий Эл

186.   Реконструкция и    720                                 140      260       200    60        60        2011-  9582      организация
       техническое        ____                                ___      ___       ___    __        __        2015             производства и
       перевооружение     360*                                70       130       100    30        30                         внедрение современной
       производства                                                                                                          технологии с
       унифицированных                                                                                                       соответствующим
       электронных                                                                                                           переоснащением
       модулей                                                                                                               высокопроизводительным
       межвидового                                                                                                           оборудованием,
       применения на                                                                                                         увеличение объема
       открытом                                                                                                              ежегодного
       акционерном                                                                                                           производства
       обществе                                                                                                              продукции с
       "Федеральный                                                                                                          2370 млн. рублей в
       научно-                                                                                                               2007 году до
       производственный                                                                                                      5028 млн. рублей в
       центр                                                                                                                 2015 году**
       "Нижегородский
       научно-
       исследовательский
       институт
       радиотехники",
       г. Нижний
       Новгород

187.   Техническое        970                                 240      277,62    240    106,19    106,19    2011-  8442,7    увеличение объемов
       перевооружение     ____                                ___      ______    ___    ______    ______    2015             производства,
       специализирован-   485*                                120      138,81    120    53,095    53,095                     повышение качества и
       ного производства                                                                                                     надежности
       твердотельных                                                                                                         твердотельных
       передающих и                                                                                                          передающих и приемных
       приемных систем,                                                                                                      систем, приемо-
       приемо-передающих                                                                                                     передающих модулей
       модулей активных                                                                                                      активных фазированных
       фазированных                                                                                                          антенных решеток
       антенных решеток                                                                                                      L-диапазона для
       в открытом                                                                                                            перспективных средств
       акционерном                                                                                                           связи и управления
       обществе                                                                                                              воздушным движением**
       "Научно-
       производственное
       объединение
       "Правдинский
       радиозавод",
       г. Балахна,
       Нижегородская
       область

188.   Техническое        1230                                         360       330    270       270       2012-  4000***   увеличение объемов
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производства,
       реконструкция      615*                                         180       165    135       135                        повышение качества и
       специализирован-                                                                                                      надежности
       ного                                                                                                                  твердотельных
       производства                                                                                                          передающих и приемных
       твердотельных                                                                                                         систем, приемо-
       передающих и                                                                                                          передающих модулей
       приемных систем,                                                                                                      активных фазированных
       приемо-передающих                                                                                                     антенных решеток С- и
       модулей активных                                                                                                      S-диапазонов волн для
       фазированных                                                                                                          перспективных средств
       антенных решеток                                                                                                      связи и управления
       в открытом                                                                                                            воздушным движением**
       акционерном
       обществе
       "Научно-
       производственное
       объединение
       "Лианозовский
       электромеханичес-
       кий завод",
       г. Москва

189.   Техническое        800                                          240       200    180       180       2012-  2425***   изготовление
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             унифицированных
       реконструкция      400*                                         120       100    90        90                         твердотельных
       специализирован-                                                                                                      высокочастотных
       ного                                                                                                                  типовых элементов
       производства                                                                                                          замены для
       унифицированных                                                                                                       локационных систем
       высокочастотных                                                                                                       различного
       типовых элементов                                                                                                     применения,
       замены в открытом                                                                                                     перспективных средств
       акционерном                                                                                                           связи и управления
       обществе                                                                                                              воздушным движением,
       "Рязанский завод                                                                                                      увеличение объема
       "Красное Знамя",                                                                                                      производства типовых
       г. Рязань                                                                                                             элементов замены в
                                                                                                                             1,5 раза**

190.   Техническое        960                                          260       240    230       230       2012-  3300***   увеличение выпуска
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             унифицированных
       реконструкция      480*                                         130       120    115       115                        автоматизированных
       специализирован-                                                                                                      рабочих мест
       ного                                                                                                                  операторов
       производства                                                                                                          информационных и
       унифицированных                                                                                                       специального
       рабочих мест                                                                                                          назначения
       операторов                                                                                                            управляющих систем в
       информационных                                                                                                        1,7 раза**
       систем в открытом
       акционерном
       обществе
       "Уральское
       производственное
       предприятие
       "Вектор",
       г. Екатеринбург

191.   Реконструкция и    960                                          300       240    210       210       2012-  2800***   внедрение современных
       техническое        ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             технологий с
       перевооружение     480*                                         150       120    105       105                        соответствующим
       для создания                                                                                                          переоснащением
       регионального                                                                                                         высокопроизводительным
       контрактного                                                                                                          оборудованием для
       производства                                                                                                          организации
       унифицированных                                                                                                       контрактного
       электронных                                                                                                           производства**
       модулей
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Концерн
       "Созвездие",
       г. Воронеж

192.   Создание           2060                                         640       560    430       430       2012-  6000***   создание
       лабораторной,      _____                                        ___       ___    ___       ___       2015             конкурентоспособной
       технологической и  1030*                                        320       280    215       215                        продукции мирового
       производственной                                                                                                      уровня, освоение
       базы для                                                                                                              технологий двойного
       обеспечения                                                                                                           назначения,
       разработки,                                                                                                           увеличение объема
       производства и                                                                                                        выпуска изделий
       испытаний нового                                                                                                      до 2 - 2,5 млрд.
       поколения                                                                                                             рублей в год**
       телекоммуникаци-
       онных систем и
       комплексов
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Концерн
       "Созвездие",
       г. Воронеж

193.   Реконструкция и    194,6                                        194,6                                2012   620***    создание мощностей по
       техническое        _____                                        _____                                                 изготовлению
       перевооружение     97,3*                                        97,3                                                  спецтехники нового
       производственно-                                                                                                      поколения,
       технологической и                                                                                                     обеспечивающей защиту
       лабораторно-                                                                                                          специальной
       испытательной                                                                                                         информации в
       базы на                                                                                                               информационно-
       федеральном                                                                                                           коммуникационных
       государственном                                                                                                       системах**
       унитарном
       предприятии
       "Калужский
       электромехани-
       ческий завод",
       г. Калуга

194.   Техническое        570                                 110      380       80                         2011-  3156      увеличение объема
       перевооружение     ____                                ___      ___       __                         2013             выпуска продукции в
       производства       285*                                55       190       40                                          1,3 - 1,5 раза,
       перспективных                                                                                                         повышение качества и
       коротковолновых                                                                                                       конкурентоспособности
       радиостанций в                                                                                                        продукции**
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Тамбовский
       завод "Октябрь",
       г. Тамбов

195.   Реконструкция и    350                                          90        80     90        90        2012-  1200***   модернизация
       техническое        ____                                         __        __     __        __        2015             производства и
       перевооружение     175*                                         45        40     45        45                         внедрение современной
       производства                                                                                                          технологии с
       наземной                                                                                                              соответствующим
       аппаратуры                                                                                                            переоснащением
       подвижной связи                                                                                                       высокопроизводительного
       в открытом                                                                                                            оборудования**
       акционерном
       обществе
       "Тамбовский завод
       "Революционный
       труд",
       г. Тамбов

196.   Техническое        600                                 200      120       120    80        80        2011-  2332,2    ускорение и повышение
       перевооружение     ____                                ___      ___       ___    __        __        2015             качества разработки
       производственно-   300*                                100      60        60     40        40                         мультисервисных сетей
       технологической и                                                                                                     ведомственной и
       лабораторно-                                                                                                          профессиональной
       испытательной                                                                                                         связи, ожидаемый
       базы в открытом                                                                                                       экономический эффект
       акционерном                                                                                                           3 млрд. рублей**
       обществе
       "Воронежский
       научно-
       исследовательский
       институт "Вега",
       г. Воронеж

197.   Техническое        220                                 220                                           2011   7500      ускорение и повышение
       перевооружение     ____                                ___                                                            качества разработки
       лабораторной и     110*                                110                                                            перспективных
       производственно-                                                                                                      программно
       технологической                                                                                                       реализуемых сетей
       базы нового                                                                                                           радиосвязи и серии
       поколения узлов                                                                                                       унифицированных
       связи в открытом                                                                                                      электронных модулей
       акционерном                                                                                                           для построения
       обществе                                                                                                              указанных сетей**
       "Тамбовский
       научно-
       исследовательский
       институт
       радиотехники
       "Эфир",
       г. Тамбов

198.   Техническое        915,4                                        400       360    77,7      77,7      2012-  2700***   серийное производство
       перевооружение     ______                                       ___       ___    _____     _____     2015             перспективной
       производства       457,7*                                       200       180    38,85     38,85                      номенклатуры
       открытого                                                                                                             резисторов, в том
       акционерного                                                                                                          числе чип-резисторов
       общества                                                                                                              в объеме 350-400 млн.
       "Российская                                                                                                           руб. в год**
       электроника",
       г. Москва

199.   Реконструкция и    720                                          400       320                        2012-  2300***   серийное производство
       техническое        ____                                         ___       ___                        2013             инфракрасных
       перевооружение     360*                                         200       160                                         оптоэлектронных
       для создания                                                                                                          компонентов и
       серийного                                                                                                             комплекса электронных
       производства                                                                                                          средств для
       инфракрасных                                                                                                          обеспечения
       оптоэлектронных                                                                                                       безопасности
       компонентов в                                                                                                         промышленных
       открытом                                                                                                              объектов**
       акционерном
       обществе
       "РЭ Комплексные
       системы",
       г. Санкт-
       Петербург

200.   Техническое        161,5              91,5     70                                                    2009-  2786      увеличение объемов
       перевооружение с   ______             ____     __                                                    2010             производства
       целью создания     136,5*             76,5     60                                                                     в 1,5 раза**
       производства                                                                                                          мощностью 4327 шт. в
       новых                                                                                                                 год
       электровакуумных
       приборов на
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Контакт",
       г. Саратов

201.   Техническое        178,375   50,200   70,675   57,5                                                  2008-  2015      обеспечение
       перевооружение и   _______   ______   ______   ____                                                  2010             увеличения объема
       реконструкция      150*      50       50       50                                                                     выпуска продукции до
       производства по                                                                                                       0,8 - 1,2 млрд.
       выпуску                                                                                                               рублей в год,
       электровакуумных                                                                                                      увеличения ресурса
       приборов сверх-                                                                                                       изделий, создания
       высокочастотного                                                                                                      новых приборов
       диапазона и                                                                                                           мощностью 706 шт. в
       специального                                                                                                          год**
       технологического
       оборудования в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Владыкинский
       механический
       завод",
       г. Москва

202.   Техническое        800                                          500       200    50        50        2012-  2750***   создание сборочного
       перевооружение     ____                                         ___       ___    __        __        2015             производства с
       для создания       400*                                         250       100    25        25                         использованием
       сборочного                                                                                                            микроминиатюрной
       производства                                                                                                          элементной базы, в
       электронных                                                                                                           том числе
       модулей с                                                                                                             микропроцессоров и
       использованием                                                                                                        матриц BGA**
       новейшей
       электронной базы
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Электромеха-
       нический завод
       "Звезда",
       г. Сергиев Посад,
       Московская
       область

203.   Реконструкция и    420                                          140       100    90        90        2012-  1450***   увеличение объема
       техническое        ____                                         ___       ___    __        __        2015             выпуска продукции до
       перевооружение с   210*                                         70        50     45        45                         520 млн. рублей
       целью создания                                                                                                        в год**
       контрактного
       производства
       электронных
       модулей
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Калужский завод
       телеграфной
       аппаратуры",
       г. Калуга

204.   Техническое        302                                          80        70     76        76        2012-  940***    внедрение современных
       перевооружение и   ____                                         __        __     __        __        2015             технологий, создание
       реконструкция      151*                                         40        35     38        38                         комплекса для
       производства и                                                                                                        проведения контроля
       приборно-                                                                                                             технологических
       измерительной                                                                                                         параметров и
       базы на                                                                                                               испытаний. Увеличение
       федеральном                                                                                                           объема выпуска
       государственном                                                                                                       продукции в
       унитарном                                                                                                             1,5 раза**
       предприятии
       "Таганрогский
       научно-
       исследовательский
       институт связи",
       г. Таганрог

205.   Техническое        480                                          160       140    90        90        2012-  1550***   производство
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    __        __        2015             наногетероструктурных
       реконструкция      240*                                         80        70     45        45                         сверхвысокочастотных
       пилотной                                                                                                              транзисторов и
       технологической                                                                                                       монолитных
       линии по                                                                                                              интегральных схем для
       изготовлению                                                                                                          систем связи,
       наногетерострук-                                                                                                      измерительной
       турных сверх-                                                                                                         техники,
       высокочастотных                                                                                                       радиолокации и
       транзисторов и                                                                                                        сверхвысокочастотной
       монолитных                                                                                                            радиометрии**
       интегральных схем
       для систем связи,
       измерительной
       техники,
       радиолокации и
       сверхвысокочас-
       тотной
       радиометрии в
       Учреждении
       Российской
       академии наук
       Институт сверх-
       высокочастотной
       полупроводниковой
       электроники РАН,
       г. Москва

206.   Техническое        300                                          80        70     75        75        2012-  910***    производство полного
       перевооружение и   ____                                         __        __     ____      ____      2015             функционального ряда
       реконструкция      150*                                         40        35     37,5      37,5                       массовых
       производства                                                                                                          отечественных
       испытательной                                                                                                         микроминиатюрных
       базы нового                                                                                                           пьезоэлектрических
       поколения пьезо-                                                                                                      генераторов,
       электрических                                                                                                         фильтров, резонаторов.
       генераторов,                                                                                                          Увеличение объема
       фильтров,                                                                                                             выпуска продукции до
       резонаторов в                                                                                                         230-250 млн. рублей
       открытом                                                                                                              в год**
       акционерном
       обществе "Завод
       "Метеор",
       г. Волжский,
       Волгоградская
       область

207.   Реконструкция и    400                                          120       120    80        80        2012-  720***    расширение
       техническое        ____                                         ___       ___    __        __        2015             производственных
       перевооружение     200*                                         60        60     40        40                         площадей выпуска
       научно-                                                                                                               приемо-передающих
       производственной                                                                                                      модулей на
       и лабораторной                                                                                                        720 кв. м**
       базы в открытом
       акционерном
       обществе "Ордена
       Трудового
       Красного
       Знамени
       федеральный
       научно-
       производственный
       центр по
       радиоэлектронным
       системам и
       информационным
       технологиям
       имени В.И.Шимко",
       г. Казань,
       Республика
       Татарстан

208.   Техническое        400                                          120       120    80        80        2012-  1540***   организация
       перевооружение с   ____                                         ___       ___    __        __        2015             контрактной сборки
       целью создания     200*                                         60        60     40        40                         массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства                                                                                                          производства
       унифицированных                                                                                                       контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 1,8 раза**
       модулей
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Нижегородский
       завод имени
       М.В.Фрунзе",
       г. Нижний
       Новгород

209.   Техническое        214,453   79       135,453                                                        2008-  2300      организация
       перевооружение с   _______   __       _______                                                        2009             контрактной сборки
       целью создания     150*      60       90                                                                              массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства                                                                                                          производства
       унифицированных                                                                                                       контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 2,5 раза**
       модулей на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Омское
       производственное
       объединение
       "Иртыш",
       г. Омск

210.   Техническое        300                                          80        70     75        75        2012-  1070***   организация
       перевооружение с   ____                                         __        __     ____      ____      2015             контрактной сборки
       целью создания     150*                                         40        35     37,5      37,5                       массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства                                                                                                          производства
       унифицированных                                                                                                       контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 1,5 раза**
       модулей в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Авангард",
       г. Санкт-
       Петербург

211.   Техническое        1000                                         380,52    280    169,74    169,74    2012-  3300***   обеспечение
       перевооружение с   ____                                         ______    ___    ______    ______    2015             изготовления печатных
       целью создания     500*                                         190,26    140    84,87     84,87                      плат с новыми
       контрактного                                                                                                          финишными покрытиями
       производства по                                                                                                       до 20 000 кв. м
       изготовлению                                                                                                          в год;
       печатных плат                                                                                                         обеспечение
       выше 5-го класса                                                                                                      изготовления
       точности и                                                                                                            унифицированных
       унифицированных                                                                                                       электронных модулей
       электронных                                                                                                           на печатных платах в
       модулей на                                                                                                            количестве до
       федеральном                                                                                                           400 тыс. шт. в год**
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Пензенское
       производственное
       объединение
       "Электроприбор",
       г. Пенза

212.   Техническое        600                                          200       160    120       120       2012-  1750***   внедрение современной
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             технологии с
       реконструкция      300*                                         100       80     60        60                         соответствующим
       производства                                                                                                          переоснащением
       электронных                                                                                                           высокопроизводи-
       сверхвысокочас-                                                                                                       тельным
       тотных модулей на                                                                                                     оборудованием.
       федеральном                                                                                                           Увеличение объема
       государственном                                                                                                       выпуска продукции в
       унитарном                                                                                                             1,5 раза**
       предприятии
       "Нижегородский
       научно-
       исследовательский
       приборострои-
       тельный институт
       "Кварц",
       г. Нижний
       Новгород

213.   Техническое        510                                          210       160    70        70        2012-  1645***   обеспечение
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    __        __        2015             разработки,
       реконструкция      255*                                         105       80     35        35                         производства и
       производства                                                                                                          аттестации средств
       систем,                                                                                                               комплексов и систем
       комплексов и                                                                                                          защиты информации.
       средств, защиты                                                                                                       Увеличение объема
       информации на                                                                                                         выпуска продукции до
       федеральном                                                                                                           0,8 - 1,2 млрд.
       государственном                                                                                                       рублей**
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       исследовательский
       институт
       автоматики",
       г. Москва

214.   Техническое        300                                          80        70     75        75        2012-  935***    обеспечение
       перевооружение и   ____                                         __        __     ____      ____      2015             потребности
       реконструкция      150*                                         40        35     37,5      37,5                       организаций в базовых
       регионального                                                                                                         несущих конструкциях
       производства                                                                                                          для всех видов
       базовых несущих                                                                                                       радиоэлектронной
       конструкций (БНК)                                                                                                     аппаратуры.
       на федеральном                                                                                                        Увеличение объема
       государственном                                                                                                       выпуска продукции в
       унитарном                                                                                                             2 раза**
       предприятии
       "Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       "Градиент",
       г. Ростов-на-Дону

215.   Реконструкция и    360                                          90        90     90        90        2012-  1060***   обеспечение
       техническое        ____                                         __        __     __        __        2015             разработки,
       перевооружение     180*                                         45        45     45        45                         производства и
       производственно-                                                                                                      аттестации комплексов
       технологической и                                                                                                     средств автоматизации
       лабораторно-                                                                                                          информационно-
       испытательной                                                                                                         управляющих систем.
       базы для создания                                                                                                     Увеличение объема
       комплексов                                                                                                            выпуска продукции до
       средств                                                                                                               0,52 млрд. рублей**
       автоматизации
       информационно-
       управляющих
       систем на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Ордена
       Трудового
       Красного
       Знамени научно-
       исследовательский
       институт
       автоматической
       аппаратуры
       им. академика
       В.С.Семенихина",
       г. Москва

216.   Техническое        300                                          80        70     75        75        2012-  1250***   организация
       перевооружение с   ____                                         __        __     ____      ____      2015             контрактной сборки
       целью создания     150*                                         40        35     37,5      37,5                       массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства                                                                                                          производства
       унифицированных                                                                                                       контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 1,8 раза**
       модулей на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Калугаприбор",
       г. Калуга

217.   Техническое        300                                          80        70     75        75        2012-  1100***   организация
       перевооружение с   ____                                         __        __     ____      ____      2015             контрактной сборки
       целью создания     150*                                         40        35     37,5      37,5                       массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства уни-                                                                                                     производства
       фицированных                                                                                                          контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 1,7 раза**
       модулей на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Ростовский-на-
       Дону научно-
       исследовательский
       институт
       радиосвязи",
       г. Ростов-на-Дону

218.   Техническое        300                                          80        70     75        75        2012-  1060***   организация
       перевооружение с   ____                                         __        __     __        ____      2015             контрактной сборки
       целью создания     150*                                         40        35     37,5      37,5                       массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства                                                                                                          производства
       унифицированных                                                                                                       контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 2,5 раза**
       модулей на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Ордена
       Трудового
       Красного
       Знамени научно-
       исследовательский
       институт
       автоматической
       аппаратуры
       им. академика
       В.С.Семенихина",
       г. Москва

219.   Техническое        300                                          70        90     70        70        2012-  970***    организация
       перевооружение с   ____                                         __        __     __        __        2015             контрактной сборки
       целью создания     150*                                         35        45     35        35                         массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства уни-                                                                                                     производства
       фицированных                                                                                                          контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 2,5 раза**
       модулей
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Курский завод
       "Маяк", г. Курск

220.   Техническое        400                                          100       200    50        50        2012-  1600***   организация
       перевооружение с   ____                                         ___       ___    __        __        2015             контрактной сборки
       целью создания     200*                                         50        100    25        25                         массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства уни-                                                                                                     производства
       фицированных                                                                                                          контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 1,8 раза**
       модулей на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       исследовательский
       институт "Полюс"
       имени
       М.Ф.Стельмаха,
       г. Москва

221.   Техническое        300                                          100       100    50        50        2012-  1210***   организация
       перевооружение с   ____                                         ___       ___    __        __        2015             контрактной сборки
       целью создания     150*                                         50        50     25        25                         массовой продукции,
       контрактного                                                                                                          увеличение объема
       производства уни-                                                                                                     производства
       фицированных                                                                                                          контрактной продукции
       электронных                                                                                                           в 1,7 раза**
       модулей на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       исследовательский
       институт
       телевидения",
       г. Санкт-
       Петербург

222.   Техническое        240                                          60        60     60        60        2012-  1000***   увеличение объема
       перевооружение с   ____                                         __        __     __        __        2015             производства
       целью создания     120*                                         30        30     30        30                         в 1,5 раза**
       мощностей по
       выпуску
       источников
       вторичного
       электропитания в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Специальное
       конструкторско-
       технологическое
       бюро по релейной
       технике",
       г. Великий
       Новгород

223.   Реконструкция и    400                                          100       140    80        80        2012-  1210***   увеличение объема
       техническое        ____                                         ___       ___    __        __        2015             производства
       перевооружение     200*                                         50        70     40        40                         радиоэлектронных
       производства и                                                                                                        изделий на 170 млн.
       испытательной                                                                                                         рублей**
       базы широкополос-
       ных сверх-
       высокочастотных
       устройств на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Брянский
       электромехани-
       ческий завод",
       г. Брянск

224.   Техническое        100                                          100                                  2012   325***    увеличение объема
       перевооружение и   ___                                          ___                                                   выпуска продукции на
       реконструкция      50*                                          50                                                    100 млн. рублей,
       производственно-                                                                                                      освоение серийного
       испытательных                                                                                                         производства изделий
       мощностей на                                                                                                          "Орион-3М",
       федеральном                                                                                                           "Орион-3СМ", "Анализ",
       государственном                                                                                                       "Страж-ПМ" и других**
       унитарном
       предприятии
       "Государственное
       конструкторское
       бюро аппаратно-
       программных
       средств "Связь",
       г. Ростов-на-Дону

225.   Техническое        800                                          200       240    180       180       2012-  2285***   увеличение объема
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             выпуска продукции до
       реконструкция      400*                                         100       120    90        90                         1,5 - 2 млрд. рублей
       научно-                                                                                                               в год, снижение
       технического и                                                                                                        себестоимости
       производственного                                                                                                     продукции**
       комплексов по
       выпуску
       электровакуумных
       приборов сверх-
       высокочастотного
       диапазона на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Торий",
       г. Москва

226.   Техническое        178,61    102,6    76,01                                                          2008-  2010      увеличение объема
       перевооружение и   ______    _____    _____                                                          2009             выпуска продукции
       реконструкция      169,8*    100      69,8                                                                            в 2 раза**
       регионального
       производства
       базовых несущих
       конструкций
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Полет",
       г. Нижний
       Новгород

227.   Техническое        480                                          200       180    50        50        2012-  1450***   организация
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    __        __        2015             производства базисных
       реконструкция      240*                                         100       90     25        25                         материалов и
       производства,                                                                                                         элементов для
       метрологической и                                                                                                     разработки приборов и
       стендовой базы                                                                                                        устройств контроля
       для                                                                                                                   сверхмалых количеств
       нанострукту-                                                                                                          химических и
       рированных                                                                                                            биологических веществ
       материалов,                                                                                                           с использованием
       слоистых                                                                                                              наноструктури-
       структур и                                                                                                            рованных материалов,
       композитов на их                                                                                                      слоистых структур и
       основе в открытом                                                                                                     композитов на их
       акционерном                                                                                                           основе**
       обществе
       "Центральный
       научно-
       исследовательский
       технологический
       институт
       "Техномаш",
       г. Москва

228.   Реконструкция      400                                          100       100    100       100       2012-  1145***   увеличение объема
       и технческое       ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производства изделий
       перевооружение     200*                                         50        50     50        50                         до 1,9 млн. шт. и
       испытательного                                                                                                        650 млн. рублей**
       центра для
       обеспечения
       комплекса работ
       по корпусированию
       и испытаниям
       сложно-
       функциональных
       интегральных схем
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Российский
       научно-
       исследовательский
       институт "Элек-
       тронстандарт",
       г. Санкт-
       Петербург

229.   Реконструкция и    700                                          180       160    180       180       2012-  1890***   увеличение объема
       техническое        ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             выпуска продукции на
       перевооружение     350*                                         90        80     90        90                         2 млрд. рублей**
       технологической
       линии по
       производству
       прецизионных
       многослойных
       печатных плат в
       открытом
       акционерном
       обществе "Омский
       приборострои-
       тельный ордена
       Трудового
       Красного Знамени
       завод им.
       Н.Г.Козицкого",
       г. Омск

230.   Реконструкция и    557,6     113,5    108,4    115,7   220                                           2008-  879       создание
       техническое        _____     _____    _____    _____   ___                                           2011             конкурентоспособных
       перевооружение     403*      110      88       95      110                                                            изделий мирового
       производственно-                                                                                                      уровня. Разработка
       технологической и                                                                                                     технологий двойного
       лабораторно-                                                                                                          назначения.
       испытательной                                                                                                         Увеличение объема
       базы на                                                                                                               производства в
       федеральном                                                                                                           1,5 раза**
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       исследовательский
       институт "Экран",
       г. Самара

231.   Реконструкция и    714,7                       15,5    79,2     180       140    150       150       2010-  3531      создание комплексов
       техническое        _____                       ____    ____     ___       ___    ___       ___       2015             конкурентоспособной
       перевооружение     360*                        10,4    39,6     90        70     75        75                         аппаратуры
       производственно-                                                                                                      специальной
       технологической и                                                                                                     радиосвязи и
       лабораторной базы                                                                                                     управления.
       для комплексов                                                                                                        Увеличение объема
       специальной                                                                                                           выпуска продукции в
       радиосвязи и                                                                                                          1,5 раза**
       управления на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Омский научно-
       исследовательский
       институт
       приборостроения",
       г. Омск

232.   Реконструкция и    280                                          70        70     70        70        2012-  900***    повышение
       техническое        ____                                         __        __     __        __        2015             конкурентоспособности,
       перевооружение     140*                                         35        35     35        35                         снижение сроков
       моделирующего                                                                                                         разработки на 4-5
       центра в открытом                                                                                                     месяцев.
       акционерном                                                                                                           Создание
       обществе "Научно-                                                                                                     поведенческих моделей
       исследовательский                                                                                                     систем реального
       институт                                                                                                              времени,
       вычислительных                                                                                                        использование систем
       комплексов                                                                                                            поддержки принятия
       им. М.А.Карцева",                                                                                                     решений, проведение и
       г. Москва                                                                                                             анализ полунатурных
                                                                                                                             испытаний, отработка
                                                                                                                             алгоритмов
                                                                                                                             искусственного
                                                                                                                             интеллекта.
                                                                                                                             Сокращение сроков
                                                                                                                             испытания
                                                                                                                             в 1,5 - 2 раза.
                                                                                                                             Применение CALS-
                                                                                                                             технологий с целью
                                                                                                                             сокращения затрат и
                                                                                                                             поддержки жизненного
                                                                                                                             цикла разрабатываемых
                                                                                                                             систем**

233.   Техническое        560                                          160       170    115       115       2012-  1650***   увеличение объема
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ____      ____      2015             выпуска продукции до
       реконструкция      280*                                         80        85     57,5      57,5                       421,5 млн. рублей**
       производственно-
       технологической и
       лабораторно-
       испытательной
       базы по созданию
       модернизированной
       системы
       идентификации на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Пензенское
       производственное
       объединение
       электронной
       вычислительной
       техники",
       г. Пенза

234.   Техническое        600                                          200       160    120       120       2012-  1665***   создание
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             метрологической,
       реконструкция      300*                                         100       80     60        60                         испытательной базы
       метрологической,                                                                                                      для разработки и
       испытательной                                                                                                         производства
       базы и                                                                                                                контрольно-
       производства                                                                                                          измерительной
       оптических                                                                                                            аппаратуры
       изделий на                                                                                                            миллиметрового
       федеральном                                                                                                           диапазона длин волн.
       государственном                                                                                                       Увеличение объема
       унитарном                                                                                                             производства
       предприятии                                                                                                           квантовых рубидиевых
       "Нижегородский                                                                                                        стандартов частоты в
       научно-                                                                                                               3 раза**
       исследовательский
       приборо-
       строительный
       институт "Кварц",
       г. Нижний
       Новгород

235.   Техническое        190                                          100       90                         2012-  633***    создание
       перевооружение и   ___                                          ___       __                         2013             сверхширокополосных
       реконструкция      95*                                          50        45                                          измерительных
       стендовой и                                                                                                           комплексов для
       испытательной                                                                                                         измерения параметров
       базы сложных                                                                                                          одиночных антенн и
       радио-                                                                                                                линейных, плоских и
       электронных                                                                                                           объемных решеток
       систем и                                                                                                              систем навигации,
       комплексов в                                                                                                          посадки и
       открытом                                                                                                              радиолокации в
       акционерном                                                                                                           ближней и дальней
       обществе                                                                                                              зонах (до 1000 м) и
       "Производственное                                                                                                     модернизация
       объединение"                                                                                                          существующей в
       Азимут",                                                                                                              организации
       г. Махачкала,                                                                                                         испытательной базы
       Республика                                                                                                            для проведения научно-
       Дагестан                                                                                                              исследовательских и
                                                                                                                             опытно-
                                                                                                                             конструкторских
                                                                                                                             работ**

236.   Техническое        570                                 70       140       120    120       120       2011-  2000      увеличение объема
       перевооружение     ____                                __       ___       ___    ___       ___       2015             выпуска продукции до
       производственно-   285*                                35       70        60     60        60                         3 - 3,5 млрд. рублей
       технологической и                                                                                                     в год**
       лабораторно-
       испытательной
       базы в открытом
       акционерном
       обществе "Научно-
       исследовательский
       институт
       полупроводниковых
       приборов",
       г. Томск

237.   Техническое        1160                                73,24    280       320    243,38    243,38    2011-  1500      увеличение объема
       перевооружение и   ____                                _____    ___       ___    ______    ______    2015             производства
       реконструкция      580*                                36,62    140       160    121,69    121,69                     монолитно-
       производства                                                                                                          интегральных и
       сверх-                                                                                                                гибридно-монолитных
       высокочастотной                                                                                                       приборов и
       техники на                                                                                                            электронных
       федеральном                                                                                                           компонентов
       государственном                                                                                                       (в том числе
       унитарном                                                                                                             импортозамещающих) до
       предприятии                                                                                                           250 тыс. шт. в год,
       "Научно-                                                                                                              электровакуумных и
       производственное                                                                                                      вакуумно-
       предприятие                                                                                                           твердотельных модулей
       "Салют",                                                                                                              (в том числе на
       г. Нижний                                                                                                             основе
       Новгород                                                                                                              микроминиатюрных ламп
                                                                                                                             бегущей волны) до
                                                                                                                             1 тыс. шт. в год,
                                                                                                                             унифицированных
                                                                                                                             приемо-передающих
                                                                                                                             модулей (в диапазоне
                                                                                                                             частот 20 - 150 ГГц)
                                                                                                                             до 1,5 тыс. шт.
                                                                                                                             в год**

238.   Реконструкция и    224                                          120       104                        2012-  4590***   увеличение объема
       техническое        ____                                         ___       ___                        2013             выпуска продукции до
       перевооружение     112*                                         60        52                                          761,5 млн. рублей
       для выпуска                                                                                                           в год. Серийный
       теплоотводящих                                                                                                        выпуск электронных
       керамических                                                                                                          компонентов,
       подложек для                                                                                                          керамических
       твердотельных                                                                                                         подложек,
       сверх-                                                                                                                керамических
       высокочастотных                                                                                                       корпусов,
       устройств и IGBT-                                                                                                     обеспечивающих
       модулей в                                                                                                             увеличение объемов
       открытом                                                                                                              производства в
       акционерном                                                                                                           различных отраслях
       обществе                                                                                                              промышленности,
       "Холдинговая                                                                                                          сверхвысокочастотной
       компания                                                                                                              техники и силовой
       "Новосибирский                                                                                                        полупроводниковой
       электровакуумный                                                                                                      электроники**
       завод - Союз",
       г. Новосибирск

239.   Техническое        640                                          200       200    120       120       2012-  1940***   реконструкция
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             опытного производства
       реконструкция      320*                                         100       100    60        60                         с учетом реализации
       опытного                                                                                                              новых технологий по
       приборного                                                                                                            изготовлению
       производства в                                                                                                        интегральных сборок,
       открытом                                                                                                              датчиков на
       акционерном                                                                                                           пьезопленках и других**
       обществе "Концерн
       "Океанприбор",
       г. Санкт-
       Петербург

240.   Реконструкция и    832                                          200       240    196       196       2012-  2450***   комплексное
       техническое        ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             дооснащение базовых
       перевооружение     416*                                         100       120    98        98                         технологий
       организации для                                                                                                       производства
       совершенствования                                                                                                     электронных средств
       судовой электро-                                                                                                      вычислительной
       технической                                                                                                           техники с целью
       продукции в                                                                                                           импортозамещения и
       Федеральном                                                                                                           повышения
       научно-                                                                                                               конкурентоспособности;
       производственном                                                                                                      создание
       центре открытом                                                                                                       экспериментально-
       акционерном                                                                                                           лабораторного
       обществе                                                                                                              комплекса для
       "Научно-                                                                                                              проведения контроля
       производственное                                                                                                      технологических
       объединение                                                                                                           параметров и
       "Марс",                                                                                                               испытаний**
       г. Ульяновск

241.   Реконструкция и    240                                          80        60     50        50        2012-  800***    техническое
       техническое        ____                                         __        __     __        __        2015             перевооружение
       перевооружение     120*                                         40        30     25        25                         обеспечит:
       опытно-                                                                                                               внедрение современных
       эксперименталь-                                                                                                       технологий
       ного производства                                                                                                     производства модулей
       модулей                                                                                                               функциональной
       функциональной                                                                                                        микроэлектроники;
       микроэлектроники                                                                                                      рост объема
       в открытом                                                                                                            производства
       акционерном                                                                                                           функциональных
       обществе "Концерн                                                                                                     модулей в 2 - 2,5
       "Гранит -                                                                                                             раза;
       Электрон",                                                                                                            расширение
       г. Санкт-                                                                                                             номенклатуры без
       Петербург                                                                                                             существенных затрат
                                                                                                                             на подготовку
                                                                                                                             производства;
                                                                                                                             промышленное освоение
                                                                                                                             технологий
                                                                                                                             влагозащиты и
                                                                                                                             электроизоляции
                                                                                                                             модулей**

242.   Создание           1100                                         280       270    275       275       2012-  3250***   создание участков по
       производственного  ____                                         ___       ___    _____     _____     2015             производству
       комплекса для      550*                                         140       135    137,5     137,5                      кремниевых датчиков,
       массового                                                                                                             многослойных плат,
       производства                                                                                                          сборке и
       компонентов                                                                                                           корпусированию
       инерциальных                                                                                                          инерциальных
       микромеханических                                                                                                     микромеханических
       датчиков двойного                                                                                                     изделий**
       назначения на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Центральный
       научно-
       исследовательский
       институт
       "Электроприбор",
       г. Санкт-
       Петербург

243.   Реконструкция      620                                          160       260    100       100       2012-  2065***   внедрение современных
       инженерно-         ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             базовых технологий
       испытательного     310*                                         80        130    50        50                         производства
       корпуса в                                                                                                             электронных модулей
       открытом                                                                                                              цифровой и
       акционерном                                                                                                           цифроаналоговой
       обществе                                                                                                              вычислительной
       "Концерн                                                                                                              техники;
       "Гранит -                                                                                                             обеспечение
       Электрон",                                                                                                            разработки и
       г. Санкт-                                                                                                             производства базовых
       Петербург                                                                                                             унифицированных
                                                                                                                             электронных модулей.
                                                                                                                             Увеличение объема
                                                                                                                             поставок до 10000 шт.
                                                                                                                             в год**

244.   Техническое        460                                          80        70     155       155       2012-  1705***   создание новой
       перевооружение     ____                                         __        __     ____      ____      2015             оптической элементной
       производственно-   230*                                         40        35     77,5      77,5                       базы перспективных
       технологического                                                                                                      оптико-электронных
       комплекса по                                                                                                          систем,
       созданию оптико-                                                                                                      обеспечивающей
       электронной                                                                                                           предельно возможные
       компонентной базы                                                                                                     технические параметры
       на открытом                                                                                                           систем, в том числе
       акционерном                                                                                                           комплексированных и
       обществе "Научно-                                                                                                     многоспектральных
       производственное                                                                                                      оптических каналов**
       объединение
       "Государственный
       институт
       прикладной
       оптики",
       г. Казань,
       Республика
       Татарстан

245.   Реконструкция      640                                          160       200    140       140       2012-  2000***   разработка,
       производственно-   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             испытания, опытные
       испытательного     320*                                         80        100    70        70                         поставки и серийное
       комплекса                                                                                                             производство новых
       федерального                                                                                                          видов оптико-
       государственного                                                                                                      электронных систем,
       унитарного                                                                                                            обеспечивающих
       предприятия                                                                                                           предельно возможные
       "Научно-                                                                                                              технические параметры
       производственная                                                                                                      изделий**
       корпорация
       "Государственный
       оптический
       институт имени
       С.И.Вавилова",
       г. Санкт-
       Петербург

246.   Реконструкция      700                                          180       160    180       180       2012-  2100***   создание единого
       корпуса 2Ж для     ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             аналитического центра
       создания           350*                                         90        80     90        90                         по исследованиям и
       лабораторно-                                                                                                          сертификации
       аналитического                                                                                                        важнейших материалов
       центра                                                                                                                и компонентов
       инфракрасной                                                                                                          инфракрасной
       фото- и                                                                                                               фотоэлектроники**
       оптоэлектроники
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "НПО "Орион",
       г. Москва

247.   Техническое        3720                                         1000      300    1210      1210      2012-  12400***  создание
       перевооружение     _____                                        ____      ___    ____      ____      2015             производственно-
       производственно-   1860*                                        500       150    605       605                        технологического
       технологического                                                                                                      комплекса, который
       комплекса по                                                                                                          обеспечит
       созданию                                                                                                              промышленный выпуск
       оптоэлектронной                                                                                                       изделий компонентной
       компонентной                                                                                                          базы 2-го и 3-го
       базы на                                                                                                               поколений и оптико-
       федеральном                                                                                                           электронных систем на
       государственном                                                                                                       их основе с
       унитарном                                                                                                             параметрами,
       предприятии                                                                                                           превышающими
       "НПО "Орион",                                                                                                         современный и
       г. Москва                                                                                                             прогнозируемый
                                                                                                                             мировой уровень**

248.   Техническое        600                                          160       140    150       150       2012-  2500***   создание инфракрасных
       перевооружение     ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             матричных
       производственно-   300*                                         80        70     75        75                         фотоприемных
       технологической                                                                                                       устройств нового
       базы в открытом                                                                                                       поколения и
       акционерном                                                                                                           организация на их
       обществе                                                                                                              основе производства
       "Московский                                                                                                           тепловизионной
       завод "Сапфир",                                                                                                       аппаратуры широкого
       г. Москва                                                                                                             применения**

249.   Техническое        420                                          70        60     145       145       2012-  1500***   обеспечение
       перевооружение     ____                                         __        __     ____      ____      2015             возможности
       стендово-          210*                                         35        30     72,5      72,5                       проведения испытаний
       экспериментальной                                                                                                     опытных образцов
       базы на                                                                                                               источников
       федеральном                                                                                                           электроэнергии,
       государственном                                                                                                       статических
       унитарном                                                                                                             преобразователей и
       предприятии                                                                                                           аппаратуры защиты и
       "Научно-                                                                                                              коммутации для
       исследовательский                                                                                                     проекта "полностью
       институт                                                                                                              электрический
       авиационного                                                                                                          самолет"**
       оборудования",
       г. Жуковский,
       Московская
       область

250.   Техническое        520                                          140       120    130       130       2012-  1900***   изготовление
       перевооружение     ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             конкурентоспособных
       производственной   260*                                         70        60     65        65                         изделий авиационной
       базы, освоение                                                                                                        техники,
       инновационных                                                                                                         соответствующих
       технологий для                                                                                                        современным и
       изготовления                                                                                                          перспективным
       радиоэлектронных                                                                                                      международным
       изделий                                                                                                               стандартам**
       авиационной
       техники с
       использованием
       новых уровней
       технологий
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Научно-
       исследовательский
       институт
       авиационного
       оборудования",
       г. Жуковский,
       Московская
       область

251.   Реконструкция и    376                                          70        60     123       123       2012-  1175***   создание
       техническое        ____                                         __        __     ____      ____      2015             производственных
       перевооружение     188*                                         35        30     61,5      61,5                       мощностей по
       экспериментально-                                                                                                     производству
       технологической                                                                                                       современной
       базы для                                                                                                              микроэлектронной
       производства                                                                                                          аппаратуры**
       микроэлектронных
       изделий в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Казанское при-
       боростроительное
       конструкторское
       бюро", г. Казань,
       Республика
       Татарстан

252.   Реконструкция и    230                                          60        50     60        60        2012-  695***    производство
       техническое        ____                                         __        __     __        __        2015             конкурентоспособной
       перевооружение     115*                                         30        25     30        30                         продукции, обладающей
       цеха по                                                                                                               современными
       производству                                                                                                          показателями по
       первичных                                                                                                             надежности,
       преобразователей                                                                                                      быстродействию и
       и вторичной                                                                                                           массогабаритным
       аппаратуры                                                                                                            характеристикам**
       в открытом
       акционерном
       обществе
       "Казанское при-
       боростроительное
       конструкторское
       бюро", г. Казань,
       Республика
       Татарстан

253.   Реконструкция и    458                                          80        70     154       154       2012-  1350***   серийное производство
       техническое        ____                                         __        __     ___       ___       2015             широкой номенклатуры
       перевооружение     229*                                         40        35     77        77                         статических
       производства                                                                                                          преобразователей
       электронных                                                                                                           напряжения
       систем                                                                                                                авиационных
       самолетного                                                                                                           перспективных
       энергоснабжения                                                                                                       объектов (проект
       в открытом                                                                                                            "полностью
       акционерном                                                                                                           электрический
       обществе                                                                                                              самолет", истребитель
       "Агрегатное                                                                                                           5-го поколения,
       конструкторское                                                                                                       программа развития
       бюро "Якорь",                                                                                                         гражданской
       г. Москва                                                                                                             авиационной техники)**

254.   Создание           1070                                         280       260    265       265       2012-  4460***   полигон позволит
       электронного       ____                                         ___       ___    _____     _____     2015             проводить работы с
       полигона по        535*                                         140       130    132,5     132,5                      радиоэлектронной
       исследованиям,                                                                                                        аппаратурой в
       отработке и                                                                                                           условиях реального
       сертификации                                                                                                          полета с учетом
       бортового                                                                                                             информационного
       авиационного                                                                                                          взаимодействия с
       радиоэлектронного                                                                                                     наземными и
       оборудования на                                                                                                       самолетными системами
       федеральном                                                                                                           обеспечения
       государственном                                                                                                       воздушного движения в
       унитарном                                                                                                             реальных условиях
       предприятии                                                                                                           естественных и
       "Летно-                                                                                                               промышленных помех**
       исследовательский
       институт имени
       М.М.Громова",
       г. Жуковский,
       Московская
       область

255.   Создание центра    400                                          100       100    100       100       2012-  1300***   создание новой
       сертификации       ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             позиции для
       аппаратных         200*                                         50        50     50        50                         проведения
       средств                                                                                                               сертификации
       бортовой                                                                                                              аппаратных модулей
       вычислительной                                                                                                        бортовой
       техники на                                                                                                            вычислительной
       федеральном                                                                                                           техники, включающей:
       государственном                                                                                                       аппаратное и
       унитарном                                                                                                             программное оснащение
       предприятии                                                                                                           центра сертификации;
       "Государственный                                                                                                      создание и освоение
       научно-                                                                                                               базовых инженерных
       исследовательский                                                                                                     методик проведения
       институт                                                                                                              сертификации;
       авиационных                                                                                                           акты ввода в
       систем",                                                                                                              эксплуатацию центра
       г. Москва                                                                                                             сертификации**

256.   Создание           500                                          120       150    115       115       2012-  1785***   создание
       распределенной     ____                                         ___       ___    ____      ____      2015             распределенной
       отраслевой         250*                                         60        75     57,5      57,5                       информационно-
       стендово-                                                                                                             связанной сети
       имитационной                                                                                                          стендов, на которой
       среды                                                                                                                 будут проводиться
       исследований,                                                                                                         исследования
       отработки                                                                                                             архитектур и
       прикладного                                                                                                           информационных
       математического                                                                                                       потоков,
       обеспечения,                                                                                                          соответствующих
       отладки и                                                                                                             различным условиям
       испытаний систем                                                                                                      полета, интерфейсов,
       и комплексов                                                                                                          отработка системного
       авиационного                                                                                                          и функционального
       бортового                                                                                                             математического
       радиоэлектронного                                                                                                     обеспечения, отладка
       оборудования на                                                                                                       прикладного
       федеральном                                                                                                           математического
       государственном                                                                                                       обеспечения и
       унитарном                                                                                                             радиоэлектронной
       предприятии                                                                                                           бортовой аппаратуры,
       "Государственный                                                                                                      наземные
       научно-                                                                                                               сертификационные
       исследовательский                                                                                                     испытания
       институт                                                                                                              радиоэлектронных
       авиационных                                                                                                           систем и комплексов**
       систем",
       г. Москва

257.   Техническое        1040                                         260       240    270       270       2012-  3850***   освоение:
       перевооружение     ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             базовой конструкции
       производства в     520*                                         130       120    135       135                        фоточувствительных
       открытом                                                                                                              приборов с матричными
       акционерном                                                                                                           приемниками высокого
       обществе "Научно-                                                                                                     разрешения для
       производственный                                                                                                      видимого и ближнего
       комплекс                                                                                                              инфракрасного
       "Технокомплекс",                                                                                                      диапазона на основе
       г. Раменское,                                                                                                         применения
       Московская                                                                                                            отечественной
       область                                                                                                               электронной
                                                                                                                             компонентной базы;
                                                                                                                             технологии создания
                                                                                                                             фоточувствительных
                                                                                                                             приборов с матричными
                                                                                                                             приемниками высокого
                                                                                                                             разрешения для
                                                                                                                             видимого и ближнего
                                                                                                                             инфракрасного
                                                                                                                             диапазона на основе
                                                                                                                             применения
                                                                                                                             отечественной
                                                                                                                             электронной
                                                                                                                             компонентной базы**

258.   Техническое        296                                          80        80     68        68        2012-  1020***   ввод в эксплуатацию
       перевооружение     ____                                         __        __     __        __        2015             производственных
       участков монтажа   148*                                         40        40     34        34                         линий с высокой
       электронных                                                                                                           степенью
       систем                                                                                                                автоматизации
       и электронно-                                                                                                         производства
       оптических                                                                                                            современной
       модулей на                                                                                                            авиационной
       федеральном                                                                                                           радиоэлектронной и
       государственном                                                                                                       оптико-электронной
       унитарном                                                                                                             аппаратуры для
       предприятии                                                                                                           коммерческой и
       "Санкт-                                                                                                               военной авиации**
       Петербургское
       опытно-
       конструкторское
       бюро "Электро-
       автоматика" имени
       П.А.Ефимова",
       г. Санкт-
       Петербург

                                2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

259.   Техническое        100                                 100                                           2011   135,1     создание
       перевооружение     ___                                 ___                                                            межотраслевого
       федерального       50*                                 50                                                             базового центра
       государственного                                                                                                      системного
       унитарного                                                                                                            проектирования**
       предприятия
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Пульсар",
       г. Москва, для
       создания
       межотраслевого
       базового центра
       системного
       проектирования

260.   Реконструкция и    119,873   119,873                                                                 2008   1911      создание базового
       техническое        _______   _______                                                                                  центра системного
       перевооружение     60        60                                                                                       проектирования
       открытого                                                                                                             производительностью
       акционерного                                                                                                          40 аппаратно-
       общества                                                                                                              программных
       "Информационные                                                                                                       комплексов в год**
       телекоммуни-
       кационные
       технологии",
       г. Санкт-
       Петербург,
       для создания
       базового центра
       полного цикла
       проектирования и
       производства
       аппаратно-
       программных
       комплексов

261.   Техническое        120                                 120                                           2011   1324      обеспечение
       перевооружение     ___                                 ___                                                            проектирования,
       для создания       60*                                 60                                                             производства,
       базового центра                                                                                                       испытаний, контроля,
       системного                                                                                                            тестирования и
       проектирования                                                                                                        сертификации
       микроэлектронных                                                                                                      перспективных
       модулей нового                                                                                                        изделий, включая
       поколения на                                                                                                          климатические,
       основе                                                                                                                механические,
       технологии                                                                                                            надежностные и другие
       "систем в                                                                                                             специализированные
       модуле" двойного                                                                                                      испытания, а также
       и специального                                                                                                        сертификации
       применения на                                                                                                         выпускаемых изделий
       открытом                                                                                                              по требованиям
       акционерном                                                                                                           различных категорий
       обществе                                                                                                              заказчиков и
       "Научно-                                                                                                              производств**
       исследовательский
       институт
       "Вектор",
       г. Санкт-
       Петербург

262.   Техническое        50                                  50                                            2011   422,8     создание базового
       перевооружение     ___                                 __                                                             центра системного
       открытого          25*                                 25                                                             проектирования**
       акционерного
       общества
       "Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       радиотехники",
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

263.   Техническое        540                         80      460                                           2010-  151,3     создание базового
       перевооружение     ____                        __      ___                                           2011             центра системного
       открытого          270*                        40      230                                                            проектирования**
       акционерного
       общества "НИИ
       молекулярной
       электроники и
       завод "Микрон",
       г. Москва,
       для создания
       базового центра
       проектирования

264.   Реконструкция и    35,37              35,37                                                          2009   493       создание базового
       техническое        _____              _____                                                                           центра системного
       перевооружение     30*                30                                                                              проектирования**
       федерального
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Научно-
       исследовательский
       институт
       автоматики",
       г. Москва, для
       создания
       базового центра
       проектирования

265.   Техническое        140                                 140                                           2011   599,85    создание базового
       перевооружение     ___                                 ___                                                            центра системного
       федерального       70*                                 70                                                             проектирования**
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Восток",
       г. Новосибирск,
       для создания
       базового центра
       проектирования

266.   Техническое        182,3                       62,3    120                                           2010-  700       создание базового
       перевооружение     _____                       ____    ___                                           2011             центра системного
       открытого          100*                        40      60                                                             проектирования**
       акционерного
       общества "Концерн
       "Созвездие",
       г. Воронеж, для
       создания базового
       центра
       проектирования

267.   Техническое        130                         130                                                   2010   998       создание базового
       перевооружение     ____                        ___                                                                    центра системного
       открытого          100*                        100                                                                    проектирования
       акционерного                                                                                                          площадью 998 кв. м**
       общества "Концерн
       радиостроения
       "Вега", г. Москва,
       для создания
       базового центра
       проектирования

268.   Реконструкция и    120,6                       120,6                                                 2010   500       создание базового
       техническое        _____                       _____                                                                  центра системного
       перевооружение     60*                         60                                                                     проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 500 кв. м**
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Ростовский-
       на-Дону научно-
       исследовательский
       институт
       радиосвязи",
       г. Ростов-на-
       Дону,
       для создания
       базового центра
       проектирования

269.   Реконструкция и    17        17                                                                      2008   500       создание базового
       техническое        ___       __                                                                                       центра системного
       перевооружение     17*       17                                                                                       проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 500 кв. м**
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Омский
       научно-
       исследовательский
       институт
       приборостроения",
       г. Омск
       (развитие
       базового
       центра системного
       проектирования
       СБИС)

270.   Техническое        120                                 120                                           2011   490       создание базового
       перевооружение     ___                                 ___                                                            центра системного
       открытого          60*                                 60                                                             проектирования
       акционерного                                                                                                          площадью 490 кв. м**
       общества
       "Российский
       институт
       радионавигации и
       времени",
       г. Санкт-
       Петербург, для
       создания базового
       центра
       проектирования

271.   Реконструкция и    232                                          120       112                        2012-  800       создание базового
       техническое        ____                                         ___       ___                        2013             центра системного
       перевооружение     116*                                         60        56                                          проектирования
       открытого                                                                                                             площадью 800 кв. м**
       акционерного
       общества
       "Светлана",
       г. Санкт-
       Петербург,
       для создания
       базового центра
       проектирования

272.   Реконструкция и    80                          80                                                    2010   800       создание базового
       техническое        ______                      ______                                                                 центра системного
       перевооружение     80****                      80****                                                                 проектирования
       открытого                                                                                                             площадью 800 кв. м**
       акционерного
       общества
       "Центральный
       научно-
       исследовательский
       институт
       "Циклон",
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

272.1. Техническое        200                                 200                                           2011   648       создание базового
       перевооружение     ___                                 ___                                                            центра системного
       федерального       100                                 100                                                            проектирования
       государственного                                                                                                      площадью 648 кв. м**
       унитарного                                                                                                            мощностью 360 тыс. шт.
       предприятия
       "Государственный
       завод "Пульсар",
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

273.   Реконструкция и    68,9      68,9                                                                    2008   532       создание базового
       техническое        ____      ____                                                                                     центра системного
       перевооружение     60*       60                                                                                       проектирования**
       федерального
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Научно-
       исследовательский
       институт "Аргон",
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

274.   Реконструкция и    30                                                            15        15        2014-  500       создание базового
       техническое        ___                                                           ___       ___       2015             центра системного
       перевооружение     15*                                                           7,5       7,5                        проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 500 кв. м**
       государственного
       унитарного
       предприятия "НПО
       "Орион",
       г. Москва,
       для создания
       базового центра
       проектирования

275.   Реконструкция и    83,62              83,62                                                          2009   500       создание базового
       техническое        _____              _____                                                                           центра системного
       перевооружение     60*                60                                                                              проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 500 кв. м**
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Новосибирский
       завод полу-
       проводниковых
       приборов с ОКБ",
       г. Новосибирск,
       для создания
       базового центра
       проектирования

276.   Реконструкция и    101,54    101,54                                                                  2008   600       создание базового
       техническое        ______    ______                                                                                   центра системного
       перевооружение     80*       80                                                                                       проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 600 кв. м**
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Научно-
       исследовательский
       институт
       телевидения",
       г. Санкт-
       Петербург, для
       создания
       базового центра
       проектирования

277.   Техническое        140                                 140                                           2011   600       создание базового
       перевооружение     ___                                 ___                                                            центра системного
       открытого          70*                                 70                                                             проектирования
       акционерного                                                                                                          площадью 600 кв. м**
       общества
       "Концерн
       "Океанприбор",
       г. Санкт-
       Петербург, для
       создания
       базового центра
       проектирования

278.   Реконструкция и    75,4      75,4                                                                    2008   1097,8    создание базового
       техническое        _____     ____                                                                                     центра системного
       перевооружение     72,7*     72,7                                                                                     проектирования**
       федерального
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Нижегородский
       научно-
       исследовательский
       приборострои-
       тельный
       институт "Кварц",
       г. Нижний
       Новгород, для
       создания
       базового центра
       проектирования

279.   Техническое        104       104                                                                     2008   650       создание базового
       перевооружение и   ___       ___                                                                                      центра системного
       реконструкция      80*       80                                                                                       проектирования
       открытого                                                                                                             площадью 650 кв. м**
       акционерного
       общества
       "Корпорация
       "Тактическое
       ракетное
       вооружение",
       г. Королев,
       Московская
       область,
       для создания
       базового центра
       системного
       проектирования

280.   Техническое        240                                 240                                           2011   1134,5    создание базового
       перевооружение     ____                                ___                                                            центра системного
       федерального       120*                                120                                                            проектирования
       государственного                                                                                                      площадью 1134,5 кв. м**
       унитарного                                                                                                            мощностью 2000 шт.
       предприятия
       "Научно-
       исследовательский
       институт "Экран",
       г. Самара, для
       создания базового
       центра
       проектирования

281.   Создание базового  500                                          130       160    105       105       2012-  2000***   создание базового
       центра             ____                                         ___       ___    ____      ____      2015             центра по
       проектирования на  250*                                         65        80     52,5      52,5                       проектированию,
       базе федерального                                                                                                     моделированию,
       государственного                                                                                                      изготовлению,
       унитарного                                                                                                            тестированию и
       предприятия                                                                                                           сертификации
       "Научно-                                                                                                              перспективных
       производственная                                                                                                      оптических систем и
       корпорация                                                                                                            оптико-электронного
       "Государственный                                                                                                      оборудования**
       оптический
       институт имени
       С.И.Вавилова",
       г. Санкт-
       Петербург

282.   Реконструкция и    2200                                         590       520    545       545       2012-  8800***   повышение качества и
       техническое        _____                                        ___       ___    _____     _____     2015             надежности систем
       перевооружение     1100*                                        295       260    272,5     272,5                      цифровой обработки,
       открытого                                                                                                             систем твердотельных
       акционерного                                                                                                          передающих и приемных
       общества                                                                                                              систем, приемо-
       "Концерн ПВО                                                                                                          передающих модулей
       "Алмаз-Антей",                                                                                                        активных фазированных
       г. Москва, для                                                                                                        системных решеток
       создания базового                                                                                                     С-диапазона для
       центра                                                                                                                перспективных средств
       проектирования                                                                                                        связи, управления
       систем цифровой                                                                                                       воздушным движением и
       обработки,                                                                                                            формирования сигналов
       твердотельных                                                                                                         на кристалле для
       передающих и                                                                                                          радиолокационных
       приемных систем,                                                                                                      станций различного
       приемо-передающих                                                                                                     применения**
       модулей

283.   Реконструкция и    500                                          192,38    120    93,81     93,81     2012-  1925***   создание базового
       техническое        ____                                         ______    ___    ______    ______    2015             центра проектирования
       перевооружение     250*                                         96,19     60     46,905    46,905                     сложных
       для создания                                                                                                          функциональных блоков
       базового                                                                                                              и сверхбольших
       центра                                                                                                                интегральных схем
       проектирования                                                                                                        типа "система на
       в открытом                                                                                                            кристалле" для нового
       акционерном                                                                                                           поколения аппаратуры
       обществе "Концерн                                                                                                     и мобильных
       "Созвездие",                                                                                                          телекоммуникационных
       г. Воронеж                                                                                                            систем;
                                                                                                                             создание
                                                                                                                             конкурентоспособных
                                                                                                                             изделий для нового
                                                                                                                             поколения мобильных
                                                                                                                             телекоммуникационных
                                                                                                                             систем гражданского и
                                                                                                                             двойного назначения**

284.   Техническое        440                                 440                                           2011   1852      обеспечение
       перевооружение     ____                                ___                                                            производства
       для создания       220*                                220                                                            комплексных средств
       базового центра                                                                                                       автоматизации для
       системного                                                                                                            управления
       проектирования                                                                                                        автомобильным и
       (дизайн-центра)                                                                                                       железнодорожным
       радиоэлектронных                                                                                                      транспортом,
       модулей и узлов                                                                                                       объектами топливно-
       стационарных и                                                                                                        энергетического
       мобильных средств                                                                                                     комплекса**
       автоматизации в
       открытом
       акционерном
       обществе
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Рубин",
       г. Пенза

285.   Создание базового  200                         90      110                                           2010-  790       обеспечение
       центра системного  ____                        __      ___                                           2011             возможности
       проектирования     100*                        45      55                                                             изготовления
       унифицированных                                                                                                       разработанных
       электронных                                                                                                           электронных модулей
       модулей на                                                                                                            по современным
       основе                                                                                                                технологиям;
       современной                                                                                                           повышение надежности
       электронной                                                                                                           и качества и
       компонентной базы                                                                                                     ускорение разработки
       в открытом                                                                                                            конкурентоспособных
       акционерном                                                                                                           изделий мирового
       обществе                                                                                                              уровня;
       "Челябинский                                                                                                          разработка технологий
       радиозавод                                                                                                            двойного назначения**
       "Полет",
       г. Челябинск

286.   Создание базового  119,7                       119,7                                                 2010   750       обеспечение
       центра системного  _____                       _____                                                                  возможности
       проектирования     100*                        100                                                                    изготовления
       унифицированных                                                                                                       разработанных
       электронных                                                                                                           электронных модулей
       модулей на                                                                                                            по современным
       основе                                                                                                                технологиям;
       современной                                                                                                           разработка технологий
       электронной                                                                                                           двойного назначения**
       компонентной                                                                                                          мощностью 5 модулей в
       базы в открытом                                                                                                       год
       акционерном
       обществе
       "Рыбинский завод
       приборостро-
       ения",
       г. Рыбинск,
       Ярославская
       область

287.   Техническое        180                                 180                                           2011   640       обеспечение
       перевооружение     ___                                 ___                                                            проектирования,
       для создания       90*                                 90                                                             производства,
       базового центра                                                                                                       испытаний, контроля,
       системного                                                                                                            тестирования и
       проектирования                                                                                                        сертификации
       микроэлектронных                                                                                                      перспективных
       модулей нового                                                                                                        изделий, включая
       поколения на                                                                                                          климатические,
       основе                                                                                                                механические,
       технологии                                                                                                            надежностные и другие
       "систем в                                                                                                             специализированные
       модуле" двойного                                                                                                      испытания, а также
       и специального                                                                                                        сертификации
       применения на                                                                                                         выпускаемых изделий
       открытом                                                                                                              по требованиям
       акционерном                                                                                                           различных категорий
       обществе                                                                                                              заказчиков и
       "Калужский                                                                                                            производств**
       научно-
       исследовательский
       институт
       телемеханических
       устройств",
       г. Калуга

288.   Создание базового  30                          30                                                    2010   260       обеспечение
       центра системного  ______                      ______                                                                 проектирования,
       проектирования     30****                      30****                                                                 производства,
       микроэлектронных                                                                                                      испытаний, контроля,
       модулей нового                                                                                                        тестирования и
       поколения на                                                                                                          сертификации
       основе технологии                                                                                                     перспективных
       "систем в модуле"                                                                                                     изделий, включая
       двойного и                                                                                                            климатические,
       специального                                                                                                          механические,
       применения в                                                                                                          надежностные и другие
       открытом                                                                                                              специализированные
       акционерном                                                                                                           испытания, а также
       обществе                                                                                                              сертификации
       "Московский                                                                                                           выпускаемых изделий
       научно-                                                                                                               по требованиям
       исследовательский                                                                                                     различных категорий
       институт связи",                                                                                                      заказчиков и
       г. Москва                                                                                                             производств**

289.   Расширение         320                                          141,4     100    39,3      39,3      2012-  1330***   расширение
       базового центра    ____                                         _____     ___    _____     _____     2015             возможностей и
       системного         160*                                         70,7      50     19,65     19,65                      объемов базового
       проектирования по                                                                                                     центра системного
       проектированию                                                                                                        проектирования,
       радиоэлектронной                                                                                                      перевод ключевых
       аппаратуры на                                                                                                         проектов, выполняемых
       базе сверхбольших                                                                                                     концерном, на
       интегральных схем                                                                                                     использование
       "система на                                                                                                           технологии
       кристалле" в                                                                                                          современного
       открытом                                                                                                              системного
       акционерном                                                                                                           проектирования.
       обществе "Концерн                                                                                                     Ускорение процесса
       радиостроения                                                                                                         получения готовых
       "Вега", г. Москва                                                                                                     проектов не менее чем
                                                                                                                             в 2 раза**

290.   Техническое        210                                 210                                           2011   773,5     обеспечение
       перевооружение     ____                                ___                                                            проектирования,
       для создания       105*                                105                                                            производства
       базового центра                                                                                                       высокоплотных
       системного                                                                                                            электронных узлов на
       проектирования                                                                                                        основе технологии
       высокоплотных                                                                                                         многокристальных
       электронных узлов                                                                                                     модулей как ключевой
       на основе                                                                                                             технологии достижения
       технологии                                                                                                            высоких технических
       многокристальных                                                                                                      характеристик
       модулей в                                                                                                             разрабатываемых и
       открытом                                                                                                              производимых изделий.
       акционерном                                                                                                           Планируемый объем
       обществе                                                                                                              выпуска
       "Научно-                                                                                                              многокристальных
       исследовательский                                                                                                     модулей до 3,5 тыс.
       институт "Кулон",                                                                                                     шт. в год **
       г. Москва

291.   Создание базового  165,6                       45,6    120                                           2010-  350       обеспечение
       центра системного  _____                       ____    ___                                           2011             проектирования,
       проектирования     105*                        45      60                                                             производства
       высокоплотных                                                                                                         высокоплотных
       электронных узлов                                                                                                     электронных узлов на
       на основе                                                                                                             основе технологии
       технологии                                                                                                            многокристальных
       многокристальных                                                                                                      модулей как ключевой
       модулей в                                                                                                             технологии достижения
       открытом                                                                                                              высоких технических
       акционерном                                                                                                           характеристик
       обществе                                                                                                              разрабатываемых и
       "Конструкторское                                                                                                      производимых изделий.
       бюро "Луч",                                                                                                           Планируемый объем
       г. Рыбинск,                                                                                                           выпуска
       Ярославская                                                                                                           многокристальных
       область                                                                                                               модулей до
                                                                                                                             3,5 тыс. шт.**

292.   Реконструкция и    500                                                           250       250       2014-  1600***   создание базового
       техническое        ____                                                          ___       ___       2015             центра проектирования
       перевооружение     250*                                                          125       125                        и разработки
       федерального                                                                                                          высокопроизводительных
       государственного                                                                                                      сверхбольших
       унитарного                                                                                                            интегральных схем и
       предприятия                                                                                                           микропроцессорной
       "Московский                                                                                                           техники, оснащенного
       ордена                                                                                                                современными
       Трудового                                                                                                             средствами
       Красного Знамени                                                                                                      проектирования,
       научно-                                                                                                               разработки и отладки
       исследовательский                                                                                                     сверхбольших
       радиотехнический                                                                                                      интегральных схем
       институт",                                                                                                            типа "система на
       г. Москва, для                                                                                                        кристалле", а также
       создания базового                                                                                                     матричных корпусов
       центра                                                                                                                для сверхбольших
       проектирования                                                                                                        интегральных схем с
       универсальных                                                                                                         большим количеством
       цифровых                                                                                                              выводов, контроллеров
       устройств,                                                                                                            перспективных
       комплексов и                                                                                                          периферийных
       систем на базе                                                                                                        интерфейсов для
       современных                                                                                                           разработки на их базе
       лицензионных                                                                                                          перспективных
       систем автома-                                                                                                        сложнофункциональных
       тизированного                                                                                                         блоков и
       проектирования и                                                                                                      радиоэлектронной
       технических                                                                                                           аппаратуры для систем
       средств                                                                                                               и средств связи
                                                                                                                             двойного и
                                                                                                                             гражданского
                                                                                                                             применения**

293.   Техническое        170                         80      90                                            2010-  1530      создание базового
       перевооружение     ____                        ______  __                                            2011             центра разработки
       для создания       125*                        80****  45                                                             высокопроизводительной
       базового центра                                                                                                       микропроцессорной
       проектирования                                                                                                        техники двойного
       универсальных                                                                                                         назначения,
       микропроцессоров,                                                                                                     оснащенного
       систем на                                                                                                             современной
       кристалле,                                                                                                            технологией
       цифровых приборов                                                                                                     разработки
       обработки                                                                                                             многоядерных систем
       сигналов и других                                                                                                     на кристалле,
       цифровых                                                                                                              матричных корпусов
       устройств,                                                                                                            для сверхбольших
       комплексов и                                                                                                          интегральных схем с
       систем на базе                                                                                                        большим количеством
       современных                                                                                                           выводов, контроллеров
       лицензионных                                                                                                          перспективных
       систем автома-                                                                                                        периферийных
       тизированного                                                                                                         интерфейсов для
       проектирования и                                                                                                      разработки на их базе
       технических                                                                                                           высокопроизводительных
       средств открытого                                                                                                     вычислительных систем
       акционерного                                                                                                          широкого применения**
       общества
       "Институт
       электронных
       управляющих машин
       им. И.С.Брука",
       г. Москва

294.   Техническое        840                                          220       300    160       160       2012-  2545***   ускорение
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             проектирования и
       реконструкция      420*                                         110       150    80        80                         отработки технологии
       базового                                                                                                              производства
       регионального                                                                                                         перспективных
       научно-                                                                                                               устройств
       технологического                                                                                                      микросистемотехники
       центра по микро-                                                                                                      для комплектования
       системотехнике                                                                                                        аппаратуры
       федерального                                                                                                          управления, средств
       государственного                                                                                                      телекоммуникации и
       унитарного                                                                                                            связи, высокоточного
       предприятия                                                                                                           оружия,
       "Омский                                                                                                               робототехнических
       научно-                                                                                                               комплексов,
       исследовательский                                                                                                     мониторинга
       институт                                                                                                              окружающей среды,
       приборостроения",                                                                                                     зданий и сооружений,
       г. Омск                                                                                                               систем трубопроводов,
                                                                                                                             водо- и
                                                                                                                             газоснабжения,
                                                                                                                             цифровых и аналоговых
                                                                                                                             устройств средств
                                                                                                                             контроля, учета и
                                                                                                                             дистанционного
                                                                                                                             управления подачей
                                                                                                                             энергоресурсов.
                                                                                                                             Ожидаемый
                                                                                                                             экономический эффект
                                                                                                                             составит 1500 млн.
                                                                                                                             рублей**

295.   Реконструкция и    490                                          120       160    105       105       2012-  1635***   создание
       техническое        ____                                         ___       ___    ____      ____      2015             конкурентоспособных
       перевооружение     245*                                         60        80     52,5      52,5                       изделий мирового
       центра системного                                                                                                     уровня двойного
       проектирования и                                                                                                      назначения для
       производства                                                                                                          комплексов аппаратуры
       радиоэлектронных                                                                                                      спутниковой связи**
       средств
       спутниковой связи
       федерального
       государственного
       унитарного
       предприятия
       "Научно-
       производственный
       центр "Вигстар",
       г. Москва

296.   Реконструкция и    1080                                         280       260    270       270       2012-  2000***   создание дизайн-
       техническое        ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             центра площадью
       перевооружение     540*                                         140       130    135       135                        2000 кв. м и
       федерального                                                                                                          увеличение выпуска
       государственного                                                                                                      продукции на
       унитарного                                                                                                            500 млн. рублей в
       предприятия                                                                                                           год**
       "Научно-
       производственное
       предприятие
       "Алмаз",
       г. Саратов, с
       целью создания
       дизайн-центра и
       производства
       сверхвысокочас-
       тотных и силовых
       устройств

297.   Техническое        89,1      89,1                                                                    2008   189       создание
       перевооружение     ____      ____                                                                                     конкурентоспособной
       для создания       45*       45                                                                                       технологии
       центра                                                                                                                автоматизированного
       проектирования                                                                                                        проектирования
       перспективной                                                                                                         кристаллов
       электронной                                                                                                           сверхбольших
       компонентной                                                                                                          интегральных схем и
       базы на                                                                                                               систем на кристалле с
       федеральном                                                                                                           проектными нормами
       государственном                                                                                                       0,18 - 0,13 мкм и
       унитарном                                                                                                             степенью интеграции
       предприятии                                                                                                           до 100 млн. вентилей
       "Научно-                                                                                                              на кристалле, что
       исследовательский                                                                                                     позволит обеспечить
       институт                                                                                                              ускоренную разработку
       электронной                                                                                                           сложнофункциональных
       техники",                                                                                                             блоков, сверхбольших
       г. Воронеж                                                                                                            интегральных схем и
                                                                                                                             систем на кристалле,
                                                                                                                             соответствующих по
                                                                                                                             техническим
                                                                                                                             характеристикам
                                                                                                                             современным мировым
                                                                                                                             образцам**

298.   Создание           340                                          90        174    38        38        2012-  1360***   организация
       отраслевого        ____                                         __        ___    __        __        2015             современного центра
       центра системного  170*                                         45        87     19        19                         системного уровня
       уровня                                                                                                                проектирования на
       проектирования                                                                                                        основе отечественной
       интеллектуальных                                                                                                      электронной
       датчиков                                                                                                              компонентной базы:
       различного                                                                                                            микромеханических
       назначения на                                                                                                         датчиков;
       федеральном                                                                                                           датчиков
       государственном                                                                                                       акустического
       унитарном                                                                                                             давления;
       предприятии                                                                                                           датчиков угловых
       "Центральный                                                                                                          перемещений и других**
       научно-
       исследовательский
       институт
       "Электроприбор",
       г. Санкт-
       Петербург

299.   Создание           360                                          90               135       135       2012-  1385***   создание отраслевого
       отраслевого        ____                                         __               ____      ____      2015             центра проектирования
       центра             180*                                         45               67,5      67,5                       (дизайн-центра)
       проектирования                                                                                                        сложных
       сложных                                                                                                               функциональных блоков
       функциональных                                                                                                        и сверхбольших
       блоков и                                                                                                              интегральных схем
       сверхбольших                                                                                                          типа "система на
       интегральных схем                                                                                                     кристалле" для
       типа "система на                                                                                                      обеспечения новейшей
       кристалле" в                                                                                                          цифровой техникой
       открытом                                                                                                              приборостроительных
       акционерном                                                                                                           организаций
       обществе "Концерн                                                                                                     судостроительной
       "Моринформсис-                                                                                                        отрасли**
       тема-Агат",
       г. Москва

                                 3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств)
                                    для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

300.   Реконструкция и    724,95    156      404,55   164,4                                                 2008-  375,5     создание
       техническое        _______   ___      ______   _____                                                 2010             межотраслевого центра
       перевооружение     590,75*   78       352,75   160                                                                    проектирования,
       открытого                                                                                                             каталогизации и
       акционерного                                                                                                          изготовления
       общества                                                                                                              фотошаблонов с
       "Российская                                                                                                           объемом производства
       электроника",                                                                                                         не менее 1200 шт. в
       г. Москва                                                                                                             год**
       (включая
       приобретение
       программно-
       технических
       средств), с целью
       создания
       межотраслевого
       центра
       проектирования,
       каталогизации и
       изготовления
       фотошаблонов

       Итого по           70057,49  1618,71  1643,48  2125,3  5813,24  18026,52  15250  12790,12  12790,12
       Минпромторгу       ________  _______  _______  ______  _______  ________  _____  ________  ________
       России             36710,41  1267,7   1412,71  1695    2906,62  9013,26   7625   6395,06   6395,06

                                          ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ" (ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ")

                                       1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

301.   Техническое        196                         40      48       48        60                         2010-  267       создание
       перевооружение     ___                         __      __       __        __                         2013             технологического
       федерального       98*                         20      24       24        30                                          комплекса для
       государственного                                                                                                      производства
       унитарного                                                                                                            сверхвысокочастотных
       предприятия                                                                                                           монолитных
       "Федеральный                                                                                                          интегральных схем на
       научно-                                                                                                               широкозонных
       производственный                                                                                                      полупроводниковых
       центр Научно-                                                                                                         материалах**
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

302.   Техническое        440                                          60        80     150       150       2012-  1900***   создание
       перевооружение и   ____                                         __        __     ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    220*                                         30        40     75        75                         технологического
       целью                                                                                                                 участка в
       производства                                                                                                          межведомственном
       структур "кремний                                                                                                     центре по разработке
       на изоляторе" для                                                                                                     и производству
       субмикронных                                                                                                          радиационно стойкой
       радиационно                                                                                                           электронной
       стойких                                                                                                               компонентной базы**
       сверхбольших
       интегральных схем
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

303.   Техническое        420                                          80        100    120       120       2012-  1700***   создание
       перевооружение и   ____                                         __        ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    210*                                         40        50     60        60                         технологического
       целью                                                                                                                 участка в
       производства                                                                                                          межведомственном
       фотошаблонов                                                                                                          центре по разработке
       субмикронных                                                                                                          и производству
       радиационно                                                                                                           радиационно стойкой
       стойких                                                                                                               электронной
       сверхбольших                                                                                                          компонентной базы**
       интегральных схем
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

304.   Техническое        380                                          80        100    100       100       2012-  1650***   создание
       перевооружение и   ____                                         __        ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    190*                                         40        50     50        50                         технологического
       целью                                                                                                                 участка в
       производства                                                                                                          межведомственном
       структур "кремний                                                                                                     центре по разработке
       на сапфире" с                                                                                                         и производству
       ультратонким                                                                                                          радиационно стойкой
       приборным слоем                                                                                                       электронной
       для субмикронных                                                                                                      компонентной базы**
       радиационно
       стойких
       сверхбольших
       интегральных схем
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

305.   Техническое        400                                          100       100    100       100       2012-  1850***   создание
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    200*                                         50        50     50        50                         технологического
       целью                                                                                                                 участка изготовления
       производства                                                                                                          изделий
       радиационно                                                                                                           микроэлектроники для
       стойких                                                                                                               систем автоматики
       изделий                                                                                                               специзделий**
       микроэлектроники
       с применением
       методов
       нанотехнологий
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       автоматики",
       г. Москва

306.   Техническое        952                                          200       160    266       326       2012-  2500***   создание
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    476*                                         100       80     133       163                        технологического
       целью                                                                                                                 участка в
       производства                                                                                                          межведомственном
       быстродействующих                                                                                                     центре по разработке
       радиационно                                                                                                           и производству
       стойких                                                                                                               радиационно стойкой
       монолитных                                                                                                            электронной
       интегральных схем                                                                                                     компонентной базы**
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

307.   Техническое        500                                          100       120    140       140       2012-  500***    создание
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    250*                                         50        60     70        70                         технологического
       целью                                                                                                                 участка в
       производства                                                                                                          межведомственном
       радиационно                                                                                                           центре по разработке
       стойких изделий                                                                                                       и производству
       оптоэлектроники                                                                                                       радиационно стойкой
       на федеральном                                                                                                        электронной
       государственном                                                                                                       компонентной базы**
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

308.   Техническое        780                                          200       180    200       200       2012-  800***    создание
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    390*                                         100       90     100       100                        технологического
       целью                                                                                                                 участка в
       производства                                                                                                          межведомственном
       радиационно                                                                                                           центре по разработке
       стойких изделий                                                                                                       и производству
       микросистемотех-                                                                                                      радиационно стойкой
       ники на                                                                                                               электронной
       федеральном                                                                                                           компонентной базы**
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

309.   Техническое        820                                          192       180    224       224       2012-  2544***   реконструкция
       перевооружение и   ____                                         ___       ___    ___       ___       2015             производственно-
       реконструкция с    410*                                         96        90     112       112                        технологических
       целью                                                                                                                 участков по
       производства                                                                                                          изготовлению
       радиационно                                                                                                           радиационно стойких
       стойких изделий                                                                                                       изделий
       микроэлектроники                                                                                                      микроэлектроники**
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Российский
       федеральный
       ядерный центр -
       Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       экспериментальной
       физики",
       г. Саров,
       Нижегородская
       область

                                2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

310.   Реконструкция      200       80       68               52                                            2008-  2976      реконструкция дизайн-
       дизайн-центра      ____      __       __               __                                            2011             центра**
       радиационно        100*      40       34               26                                                             мощностью 1 млн.
       стойкой                                                                                                               транзисторов в год
       электронной
       компонентной базы
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Федеральный
       научно-
       производственный
       центр Научно-
       исследовательский
       институт
       измерительных
       систем имени
       Ю.Е.Седакова",
       г. Нижний
       Новгород

311.   Реконструкция      80                                           20        40     20                  2012-  115,7***  реконструкция дизайн-
       дизайн-центра      ___                                          __        __     __                  2014             центра**
       радиационно        40*                                          10        20     10
       стойкой
       электронной
       компонентной
       базы на
       федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       автоматики",
       г. Москва

312.   Реконструкция      80                                           20        40     20                  2012-  330***    реконструкция дизайн-
       дизайн-центра      ___                                          __        __     __                  2014             центра**
       радиационно        40*                                          10        20     10
       стойкой
       электронной
       компонентной базы
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Российский
       федеральный
       ядерный центр -
       Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       экспериментальной
       физики",
       г. Саров,
       Нижегородская
       область

313.   Реконструкция      100                                          40        40     20                  2012-  300***    реконструкция дизайн-
       дизайн-центра      ___                                          __        __     __                  2014             центра**
       радиационно        50*                                          20        20     10
       стойкой
       электронной
       компонентной базы
       на федеральном
       государственном
       унитарном
       предприятии
       "Российский
       федеральный
       ядерный центр -
       Всероссийский
       научно-
       исследовательский
       институт
       технической
       физики имени
       академика
       Е.И.Забабахина",
       г. Снежинск,
       Челябинская
       область

       Итого по           5348      80       68       40      100      1140      1200   1360      1360
       Госкорпорации      ____      __       __       __      ___      ____      ____   ____      ____
       "Росатом":         2674      40       34       20      50       570       600    680       680

                                                            ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)

                                       1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

314.   Реконструкция и    320                                                    110    105       105       2013-  1230***   переоснащенное
       техническое        ____                                                   ___    ____      ____      2015             производство
       перевооружение     160*                                                   55     52,5      52,5                       многокристальных
       открытого                                                                                                             систем в корпусе,
       акционерного                                                                                                          микро- и
       общества                                                                                                              радиоэлектронных
       "Российская                                                                                                           модулей, в том числе
       корпорация                                                                                                            на основе устройств
       ракетно-                                                                                                              микросистемной
       космического                                                                                                          техники;
       приборостроения и                                                                                                     оснащенное отраслевое
       информационных                                                                                                        автоматизированное
       систем",                                                                                                              хранилище
       г. Москва,                                                                                                            производимых и
       с целью создания                                                                                                      приобретаемых
       производства                                                                                                          электронных
       многокристальных                                                                                                      компонентов со
       систем в корпусе,                                                                                                     встроенной системой
       микро- и                                                                                                              мониторинга и
       радиоэлектронных                                                                                                      прогнозирования
       модулей, в том                                                                                                        состояния хранимой
       числе на основе                                                                                                       продукции**
       устройств
       микросистемной
       техники

315.   Реконструкция и    320                                                    200    60        60        2013-  1120***   переоснащение
       техническое        ____                                                   ___    __        __        2015             производства по
       перевооружение     160*                                                   100    30        30                         выпуску:
       открытого                                                                                                             параметрического ряда
       акционерного                                                                                                          модулей
       общества "Научно-                                                                                                     сверхвысокочастотных
       исследовательский                                                                                                     устройств;
       институт точных                                                                                                       узлов и крупноблочных
       приборов",                                                                                                            радиоэлектронных
       г. Москва, для                                                                                                        функциональных
       создания                                                                                                              модулей приемо-
       производства                                                                                                          передающей аппаратуры.
       модулей сверх-                                                                                                        Реализация указанных
       высокочастотных                                                                                                       мероприятий
       устройств для                                                                                                         обеспечивает:
       особо жестких                                                                                                         сокращение сроков
       условий                                                                                                               изготовления изделий
       эксплуатации                                                                                                          радиолокационной
                                                                                                                             техники и техники
                                                                                                                             связи в 2-3 раза;
                                                                                                                             расширение
                                                                                                                             номенклатуры
                                                                                                                             сверхвысокочастотных
                                                                                                                             изделий в 1,5 раза**

316.   Реконструкция и    160                                                    60     50        50        2013-  590***    переоснащение
       техническое        ___                                                    __     __        __        2015             производственной
       перевооружение     80*                                                    30     25        25                         линии для выпуска
       открытого                                                                                                             облегченных
       акционерного                                                                                                          сверхвысокочастотных
       общества                                                                                                              волноводов;
       "Информационные                                                                                                       увеличение
       спутниковые                                                                                                           производства
       системы" имени                                                                                                        сверхвысокочастотных
       академика                                                                                                             волноводов с низким
       М.Ф.Решетнёва",                                                                                                       уровнем потерь и
       г. Железногорск,                                                                                                      улучшенными массовыми
       Красноярский                                                                                                          характеристиками;
       край, с целью                                                                                                         оснащение отраслевого
       создания                                                                                                              автоматизированного
       производственной                                                                                                      хранилища для модулей
       линии для                                                                                                             радиоэлектронных и
       изготовления                                                                                                          навигационных систем
       облегченных                                                                                                           со встроенной
       сверхвысоко-                                                                                                          системой мониторинга
       частотных                                                                                                             и прогнозирования
       волноводов                                                                                                            состояния хранимой
       миллиметрового                                                                                                        продукции**
       диапазона

317.   Реконструкция и    200                                                    80     60        60        2013-  665***    дооснащение
       техническое        ____                                                   __     __        __        2015             производства
       перевооружение     100*                                                   40     30        30                         электромеханических и
       федерального                                                                                                          радиоэлектронных
       государственного                                                                                                      компонентов для
       унитарного                                                                                                            микромодульных
       предприятия                                                                                                           средств автономного
       "Научно-                                                                                                              управления и контроля;
       производственное                                                                                                      увеличение
       объединение                                                                                                           производства изделий
       автоматики имени                                                                                                      бортовой и
       академика                                                                                                             промышленной
       Н.А.Семихатова",                                                                                                      радиоэлектроники на
       г. Екатеринбург,                                                                                                      35 процентов и более;
       для создания                                                                                                          оснащение отраслевого
       производства                                                                                                          автоматизированного
       электро-                                                                                                              хранилища для
       механических и                                                                                                        радиоэлектронных
       радиоэлектронных                                                                                                      модулей со встроенной
       компонентов                                                                                                           системой мониторинга
       микромодульных                                                                                                        и прогнозирования
       средств                                                                                                               состояния хранимой
       автономного                                                                                                           продукции**
       управления и
       контроля

318.   Реконструкция и    580                                          500       80                         2012-  600       переоснащение
       техническое        ____                                         ___       __                         2013             производства
       перевооружение     290*                                         250       40                                          модульных лазерных
       открытого                                                                                                             средств высокоточных
       акционерного                                                                                                          измерений,
       общества "Научно-                                                                                                     дальнометрии и
       производственная                                                                                                      передачи информации в
       корпорация                                                                                                            бортовых и
       "Системы                                                                                                              промышленных системах
       прецизионного                                                                                                         различного назначения**
       приборостроения",
       г. Москва, для
       создания
       производства
       лазерных средств
       высокоточных
       измерений

319.   Реконструкция и    200                                                    80     60        60        2013-  690***    создание
       техническое        ____                                                   __     __        __        2015             межотраслевой
       перевооружение     100*                                                   40     30        30                         лаборатории контроля
       открытого                                                                                                             стойкости электронной
       акционерного                                                                                                          компонентной базы для
       общества                                                                                                              специальной
       "Российская                                                                                                           радиоэлектронной
       корпорация                                                                                                            аппаратуры в условиях
       ракетно-                                                                                                              космического
       космического                                                                                                          пространства, что
       приборостроения                                                                                                       обеспечит:
       и информационных                                                                                                      внедрение
       систем",                                                                                                              технологических
       г. Москва,                                                                                                            процессов прямого (в
       для создания                                                                                                          том числе
       отраслевой                                                                                                            неразрушающего)
       лаборатории                                                                                                           контроля стойкости
       контроля                                                                                                              электронной
       стойкости                                                                                                             компонентной базы и
       электронной                                                                                                           экспериментально-
       компонентной базы                                                                                                     аналитического
       радиоэлектронной                                                                                                      прогноза деградации
       аппаратуры к                                                                                                          характеристик
       дестабилизирующим                                                                                                     электронной
       факторам                                                                                                              компонентной базы и
       космического                                                                                                          радиоэлектронной
       пространства                                                                                                          аппаратуры;
                                                                                                                             определение
                                                                                                                             характеристик
                                                                                                                             стойкости к условиям
                                                                                                                             открытого
                                                                                                                             космического
                                                                                                                             пространства;
                                                                                                                             увеличение сроков
                                                                                                                             активного
                                                                                                                             функционирования
                                                                                                                             аппаратуры до 20 лет**

320.   Реконструкция и    200                                                    80     60        60        2013-  800***    перевооружение
       техническое        ____                                                   __     __        __        2015             производственных
       перевооружение     100*                                                   40     30        30                         линий для
       открытого                                                                                                             изготовления
       акционерного                                                                                                          встроенных модульных
       общества "Научно-                                                                                                     пассивных
       производственный                                                                                                      радиоэлементов для
       центр "Полюс"                                                                                                         систем бортовой и
       г. Томск, для                                                                                                         промышленной
       технического                                                                                                          радиоэлектроники и
       перевооружения                                                                                                        вторичных источников
       действующего                                                                                                          питания с
       производства                                                                                                          совмещенными линиями
                                                                                                                             передачи данных и
                                                                                                                             электропитания;
                                                                                                                             расширение
                                                                                                                             номенклатуры и
                                                                                                                             увеличение
                                                                                                                             производства
                                                                                                                             встроенных вторичных
                                                                                                                             источников питания с
                                                                                                                             совмещенными линиями
                                                                                                                             передачи данных и
                                                                                                                             электропитания для
                                                                                                                             средств бортовой и
                                                                                                                             промышленной
                                                                                                                             электроники на
                                                                                                                             70 процентов и более**

321.   Реконструкция и    200                                                    80     60        60        2013-  770***    переоснащение
       техническое        ____                                                   __     __        __        2015             производства
       перевооружение     100*                                                   40     30        30                         матричных оптико-
       федерального                                                                                                          электронных модулей
       государственного                                                                                                      для работы в составе
       унитарного                                                                                                            оптико-электронных
       предприятия                                                                                                           преобразователей
       "Научно-                                                                                                              высокого разрешения и
       исследовательский                                                                                                     матричных
       институт                                                                                                              сверхвысокочастотных
       микропри-                                                                                                             приборов для модулей
       боров - К",                                                                                                           фазированных антенных
       г. Москва, для                                                                                                        решеток, что позволит:
       создания                                                                                                              расширить
       матричных оптико-                                                                                                     номенклатуру
       электронных                                                                                                           выпускаемой
       модулей на основе                                                                                                     мелкосерийной
       кремниевых                                                                                                            продукции в 2 раза;
       мембран и                                                                                                             увеличить объем
       гетеропереходов                                                                                                       выпускаемых
       на основе                                                                                                             дискретных и
       арсенида галлия                                                                                                       модульных элементов в
       и нитрида                                                                                                             10 раз**
       галлия

                                2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

322.   Реконструкция и    726                                          486       240                        2012-  500       создание базового
       техническое        ____                                         ___       ___                        2013             центра системного
       перевооружение     363*                                         243       120                                         проектирования
       открытого                                                                                                             площадью 3 500 кв. м**
       акционерного
       общества
       "Российская
       корпорация
       ракетно-
       космического
       приборостроения и
       информационных
       систем",
       г. Москва,
       для создания
       базового центра
       проектирования

323.   Реконструкция и    914       120      120      28      160      486                                  2008-  500       создание отраслевого
       техническое        ____      ___      ___      __      ___      ___                                  2012             центра
       перевооружение     461*      60       60       18      80       243                                                   автоматизированного
       для создания                                                                                                          проектирования и
       отраслевого                                                                                                           функциональной
       центра авто-                                                                                                          поддержки процессов
       матизированного                                                                                                       изготовления и
       проектирования на                                                                                                     эксплуатации
       открытом                                                                                                              параметрических рядов
       акционерном                                                                                                           сверхвысокочастотных
       обществе "Научно-                                                                                                     модулей
       исследовательский                                                                                                     унифицированных
       институт точных                                                                                                       сверхвысокочастотных
       приборов",                                                                                                            трактов, базовых
       г. Москва                                                                                                             несущих конструкций
                                                                                                                             активных фазированных
                                                                                                                             антенных решеток,
                                                                                                                             радиолокационных и
                                                                                                                             связных модульных
                                                                                                                             приборов площадью
                                                                                                                             500 кв. м**

324.   Реконструкция и    280                                                    100    90        90        2013-  380       создание центра
       техническое        ____                                                   ___    __        __        2015             проектирования
       перевооружение     140*                                                   50     45        45                         унифицированных
       для создания                                                                                                          микроэлектронных
       центра                                                                                                                датчиков площадью
       проектирования                                                                                                        380 кв. м для
       унифицированных                                                                                                       проектирования
       микроэлектронных                                                                                                      унифицированных
       датчиков для                                                                                                          полупроводниковых
       работы в особо                                                                                                        микродатчиков и
       жестких условиях                                                                                                      преобразователей
       эксплуатации на                                                                                                       физических
       открытом                                                                                                              величин в системах
       акционерном                                                                                                           управления, контроля
       обществе "Научно-                                                                                                     и диагностики
       исследовательский                                                                                                     динамических
       институт                                                                                                              объектов**
       физических
       измерений",
       г. Пенза

325.   Реконструкция и    200                                                    80     60        60        2013-  350       создание базового
       техническое        ____                                                   __     __        __        2015             центра площадью
       перевооружение     100*                                                   40     30        30                         350 кв. м для
       для создания                                                                                                          системного
       базового центра                                                                                                       проектирования с
       системного                                                                                                            полным циклом
       проектирования                                                                                                        проектирования и
       интегральных                                                                                                          производства
       микроэлектронных                                                                                                      параметрического ряда
       датчиков и                                                                                                            интегральных
       датчико-                                                                                                              микроэлектронных
       преобразующей                                                                                                         датчиков и
       аппаратуры на                                                                                                         нанодатчиков для
       открытом                                                                                                              контрольной
       акционерном                                                                                                           аппаратуры на основе
       обществе "Научно-                                                                                                     специализированных
       производственное                                                                                                      электронных узлов по
       объединение                                                                                                           технологии "кремний
       измерительной                                                                                                         на изоляторе" для
       техники",                                                                                                             особо жестких условий
       г. Королев,                                                                                                           эксплуатации**
       Московская
       область

326.   Реконструкция и    160                                                           80        80        2014-  450       создание базового
       техническое        ___                                                           __        __        2015             центра сквозного
       перевооружение     80*                                                           40        40                         системного
       для создания                                                                                                          проектирования и
       базового центра                                                                                                       функциональной
       сквозного                                                                                                             поддержки
       системного                                                                                                            радиоэлектронных
       проектирования на                                                                                                     средств с улучшенной
       федеральном                                                                                                           электромагнитной
       государственном                                                                                                       совместимостью
       унитарном                                                                                                             площадью 450 кв. м (в
       предприятии                                                                                                           том числе для
       "Научно-                                                                                                              создания встроенных
       производственное                                                                                                      бесконтактных систем
       предприятие                                                                                                           управления
       Всероссийский                                                                                                         электродвигателями и
       научно-                                                                                                               приводами,
       исследовательский                                                                                                     оптоэлектронных и
       институт                                                                                                              радиотехнических
       электромеханики                                                                                                       приборов)**
       с заводом имени
       А.Г.Иосифьяна",
       г. Москва

327.   Реконструкция и    180                                                    100    40        40        2013-  340       создание центра
       техническое        ___                                                    ___    __        __        2015             проектирования
       перевооружение     90*                                                    50     20        20                         интегральных
       для создания                                                                                                          сверхвысокочастотных
       центра                                                                                                                модулей специального
       проектирования                                                                                                        и промышленного
       на федеральном                                                                                                        применения для
       государственном                                                                                                       унифицированных
       унитарном                                                                                                             приемо-передающих
       предприятии                                                                                                           радиоэлектронных
       "Центральный                                                                                                          трактов площадью
       научно-                                                                                                               340 кв. м (в том
       исследовательский                                                                                                     числе для создания
       радиотехнический                                                                                                      испытательного центра
       институт имени                                                                                                        радиоэлектронной
       академика                                                                                                             аппаратуры
       А.И.Берга",                                                                                                           космического и
       г. Москва                                                                                                             промышленного
                                                                                                                             назначения)**

328.   Реконструкция и    80                                                            40        40        2014-  220       создание центра
       техническое        ___                                                           __        __        2015             площадью 220 кв. м для
       перевооружение     40*                                                           20        20                         системного
       для создания                                                                                                          проектирования
       центра                                                                                                                матричных
       проектирования                                                                                                        преобразователей и
       матричных                                                                                                             микроэлектронных
       преобразователей                                                                                                      сигнальных
       и микроэлектрон-                                                                                                      процессоров
       ных сигнальных                                                                                                        высокоточных
       процессоров на                                                                                                        навигационных
       федеральном                                                                                                           приборов бортового и
       государственном                                                                                                       промышленного
       унитарном                                                                                                             назначения**
       предприятии
       "Научно-
       производственный
       центр автоматики
       и приборостро-
       ения имени
       академика
       Н.А.Пилюгина",
       г. Москва

329.   Реконструкция и    640                                          140       500                        2012-  370       создание дизайн-
       техническое        ____                                         ___       ___                        2013             центра площадью
       перевооружение     320*                                         70        250                                         370 кв. м для
       для создания                                                                                                          системного
       центра проек-                                                                                                         проектирования
       тирования особо                                                                                                       радиационно стойкой,
       стойкого                                                                                                              помехоустойчивой
       модульного ядра                                                                                                       электронной
       отказоустойчивой                                                                                                      компонентной базы, в
       радиоэлектронной                                                                                                      том числе изделий
       аппаратуры с                                                                                                          "система на
       особо жесткими                                                                                                        кристалле" для
       условиями                                                                                                             построения особо
       эксплуатации на                                                                                                       стойкого модульного
       федеральном                                                                                                           ядра радиоэлектронной
       государственном                                                                                                       аппаратуры с особо
       унитарном                                                                                                             жесткими условиями
       предприятии                                                                                                           эксплуатации, в том
       "Центральный                                                                                                          числе для
       научно-                                                                                                               космического,
       исследовательский                                                                                                     авиационного и
       институт                                                                                                              промышленного
       "Комета",                                                                                                             применения**
       г. Москва

330.   Реконструкция и    148                                                    80     34        34        2013-  300       создание базового
       техническое        ___                                                    __     __        __        2015             центра сквозного
       перевооружение     74*                                                    40     17        17                         системного
       для создания                                                                                                          проектирования и
       базового центра                                                                                                       функциональной
       системного                                                                                                            поддержки в процессе
       проектирования и                                                                                                      эксплуатации
       технического                                                                                                          аппаратуры модульных
       перевооружения                                                                                                        средств связи и
       действующего                                                                                                          навигации для
       производства на                                                                                                       бортовых и
       открытом                                                                                                              промышленных систем
       акционерном                                                                                                           площадью 300 кв. м**
       обществе
       "Информационные
       спутниковые
       системы" имени
       академика
       М.Ф.Решетнёва",
       г. Железногорск,
       Красноярский
       край

331.   Реконструкция и    200                                                    80     60        60        2013-  350       создание базового
       техническое        ____                                                   __     __        __        2015             центра сквозного
       перевооружение     100*                                                   40     30        30                         системного
       для создания                                                                                                          проектирования и
       базового центра                                                                                                       функциональной
       сквозного                                                                                                             поддержки в процессе
       системного                                                                                                            эксплуатации площадью
       проектирования на                                                                                                     350 кв. м (в том
       федеральном                                                                                                           числе для
       государственном                                                                                                       радиоэлектронных
       унитарном                                                                                                             функциональных
       предприятии                                                                                                           модулей
       "Научно-                                                                                                              роботизированных
       производственное                                                                                                      транспортных средств
       объединение имени                                                                                                     повышенной
       С.А.Лавочкина",                                                                                                       живучести)**
       г. Химки,
       Московская обл.

       Итого по           5708      120      120      28      160      1612      1950   859       859
       Роскосмосу         ____      ___      ___      __      ___      ____      ____   _____     _____
                          2858      60       60       18      80       806       975    429,5     429,5

                                             МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНОБРНАУКИ РОССИИ)

                                  Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

332.   Техническое        78                 48       30                                                    2009-  515,1     создание базового
       перевооружение     ___                __       __                                                    2010             центра системного
       государственного   54*                24       30                                                                     проектирования
       образовательного                                                                                                      площадью 515,1 кв. м**
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Московский
       государственный
       институт
       электронной
       техники"
       (технический
       университет),
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

333.   Реконструкция и    50        50                                                                      2008   500       создание базового
       техническое        __        __                                                                                       центра системного
       перевооружение     25        25                                                                                       проектирования
       государственного                                                                                                      площадью 500 кв. м**
       образовательного
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Московский
       государственный
       институт
       радиотехники,
       электроники и
       автоматики"
       (технический
       университет),
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

334.   Реконструкция и    200                                          200                                  2012   400       создание базового
       техническое        ____                                         ___                                                   центра системного
       перевооружение     100*                                         100                                                   проектирования
       государственного                                                                                                      площадью 400 кв. м**
       образовательного
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Томский
       государственный
       университет",
       г. Томск, для
       создания базового
       центра
       проектирования

335.   Реконструкция и    200                                                    200                        2013   400       создание базового
       техническое        ____                                                   ___                                         центра системного
       перевооружение     100*                                                   100                                         проектирования
       государственного                                                                                                      площадью 400 кв. м**
       образовательного
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Московский
       государственный
       технический
       университет имени
       Н.Э.Баумана",
       г. Москва, для
       создания базового
       центра
       проектирования

336.   Реконструкция и    200                                                    200                        2013   400       создание базового
       техническое        ____                                                   ___                                         центра системного
       перевооружение     100*                                                   100                                         проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 400 кв. м**
       государственного
       автономного
       образовательного
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Южный
       федеральный
       университет",
       г. Ростов-
       на-Дону,
       для создания
       базового центра
       проектирования

337.   Реконструкция и    200                                                           100       100       2014-  400       создание базового
       техническое        ____                                                          ___       ___       2015             центра системного
       перевооружение     100*                                                          50        50                         проектирования
       государственного                                                                                                      площадью 400 кв. м**
       образовательного
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Новосибирский
       государственный
       университет",
       г. Новосибирск,
       для создания
       базового центра
       проектирования

338.   Реконструкция и    230                                                           115       115       2014-  600       создание базового
       техническое        ____                                                          ____      ____      2015             центра системного
       перевооружение     115*                                                          57,5      57,5                       проектирования
       федерального                                                                                                          площадью 600 кв. м**
       государственного
       образовательного
       учреждения
       высшего
       профессионального
       образования
       "Санкт-
       Петербургский
       государственный
       университет",
       г. Санкт-
       Петербург, для
       создания
       базового центра
       проектирования

       Итого по           1158      50       48       30               200       400    215       215
       Минобрнауки        ____      __       __       __               ___       ___    _____     _____
       России             594       25       24       30               100       200    107,5     107,5

                                              ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ И ЭКСПОРТНОМУ КОНТРОЛЮ (ФСТЭК РОССИИ)

                                         Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

339.   Техническое        200                                 66,76    133,24                               2011-  2000      создание новых
       перевооружение     ___                                 _____    ______                               2012             производственных
       федерального       100                                 33,38    66,62                                                 мощностей по выпуску
       государственного                                                                                                      оптоволоконных
       унитарного                                                                                                            соединителей изделий
       предприятия                                                                                                           микромеханики**
       "Производственное
       объединение
       "Октябрь",
       г. Каменск-
       Уральский,
       Свердловская
       область

       Итого по ФСТЭК     200                                 66,76    133,24
       России             ___                                 _____    ______
                          100                                 33,38    66,62

       Итого по           82471,49  1868,71  1879,48  2223,3  6140     21111,76  18800  15224,12  15224,12
       разделу II         ________  _______  _______  ______  ____     ________  _____  ________  ________
                          42936,41  1392,7   1530,71  1763    3070     10555,88  9400   7612,06   7612,06
     ____________
     * Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
     ** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
     *** Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта.
     **** Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.

     Примечание: 1. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
                 2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

                                                                            _____________

     ПРИЛОЖЕНИЕ N 3
     к федеральной целевой программе
     "Развитие электронной компонентной базы
     и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
     (в редакции постановления
     Правительства Российской Федерации
     от 8 сентября 2011 г.
     N 763)

                                              Р А С П Р Е Д Е Л Е Н И Е
                   объемов  финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным
                 заказчикам  федеральной  целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и
                                         радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

                                                                            (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
-----------------------------------|----------|-----------------------------------------------------------------------
                                   |2008-2015 |                               В том числе
                                   |   годы   |-------|--------|--------|---------|---------|------|---------|--------
                                   |          | 2008  |2009 год|2010 год|2011 год |2012 год | 2013 |2014 год |  2015
                                   |          | год   |        |        |         |         | год  |         |  год
-----------------------------------|----------|-------|--------|--------|---------|---------|------|---------|--------
Всего по Программе                  106844,71  5372,7  5772,01  5400     13000     25580     19420  16537,94  15762,06

из них:

Министерство промышленности и       91812,53   4757,7  5157,21  4952,62  11976,62  21733,26  15955  14005,06  13275,06
торговли Российской Федерации

Федеральное космическое агентство   7008       290     320      168      430       2096      1815   939,5     949,5

Государственная корпорация по       6395,88    240     246,5    179,38   400       1424,12   1300   1325,88   1280
атомной энергии "Росатом"

Министерство образования и науки    1528,3     85      48,3     100      160       260       350    267,5     257,5
Российской Федерации

Федеральная служба по техническому  100        -       -        -        33,38     66,62     -      -         -
и экспортному контролю

Капитальные вложения - всего        42936,41   1392,7  1530,71  1763     3070      10555,88  9400   7612,06   7612,06

из них:

Министерство промышленности и       36710,41   1267,7  1412,71  1695     2906,62   9013,26   7625   6395,06   6395,06
торговли Российской Федерации

Федеральное космическое агентство   2858       60      60       18       80        806       975    429,5     429,5

Государственная корпорация по       2674       40      34       20       50        570       600    680       680
атомной энергии "Росатом"

Министерство образования и науки    594        25      24       30       -         100       200    107,5     107,5
Российской Федерации

Федеральная служба по техническому  100        -       -        -        33,38     66,62     -      -         -
и экспортному контролю

Научно-исследовательские и опытно-  63908,3    3980    4241,3   3637     9930      15024,12  10020  8925,88   8150
конструкторские работы - всего

из них:

Министерство промышленности и       55102,12   3490    3744,5   3257,62  9070      12720     8330   7610      6880
торговли Российской Федерации

Федеральное космическое агентство   4150       230     260      150      350       1290      840    510       520

Государственная корпорация по       3721,88    200     212,5    159,38   350       854,12    700    645,88    600
атомной энергии "Росатом"

Министерство образования и науки    934,3      60      24,3     70       160       160       150    160       150
Российской Федерации

                                                     ____________

     ПРИЛОЖЕНИЕ N 4
     к федеральной целевой программе
     "Развитие электронной компонентной базы
     и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы
     (в редакции постановления
     Правительства Российской Федерации
     от 8 сентября 2011 г.
     N 763)

                                             ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ
                    федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и
                   радиоэлектроники" на 2008-2015 годы за счет средств федерального бюджета и
                                            внебюджетных источников

                                                                      (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
-------------------------|-----------|--------------------------------------------------------------------------
                         | 2008-2015 |                                В том числе
                         |    годы   |---------|---------|---------|------|---------|--------|---------|--------
                         |           |2008 год |2009 год |2010 год | 2011 |2012 год |2013 год|2014 год |  2015
                         |           |         |         |         | год  |         |        |         |  год
-------------------------|-----------|---------|---------|---------|------|---------|--------|---------|--------
Всего по Программе        179224,366  7903,837  8478,112  8267,417  21035  43629,41  33851,1  28632,37  27427,12

в том числе:

федеральный бюджет        106844,71   5372,7    5772,01   5400      13000  25580     19420    16537,94  15762,06

внебюджетные средства     72379,656   2531,137  2706,102  2867,42   8035   18049,41  14431,1  12094,43  11665,06

Капитальные вложения -    82471,49    1868,71   1879,48   2223,3    6140   21111,76  18800    15224,12  15224,12
всего

в том числе:

федеральный бюджет        42936,41    1392,7    1530,71   1763      3070   10555,88  9400     7612,06   7612,06

внебюджетные средства     39535,08    476,01    348,77    460,3     3070   10555,88  9400     7612,06   7612,06

Научно-исследовательские  96752,876   6035,127  6598,632  6044,117  14895  22517,65  15051,1  13408,25  12203
и опытно-конструкторские
работы - всего

в том числе:

федеральный бюджет        63908,3     3980      4241,3    3637      9930   15024,12  10020    8925,88   8150

внебюджетные средства     32844,576   2055,127  2357,332  2407,117  4965   7493,53   5031,1   4482,37   4053".

     7. В приложении N 5 к указанной Программе:
     а) абзац одиннадцатый дополнить словами "и Федеральным законом
"О  страховых взносах в Пенсионный фонд Российской Федерации,  Фонд
социального  страхования  Российской  Федерации,  Федеральный  фонд
обязательного  медицинского  страхования  и  территориальные  фонды
обязательного медицинского страхования";
     б) в   абзаце   пятнадцатом  цифры  "18700"  заменить  цифрами
"179224,366",  цифры "110000" заменить цифрами  "106844,71",  цифры
"77000"  заменить  цифрами  "72379,66",  цифры  "64374,4"  заменить
цифрами "64554,9", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
     в) в  абзаце  шестнадцатом  цифры  "198577,2" заменить цифрами
"203443,4";
     г) в абзаце семнадцатом цифры "8,1" заменить цифрами "7,9";
     д) в  абзаце  восемнадцатом  цифры  "1,52"  и  "2,7"  заменить
соответственно цифрами "1,54" и "2,8";
     е) таблицы 1-3 изложить в следующей редакции:

                                                                                                                         "Таблица 1

                            Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности
                         реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и
                                                радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

                                                                                          (в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
----------------------------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|---------|-------|-------|----------
         Показатели         |2008 год |2009 год |2010 год | 2011  |2012 год |2013 год|2014 год |2015 год | 2016  | 2017  |   За
                            |         |         |         | год   |         |        |         |         | год   | год   |расчетный
                            |         |         |         |       |         |        |         |         |       |       |  период
----------------------------|---------|---------|---------|-------|---------|--------|---------|---------|-------|-------|----------
Условно-переменная часть     62        62        62        62      62        62       62        62        62      62      -
текущих издержек
производства
(себестоимости), процентов

Годовой объем реализуемой    58000     70000     90000     110000  170000    210000   240000    270000    340000  420000  -
продукции отрасли
(объем продаж)

Инвестиции из всех           7903,837  8478,112  8267,417  21035   43629,41  33851,1  28632,37  27427,12  -       -       179224,366
источников финансирования
по Программе

в том числе:

средства федерального        5372,7    5772,01   5400      13000   25580     19420    16537,94  15762,06  -       -       106844,71
бюджета на научно-
исследовательские и
опытно-конструкторские
работы, капитальные
вложения и прочие нужды

из них:

капитальные вложения         1392,7    1530,71   1763      3070    10555,88  9400     7612,06   7612,06   -       -       42936,41

внебюджетные средства        2531,137  2706,102  2867,42   8035    18049,41  14431,1  12094,43  11665,06  -       -       72379,66
на научно-
исследовательские и
опытно-конструкторские
работы и капитальные
вложения (собственные,
заемные и др.)

налогооблагаемая база        33000     34500     36000     38000   41000     46000    54000     60000     61000   62000   -
налога на имущество
(среднегодовая
стоимость основных
промышленно-
производственных
фондов отрасли по
остаточной стоимости)

Рентабельность               10        10        12        14      16        18       20        20        20      20      -
реализованной продукции,
процентов

Амортизационные              3,5       3,8       4         4,5     5         5,5      6         6,5       7       7,5     -
отчисления, процентов
себестоимости

Материалы, процентов         50        50        50        50      50        50       50        50        50      50      -
себестоимости

Фонд оплаты труда,           25        25        25        25      25        25       25        25        25      25      -
процентов себестоимости

Налог на имущество,          2         2         2         2       2         2        2         2         2       2       -
процентов

Налог на прибыль, процентов  24        20        20        20      20        20       20        20        20      20      -

Подоходный налог, процентов  13        13        13        13      13        13       13        13        13      13      -

Страховые взносы в           26        26        26        34      34        34       34        34        34      34      -
Пенсионный фонд Российской
Федерации, Фонд социального
страхования Российской
Федерации, Федеральный фонд
обязательного
медицинского страхования и
территориальные фонды
обязательного медицинского
страхования, процентов

Налог на добавленную         18        18        18        18      18        18       18        18        18      18      -
стоимость, процентов

Налог с продаж, процентов    -         -         -         -       -         -        -         -         -       -       -

Норма дисконта (средняя за   -         -         -         -       -         -        -         -         -       -       0,1
расчетный период),
процентов

                                                                                                                       Таблица 2

                          Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой
                     программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

                                                                                       (в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
-----------------------|----------------------------------------------------------------------------------------------|----------
     Наименование      |                                     Расчетный период                                         |   За
     показателей       |--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------|расчетный
                       |  2008  |  2009  |  2010  |  2011  |  2012   |   2013  |   2014  |   2015  |   2016  |  2017  |  период
                       |--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------|
                       |                                 номер шага (m)                                               |
                       |--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------|
                       |   0    |    1   |    2   |    3   |    4    |    5    |    6    |    7    |    8    |    9   |
-----------------------|--------|--------|--------|--------|---------|---------|---------|---------|---------|--------|----------

                             Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)

Годовой объем           58000    70000    90000    110000   170000    210000    240000    270000    340000    420000   -
реализованной
продукции отрасли
без налога на
добавленную
стоимость

Себестоимость           52727    63636    80357    96491    146552    177966    200000    225000    283333    350000   -
годового объема
реализованной
продукции отрасли

Прибыль от              5273     6364     9643     13509    23448     32034     40000     45000     56667     70000    -
реализации
продукции

Налогооблагаемая        33000    34500    36000    38000    41000     46000     54000     60000     61000     62000    -
база налога на
имущество
(среднегодовая
стоимость основных
промышленно-
производственных
фондов отрасли по
остаточной
стоимости)

Налог на имущество      660      690      720      760      820       920       1080      1200      1220      1240     -

Налогооблагаемая        4587,3   5727,3   8967,9   12833,3  22744,8   31072,9   38800     43650     54966,7   67900    -
прибыль

Налог на прибыль        1100,9   1145,5   1793,6   2566,7   4549      6214,6    7760      8730      10993,3   13580    -

Чистая прибыль          3486,3   4581,8   7174,3   10266,7  18195,9   24858,3   31040     34920     43973,3   54320    -

Амортизационные         1845,5   2418,2   3214,3   4342,1   7327,6    9788,1    12000     14625     19833,3   26250    -
отчисления в
структуре
себестоимости

Материальные            26363,6  31818,2  40178,6  48245,6  73275,9   88983,1   100000    112500    141666,7  175000   -
затраты
в структуре
себестоимости

Фонд оплаты труда       13181,8  15909,1  20089,3  24122,8  36637,9   44491,5   50000     56250     70833,3   87500    -
в структуре
себестоимости

Налог на                4745,5   5727,3   7232,1   8684,2   13189,7   16016,9   18000     20250     25500     31500    -
добавленную
стоимость

Налог с продаж          -        -        -        -        -         -         -         -         -         -        -

Подоходный налог        1713,6   2068,2   2611,6   3136     4762,9    5783,9    6500      7312,5    9208,3    11375    -

Страховые взносы        3427,3   4136,4   5223,2   8201,8   12456,9   15127,1   170000    19125     24083,3   29750    -
в ПФ, ФСС, ФФОМС
и ТФОМС

Налоги,                 10546,4  12631,8  15787    20781,9  31229,5   37848     42580     47887,5   60011,7   73865    353158,7
поступающие в
бюджет и
внебюджетные фонды
(приток в бюджет)

Сальдо от               5331,8   7000     10388,6  14608,8  25523,4   34646,4   43040     49545     63806,7   80570    -
операционной
деятельности.
Чистый доход
организаций
(чистая прибыль и
амортизационные
отчисления)

Коэффициент             1        0,909    0,826    0,751    0,683     0,621     0,564     0,513     0,467     0,424    -
дисконтирования
(норма дисконта
Е = 0,10)

Сальдо от               5331,8   6363,6   8585,6   10975,8  17432,9   21512,7   24295     25424,4   29766,3   34169,5  183857,6
операционной
деятельности с
учетом
дисконтирования.
Чистый доход
организаций с
учетом
дисконтирования

Величина инвестиций     7903,8   8478,1   8267,4   21035    43629,4   33851,1   28632,4   27427,1   -         -        179224,366
из всех источников
финансирования
(оттоки)

Сальдо суммарного       -2572,1  -1478,1  2121,2   -6426,2  -18106    795,3     14407,6   22117,9   63806,7   80570    -
потока от
инвестиционной и
операционной
деятельности без
дисконтирования

Величина инвестиций     7903,8   7707,4   6832,6   15803,9  29799,5   21018,9   16162,2   14074,4   -         -        119302,7
из всех источников
финансирования
(оттоки) с учетом
дисконтирования

Сальдо суммарного       -2572,1  -1343,7  1753     -4828,1  -12366,6  493,8     8132,7    11350     29766,3   34169,5  64554,9
потока от
инвестиционной и
операционной
деятельности
с учетом
дисконтирования

Сальдо накопленного     -        -        -        -        -         -         -         -         -         -        -
суммарного потока
от инвестиционной и
операционной
деятельности с учетом
дисконтирования
(нарастающим итогом)

Чистый                  -2572,1  -3915,8  -2162,8  -6990,9  -19357,5  -18863,7  -10730,9  619       30385,3   64554,9  -
дисконтированный
доход

Срок окупаемости        -        -        -        -        -         -         -         -         -         -        7,9
инвестиций (период
возврата), лет

Индекс доходности       -        -        -        -        -         -         -         -         -         -        1,54
(рентабельность
инвестиций)

                                Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)

Средства федерального   5372,7   5772,01  5400     13000    25580     19420     16537,94  15762,06  -         -        106844,71
бюджета на научно-
исследовательские и
опытно-конструкторские
работы, капитальные
вложения и прочие
нужды (отток из
бюджета)

Налоги, поступающие     10546,4  12621,8  15787    20781,9  31229,5   37848     42580     47887,5   60011,7   73865    353158,7
в бюджет и
внебюджетные фонды

Налоги, поступающие в   10546,4  11474,4  13047,1  15613,8  21330,2   23500,6   24035,3   24573,9   27995,9   31326    203443,4
бюджет и внебюджетные
фонды с учетом
дисконтирования

Отток бюджетных         5372,7   5772     5400     13000    25580     19420     16537,9   15762,1   -         -        -
средств

Отток бюджетных         5372,7   5247,3   4462,8   9767,1   17471,5   12058,3   9335,2    8088,4    -         -        71803,33
средств с учетом
дисконтирования

Сальдо суммарного       5173,7   6227,1   8584,3   5846,7   3858,7    11442,3   14700,1   16485,4   27995,9   31326    131640
потока от
финансирования и
операционной
деятельности
с учетом
дисконтирования

Чистый                  5173,7   11400,8  19985    25831,7  29640,4   41132,7   55832,8   72318,2   100314,1  131640   -
дисконтированный
доход
государства или
бюджетный эффект

Индекс доходности       2        2,2      2,9      1,6      1,2       1,9       2,6       3         -         -        2,8
бюджетных средств

Налоги, поступающие     10546,4  11474,4  13047,1  15613,8  21330,2   23500,6   24035,3   24573,9   27995,9   31226    203443,4
в бюджет и
внебюджетные фонды
с учетом
дисконтирования

Удельный вес средств    0,68     0,68     0,65     0,62     0,59      0,57      0,58      0,57      -         -        0,6
федерального бюджета
в общем объеме
финансирования
(степень участия
государства)

Период возврата         -        -        -        -        -         -         -         -         -         -        1 год
бюджетных средств,
лет

Уровень                 0,79     0,79     0,76     0,73     0,7       0,68      0,66      0,66      0,66      0,66     0,68
безубыточности

                                                          Таблица 3

     Итоговые показатели эффективности реализации федеральной
    целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и
                радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

                                                      (млн. рублей)
-------------------------------------------------------|-----------
                      Наименование                     | 2008-2017
                       показателей                     |   годы
-------------------------------------------------------|-----------
Всего инвестиций                                        179224,366
(в ценах соответствующих лет)

в том числе:

  средства федерального бюджета                         106844,71

  внебюджетные средства                                 72379,656

               Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход в 2017 году               64554,9

Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли           7,9
организации, лет

Индекс доходности (рентабельность)                      1,54
инвестиций по чистой прибыли

Уровень безубыточности                                  0,68

                Показатели бюджетной эффективности

Налоги, поступающие в бюджет и                          203443,4
внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

Бюджетный эффект                                        131640

Индекс доходности (рентабельность)                      2,8
бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям

Удельный вес средств федерального бюджета в общем       0,6
объеме финансирования (степень участия государства)

Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым    1 год".
поступлениям, лет

     8. В приложении N 6 к указанной Программе:
     а) в разделе "Показатели коммерческой эффективности":
     в абзаце  двадцать  третьем  слова  "13  процентов"   заменить
словами  "8  процентов"  и  слова  "15 процентов"  заменить словами
"10 процентов";
     абзац двадцать четвертый исключить;
     б) абзац   четырнадцатый   раздела    "Показатели    бюджетной
эффективности" изложить в следующей редакции:
     "страховые взносы в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд
социального  страхования  Российской  Федерации,  Федеральный  фонд
обязательного  медицинского  страхования  и  территориальные  фонды
обязательного медицинского страхования в размере 34 процентов фонда
оплаты труда.".

                           ____________

2011-09-08
Яндекс.Метрика Сборник законов в бесплатном доступе. Информационный партнер сайта: Правовой портал Поиск-Закона http://poisk-zakona.ru/
Законы, распоряжения, указы и другие документы законодательства Российской Федереации на правовом портале сборник-законов.ру Написать письмо